zhaojun_xf 发表于 2016-5-12 07:02 来深圳干嘛？你买得起房吗，就是给你3万也没有，龙华基本5W以上，你买得起车牌吗，目前4W多（按照每月5K的 ...

楼主应该是想出去打拼一下，并没有说要去大城市定居的问题，所以买房买车应该不在近期规划内。 深圳房租再贵，一般的工程师自己个人的房租还是可以支付吧！ 大城市每月剩余的应该会比小地方多一点，奋斗几年回武汉买房买车应该问题不大！

cmd文件换成Flash的

计算出每一位ad转换结果所代表的输入信号电压，就知道该注意什么了。5V输入的16位ad，每一个码值代表5V/65536大约等于76μV，也就是说如果电路布线设计处理的不够好的话，这么高精度的ad是在测量电路噪声。16位ad按照转换速度和转换模式有不同的分类，对于不同转换速度的ad来说，需要不同的前端滤波处理，应该满足采样定理的要求。

下载收藏，要是中文的就更好了:)

十分详细，赞一个，收藏！:)

挺有意思的！

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:44 编辑 好资料，谢谢分享！  

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:28 编辑 每届电设，做控制类题目的同学都是最多的。先来分析控制类清单。 需要注意的几个大变化：仪器里面增加了量角器和温度计；元器件里面增加了一大堆，步进电机、角度传感器、超声传感器、红外收发管、小型直流风扇。 所以看来今年控制类有大变化的消息并不是空穴来风。虽然今年还有小型电动车，但这个是每年都有的，不要做太大希望。 那么我们怎么来应对？我觉得上来不应该先去猜题，如果没有内部人员，不但猜不准，反而还会干扰视线，舍本逐末。我建议，上来第一步，先去把该买的器件和仪器买全了！第二步，把这些器件基本功能用起来；第三步，进行逻辑组合，进行应用。 买器件，常用的就不说了，电子市场或者淘宝搞定。今年我觉得角度传感器和超声传感器买的时候需要注意。现在都是最后冲刺阶段了，别再花时间自己研究，能买现成的模块就买现成的模块，买不到的，买那些别人常用的模块，短时间就能用起来的！ 另外注意封装，就角度传感器而言，好多芯片是球栅封装，自己不腐蚀板子靠万用板没法搞，一定要注意！ 接下来是把器件用起来，作控制的，步进电机肯定要会用，直流风扇肯定要会用，各个传感器的信号采集一定要弄清楚。简单的就是模拟信号的采集，大部分芯片上面都带了很多AD口，这个问题不大。另外有的传感器是UART通信，也就是串口通信，那也不难。另外有的传感器是SPI口或者IIC口通信，里面寄存器还是蛮复杂的，这个就要好好弄一下了。 最后是组合应用，究竟这些传感器怎么能和量角器、温度计联系到一起，我暂时是没什么思路，大家一起探讨了。 最后还是希望大家抓住重点，稳住稳住，脚踏实地一步一步来！  

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:12 编辑 希望有帮到你， 刚看到论坛有一个电源答疑帖，有具体问题可以在这提问，有专家会帮你解答！https://bbs.eeworld.com.cn/thread-299223-1-1.html  

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:12 编辑 “电源类””赛题中所涉及到的一些知识点，对有些专业的同学来讲，在专业课程中是没有的，需要自己去搞清楚。这一点很重要。理论用来指导行动。没有理论基础，盲人摸象，行动一定会有困难。 另外，“电源类””赛题的实践性要求很强，例如变压器的制作，特别是高频开关电源变压器的制作，电感线圈的设计与制作、PCB的设计等。 站在岸上是学不会游泳的。建议从简单的基本的电源类电路做起，如简单的直流稳压器电路等，通过一些作品的制作和训练，找到感觉。 （1）主攻“电源类”赛题方向的同学在训练过程中，以历届赛题为基础，可以选择已经出现过的一些赛题做一些训练；主要训练这类赛题的共用部分，如变压器、AC-DC、滤波器、微控制器、ADC/DAC等。完成相关模块的设计制作，以备竞赛需要。 （2）主攻“电源类”赛题方向的同学还应该注意与电源特性和指标参数测试有关的仪器仪表的设计与制作。一些赛题会包含这方面的内容，如2007年本科组E题“开关稳压电源”要求测量输出电压和电流。 （3）主攻“电源类”赛题方向的同学还可以发挥自己的想象力，考虑一下： ① 还有哪些“电源类”的赛题在竞赛中没有出现过？如大功率电流源等，在培训过程中事先训练一下。 ② 已经出现过的一些赛题，考虑一下哪些可能会在放大器、仪器仪表、高频、控制类等赛题中出现？ ③ 已经出现过的一些赛题，考虑一下哪些可能在指标和功能方面会有哪些变化？如效率、稳定度、输出功率等。 ④ 已经出现过的一些赛题，考虑一下哪些可能在制作要求方面会有哪些变化？ （4）主攻其他方向的参赛者，也需要注意电源的设计与制作。  

