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  • 2024-12-26

  • 发表了主题帖： 2SK2926L-VB一种TO251封装Single-N-Channel场效应管

    ### 一、2SK2926L-VB 产品简介 2SK2926L-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO251 封装，适用于各种中高压功率电子应用。该型号具有60V 的漏源电压 (VDS) 和 35A 的连续漏极电流 (ID)，在不同的栅源电压下，具有不同的导通电阻 (RDS(ON))，表现出优异的开关性能。采用了 Trench 技术，具有良好的导电特性和稳定性，适用于要求高性能和可靠性的电子应用。 ### 二、2SK2926L-VB 详细参数说明 | 参数                | 数值        | 单位    | 备注                                       | |-------------------|-----------|-------|------------------------------------------| | **封装类型**         | TO251     |       |                                          | | **配置**            | 单 N 沟道    |       |                                          | | **漏源电压 (VDS)**  | 60        | V     | 最大额定值                                | | **栅源电压 (VGS)**  | 20（±）   | V     | 最大额定值                                | | **阈值电压 (Vth)**  | 1.7       | V     | 典型值                                    | | **导通电阻 (RDS(ON))** | 37        | mΩ    | VGS=4.5V 时                               | | **导通电阻 (RDS(ON))** | 32        | mΩ    | VGS=10V 时                               | | **连续漏极电流 (ID)** | 35        | A     | 最大额定值                                | | **技术**            | Trench    |       | 沟槽结构                                   | ### 三、应用领域及示例 2SK2926L-VB MOSFET 适用于各种中高压功率应用，具有广泛的应用领域： 1. **电源转换器**：在开关电源和变换器中，该器件可用于稳压和功率转换。其高漏极电流和低导通电阻使其成为高效能电源转换器的理想选择。 2. **电机驱动**：在交流电机和直流电机驱动器中，2SK2926L-VB 可以用于电机控制和变频调速。其高电压和稳定性有助于提高电机的效率和控制性能。 3. **电动车充电器**：在电动车充电器中，该器件可用于高压直流电源和充电管理模块。其高电压和稳定性有助于提高充电效率和安全性。 4. **工业控制**：在工业控制系统中，2SK2926L-VB 可以用于传感器信号处理和开关控制。其高速开关和稳定性有助于提高工业设备的效率和可靠性。 综上所述，2SK2926L-VB MOSFET 在电源转换器、电机驱动、电动车充电器和工业控制等领域具有广泛的应用前景，并且能够提供高效能和可靠性的解决方案。

  • 发表了主题帖： 2SK2925-Z-E1-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管

    ### 产品简介 **型号**: 2SK2925-Z-E1-VB   **封装**: TO252   **配置**: 单N沟道   **技术**: 沟槽型（Trench）   2SK2925-Z-E1-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用沟槽型技术设计，具有优良的导通特性和高可靠性，适用于各种电子设备和电路设计。 ### 详细参数说明 - **VDS**（漏-源电压）: 60V - **VGS**（栅-源电压）: ±20V - **Vth**（栅极阈值电压）: 1.7V - **RDS(ON)**（导通电阻）:   - 85mΩ @ VGS=4.5V   - 73mΩ @ VGS=10V - **ID**（漏极电流）: 18A ### 应用领域和模块举例 **电源管理**: 2SK2925-Z-E1-VB适用于各种电源管理应用，如直流-直流转换器（DC-DC Converter）、开关电源和逆变器。其低导通电阻和高漏极电流能力使其在高效率电源转换中具有优势。 **电动车充电器**: 在电动汽车充电器中，该MOSFET可用于高压直流-直流变换器。其高漏-源电压和低导通电阻能够提高充电器的效率和性能。 **工业控制**: 2SK2925-Z-E1-VB适用于工业自动化和控制系统中的电机驱动器和机器人控制器。其高可靠性和耐用性使其能够在苛刻的工业环境中长时间稳定工作。 **消费电子**: 在各种消费电子产品中，如笔记本电脑、台式电脑和移动设备中的电源管理电路，2SK2925-Z-E1-VB也可以发挥作用。其高效的电流处理和低功耗特性使其成为这些应用的理想选择。 2SK2925-Z-E1-VB以其高性能和广泛的应用领域，成为各类电子和电力系统设计中的关键组件。

