本帖最后由 zyzs50 于 2016-7-29 16:12 编辑 各位不好意思，问题描述的是有点模糊，现纠正一下。 问题： 硬件平台，处理器为lpc1788,片内有512KB的flash，外接有32MB的SDRAM。软件使用的emwin图像库设计的一个用户界面。生成的可执行文件如果下载到片内flash运行，界面显示和切换比较流畅，一切正常。问题是，我要把可执行文件直接加载到片外SDRAM运行，就出现了界面切换有延时出现，界面有明显的从上到下刷新的痕迹。 主要是因为我的可执行程序超过了512KB，片内flash放不下了，所以才想到加载到外部SDRAM运行，但是发现放到片外的运行效率比片内要低。所以想请教有什么办法可以优化。 我的理解是，在片内flash运行时，使用的是内核时钟，取指令，译码都是访问的片内flash，取数据访问的是片外SDRAM. 如果可执行程序全部加载到SDRAM，这时候，取指令，取数据，都是在SDRAM里面。外部SDRAM的时钟频率和性能应该没有片内flash高效，所以在取指，译码，执行方面，SDRAM效率会低一点。

本帖最后由 zyzs50 于 2016-7-22 11:53 编辑

zhaojun_xf 发表于 2016-7-22 10:10 很少用分散加载文件，可以找一下，周工的例程看看，有说到分散加载文件。

我是用的lpc1788,片内FALSH只有512KB，我的可执行文件已经超过了512KB，片内放不下，所以想放到片外SDRAM运行。因此在编写sct文件时出了问题，如果直接把运行地址改为0xA0000000.跳转的时候没有运行。所以感觉SCT文件写的有问题 我的sct文件这样写： LR_IROM1 0xA0000000 0x00080000  {    ; load region size_region   ER_IROM1 0xA0000000 0x00080000  {  ; load address = execution address    *.o (RESET, +First)    *(InRoot$$Sections)    .ANY (+RO)   }   RW_IRAM1 0x10000000 0x00010000  {  ; RW data    .ANY (+RW +ZI)   }   RW_RAM1 0xA0080000 UNINIT 0x02000000  {  ; RW data    * (VRAM, GUI_RAM, GUIDEMO_STACK, FS_RAM, IP_RAM, USB_RAM)   } }