本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:12 编辑 1. “电源类”赛题近届都有在9届电子设计竞赛中，电源类赛题有7题：① 简易数控直流电源（1994年A题）；② 直流稳压电源（1997年A题）；③ 数控直流电流源（2005年F题）；④ 三相正弦波变频电源（2005年G题）；⑤ 开关稳压电源（2007年本科组E题）；⑥ 光伏并网发电模拟装置（2009年A题）；⑦ 电能搜集充电器（2009年E题）比较历届赛题可以看到， “电源类”赛题从DC→AC，而且设计要求是越来越高。例如：

说的很详细哟。。我也要参与。。看看我的运气怎么样。。呵呵！

楼主真不错。。很详细呀！

LS：每个人对经典定义的不一样，不赞同但是说话应该稍微含蓄！:)

速度很快哟！:)

    在基于目标阻抗（target impedance）的去耦电容设计方法中，把瞬态电流看成阶跃信号，因而有很宽的频谱，去耦电容必须在这个很宽的频谱内使电源系统的输出阻抗低于目标阻抗（target impedance）。电容的选择是分频段设计的，每一种容值的电容负责一段频谱范围，超出这个范围的，由其他电容负责构成低阻抗路径。     例如：要去耦的电源为1.2V，允许电压波动为2.5%，最大瞬态变化电流为600mA。利用目标阻抗计算电源系统所需去耦电容器的电容量的步骤[于博士信号完整性研究网. 电源完整性设计详解.www.sig007.com]如下：                            

    如图14所示，基于目标阻抗的PDN（电源分配网络）设计方法将PDN看成一个系统，以平均交流电流激励PDN，为使PDN的输出电压波动小于电源噪声容限，PDN的输入阻抗必须小于目标阻抗[张木水.高速电路电源分配网络设计与电源完整性分析[D].西安电子科技大学,2009.4，张木水、李玉山.信号完整性分析与设计[M].北京：电子工业出版社，2010.4]。如图15所示，为了使PDN的输入阻抗低于目标阻抗，需要多个不同容量的电容器并联以获得平坦的输入阻抗特性[Philippe Garrault. Methodologies for Efficient FPGA Integration into PCBs.www.xilinx.com]。一个设计示例如图16所示。     基于目标阻抗的PDN设计方法将将PDN设计成满足在感兴趣的带宽范围内从IC看过去的输入阻抗小于某一给定的目标阻抗值，以确保电源噪声可以控制在系统预算的噪声容限范围内。频率范围一般为IC的工作频率。如图15所示，去耦电容器的应用改变了PDN的输入阻抗，为了使PDN的输入阻抗满足目标阻抗的要求，使输入阻抗低于目标阻抗，需要多个不同容量的电容器并联以获得平坦的输入阻抗。     基于目标阻抗的PDN设计方法利用电容器谐振频率周围阻抗达到最小的特性来获得低输入阻抗，大容量的体电容器维持低频输入阻抗，SMT电容器维持中高频输入阻抗，而平面电容、嵌入式电容和片上／封装电容则维持高频阻抗。去耦网络的设计是PDN设计最重要的部分，也是PDN设计和噪声管理的难点。 频域阻抗分析法是平面PDN设计的典型方法。通过PDN的频域阻抗曲线，可以清楚地判断在哪些频率点上会出现严重的电源噪声。这种分析方法非常有利于分析并设计PDN对SI（信号完整性）和EMI影响。     判断一个PDN设计是否优良的标准是： ① 在可接受的电源噪声下，功率得到及时可靠的传输； ② 维持PCB上高速信号的完整性； ③ 将系统的电磁辐射控制在可接受的范围内。    

