btty038 发表于 2018-12-5 11:38 可以测出来，一般都有SWR  和反射，损耗什么的，，你S11看史密斯圆图，就可以看出来，，我给你上个图片 ...

谢谢你的回答 已经搞清楚了，是用S11 的smith形式看走线阻抗的。

btty038 发表于 2018-12-5 11:38 可以测出来，一般都有SWR  和反射，损耗什么的，，你S11看史密斯圆图，就可以看出来，，我给你上个图片 ...

谢谢你的回答 已经搞清楚了，是用S11 的smith形式看走线阻抗的。

mounthill 发表于 2018-11-19 11:44 单从原理图symbol来看，肯定是不同的

原理图是不同地方看到的，就是画原理图封装风格不同而已吧。都是常用的PMOS。

maychang 发表于 2018-11-19 11:36 楼主使用的两支功率MOS管，必是P沟，而且必是增强型，别无它选，想买耗尽型都买不到。

是的，就是常用的PMOS。

本帖最后由 huangwu 于 2018-11-18 10:58 编辑

maychang 发表于 2018-11-18 10:47 第一幅图，未画出MOS管体内二极管。该管体内二极管应该为左边是二极管负端。电池正常接入时该二极管不会导 ...

谢谢你的回答！ 对了，应该就是这样的，看图中说是reverse current，我老是想着防止电流反灌。从防止电池反接考虑，确实图1是有问题的，而图2是正确的。谢谢你啦！

qwqwqw2088 发表于 2018-11-18 10:20 上下两个图的防反电路都是用PMOS，连接在电源的正极是对的，正常时栅极为低电平，PMOS的导通，形成回路。PM ...

谢谢你的回答！ 怎么导通好理解，但是MOS有体二极管，图1中好像起不到防反作用。 图2是TI官网上的一份参考设计，照理也不会有错误，可能有什么隐晦的作用？没明白。。。。

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本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:29 编辑 没币啊！！  

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