可以采用两种方法确定所需的电容量：一是利用电源驱动的负载计算电容量，二是利用目标阻抗（Target Impedance）来计算总电容量。 利用电源驱动的负载计算电容量示例[于博士信号完整性研究网. 电源完整性设计详解如下： 例设负载（容性）为30pF，要在2ns内从0V 驱动到3.3V，瞬态电流为：   如果共有36 个这样的负载需要驱动，则瞬态电流为：36 ´ 49.5mA=1.782A。假设容许电压波动为：3.3V ´ 2.5%=82.5 mV，所需电容量为 C=I ´ dt/dV=1.782A ´ 2ns/0.0825V=43.2nF 所增加的电容实际上作为抑制电压波纹的储能元件，该电容必须在2ns 内为负载提供1.782A的电流，同时电压下降不能超过82.5 mV，因此电容值应根据82.5 mV 来计算。记住：电容放电给负载提供电流，其本身电压也会下降，但是电压下降的量不能超过82.5 mV（容许的电压波纹）。利用电源驱动的负载计算电容量的这种方法没有考虑ESL及ESR 的影响，因此很不精确，但是可以加深对去耦原理的理解。

当电容器的电容不足，或者目标阻抗以及插入损耗由于高ESL 和ESR 难以实现时，可能需要并联多个电容器，如图10所示。在这种情况下，必须注意出现在这些电容器中的并联谐振（称为反谐振），如图11所示，可以看到从电源端的阻抗由于反谐振会趋向于变大。 反谐振是发生在两个电容器间的自谐振频率不同时的一种现象。如图12所示，并联谐振发生在其中一个电容器的电感区以及另一个电容器的电容区的频率范围内。并联谐振造成该频率范围的总阻抗增加。因此，在出现反谐振的频率范围，插入损耗会变小[murata Inc. c39c[1] 数字IC电源静噪和去耦应用手册. http://www.murata.com]。   （a）不同电容的电容器器并联                   （b）电容器间距较远 图10 电容器连接可能出现反谐振的情况   图11 电容器的并联谐振（计算值）   图12 电容器的并联谐振频率范围 可以采用图13所示一些方法来抑制反谐振[murata Inc. c39c[1] 数字IC电源静噪和去耦应用手册. http://www.murata.com]，如图13（a）所示，在电容器间嵌入谐振抑制元件例如铁氧体磁珠。如图13（b）所示，匹配电容器的电容以调整自谐振频率。如图13（c）所示，缩小电容器之间的间距和使用不同电容的电容器相结合，电容值的差值低于10:1。 图13（a）所示方法对改善插入损耗相当有效。然而，降低电源阻抗的效果就变小。采用图13（b）和图10（c）的方法，可以减弱反谐振，但要完全抑制反谐振是很难的。如图13（d）所示，可以采用低ESL 和ESR 的高性能电容器来消除反谐振问题。   图13抑制反谐振的一些方法

    在图4所示电路中，去耦电容器C的安装位置不同，图7（a）中电容器靠近电源安装，图7（b）中集成电路（IC）靠近电源安装，其去耦合效果是不同的。 考虑布线电感，图7所示电路的等效电路如图8所示，在图8（a）中，从电源部分流入的电流，首先通过电感L1在C中积蓄起来，然后再通过L2提供给IC 。对于电源的变化和噪声，电容器C能够起到很好的去耦作用。在图8（b）中，由于L2隔离了电容器C与IC的连接，电源的变化和噪声首先作用于IC，降低了电容器C的去耦作用。   （a）电容器靠近电源安装     （b）IC靠近电源安装 图7去耦电容器C的安装位置   （a）电容器靠近电源安装等效电路    （b）IC靠近电源安装等效电路 图8图4的等效电路   一个示例如图9所示[murata Inc. c39c[1] 数字IC电源静噪和去耦应用手册. http://www.murata.com]。电源端存在一个20MHz 的噪声，在数字IC 电源端的6mm处安装一个1μF MLCC（尺寸1608）。在IC电源端15mm处，用示波器测量噪声抑制效果。测量结果如图6.3.10所示，可以看出有分支线路的比没有分支线路的电压波动（波纹）要大很多。可以看到分支线路的存在，对噪声抑制有着巨大的影响。   （a）没有电容器    （b）有分支线路     （c）没有分支线路 图9电源噪声抑制效果测量（电压波形）