  • 发表了主题帖： 2SK2925-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管

    ### 一、2SK2925-VB 产品简介 2SK2925-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该MOSFET具有60V的漏源电压（VDS）和20V的栅源电压（VGS），能够在低压应用中提供高效和可靠的性能。该产品采用了沟道技术，确保了在不同应用中的稳定性和耐用性。其最大漏极电流（ID）为18A，在VGS为4.5V时的导通电阻（RDS(ON)）为85mΩ，在VGS为10V时的导通电阻（RDS(ON)）为73mΩ。这个器件适用于对低压要求且需要中等电流的场合。 ### 二、2SK2925-VB 详细参数说明 - **封装形式**：TO252 - **极性**：单N沟道 - **漏源电压（VDS）**：60V - **栅源电压（VGS）**：20V（±） - **阈值电压（Vth）**：1.7V - **导通电阻（RDS(ON)）**：   - @ VGS=4.5V: 85mΩ   - @ VGS=10V: 73mΩ - **漏极电流（ID）**：18A - **技术**：沟道技术 - **其他参数**：   - 栅极电荷（Qg）：待定   - 反向恢复时间（trr）：待定   - 电感负载开关时间（tsw）：待定   - 封装尺寸：待定   - 工作温度范围：待定 ### 三、适用领域和模块举例 2SK2925-VB MOSFET 由于其低压和中等电流能力，适用于各种低压高功率场景。以下是一些具体的应用领域和模块： 1. **电源模块**：在需要中等电压和中等电流的电源模块中，2SK2925-VB 可以提供可靠的功率开关和电流控制，使电源模块具有更好的效率和可靠性。 2. **电机驱动器**：在低压高功率电机控制系统中，2SK2925-VB 可以提供高效的电流控制和电压调节，确保电机的稳定运行和高效能转换。 3. **LED照明系统**：对于需要低压高功率的LED照明系统，2SK2925-VB 可以提供稳定的电流和电压输出，提升照明效果和能源利用率。 4. **电池管理系统**：在需要高电流充放电的电池管理系统中，2SK2925-VB 可以提供稳定的电流控制和电压调节，确保电池系统的安全运行和长寿命。 总的来说，2SK2925-VB 是一款适用于低压高功率场合的N沟道MOSFET，具有高性能和稳定性，可以满足各种高功率电子设备的需求。

  • 发表了主题帖： 2SK2918-01-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管

    ### 产品简介 **型号：2SK2918-01-VB**   **封装：TO220**   **配置：单N沟道**   **技术：沟道技术** 2SK2918-01-VB 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于中压高电流应用。其200V的漏源电压（VDS）和30A的漏极电流（ID）使其在需要中等电压但高电流输出的电路中表现出色。110mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@ VGS=10V确保了低功耗和高效率。 ### 详细参数说明 - **漏源电压 (VDS)**: 200V - **栅源电压 (VGS)**: ±20V - **开启阈值电压 (Vth)**: 3V - **导通电阻 (RDS(ON))**: 110mΩ @ VGS=10V - **漏极电流 (ID)**: 30A - **技术类型**: 沟道技术 - **封装类型**: TO220 - **配置**: 单N沟道   ### 应用领域和模块示例 2SK2918-01-VB 的高性能特性使其适用于多种应用领域： 1. **电源管理系统**: 该MOSFET可用于开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）系统中，帮助实现高效能和可靠性。 2. **电机驱动器**: 在需要中等电压但高电流输出的电机控制器和驱动模块中，该MOSFET可以提供稳定的电流输出。 3. **工业控制**: 在工业自动化和机器人控制系统中，2SK2918-01-VB 可用于电源管理和驱动电路，确保设备的高效运行。 4. **电动汽车充电桩**: 由于其中等电压和高电流特性，该MOSFET可用于电动汽车充电桩中，提供高效的电能转换和电流输出。 5. **LED照明**: 在需要中等电压和高电流输出的高功率LED照明系统中，该MOSFET可以用于电源和驱动电路，提供稳定的电流输出和高效的能源转换。 2SK2918-01-VB 的优异电气特性和可靠性设计使其成为中压高电流应用中的理想选择，能够满足各种领域对高性能MOSFET的要求。

  • 发表了主题帖： 2SK2917-VB一种TO3P封装Single-N-Channel场效应管

    ### 产品简介 2SK2917-VB是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET，采用TO3P封装。该MOSFET具有高耐压和适中电流特性，适用于各种中高压功率开关和电源管理应用。其采用了SJ_Multi-EPI技术，具有低导通电阻和高效能量转换的特性，适合对功率要求较高的应用。 ### 详细参数说明 - **型号**: 2SK2917-VB - **封装**: TO3P - **配置**: 单N沟道 - **最大漏源电压（VDS）**: 600V - **最大栅源电压（VGS）**: ±30V - **阈值电压（Vth）**: 3.5V - **导通电阻（RDS(ON)）**: 190mΩ @ VGS = 10V - **最大漏极电流（ID）**: 20A - **技术**: SJ_Multi-EPI ### 应用领域及模块示例 2SK2917-VB MOSFET适用于以下领域和模块： 1. **电源管理**：    - **开关电源**：在中高压功率的开关电源中，可用作电源开关元件，提供稳定的输出电压。    - **逆变器**：在逆变器电路中，用于将直流电转换为交流电，适用于中高压功率的应用场景。 2. **工业控制**：    - **电机驱动**：用于中高功率电机的驱动，提供稳定的电流输出。    - **电源开关**：在一些中高压功率的工业设备中，用作电源开关元件，确保稳定的电源输出。 3. **电动汽车充电器**：    - 在电动汽车充电器中，作为高压高功率开关元件，提供快速充电能力。 4. **太阳能逆变器**：    - 用于太阳能逆变器中，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供给电网使用。 综上所述，2SK2917-VB MOSFET具有较高的性能和广泛的应用领域，适用于许多中高压功率的电子设备和系统。

  • 发表了主题帖： 2SK2897-01MR-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管

    ### 一、2SK2897-01MR-VB 产品简介 2SK2897-01MR-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于各种中高压功率电子应用。该型号具有60V 的漏源电压 (VDS) 和 70A 的连续漏极电流 (ID)，在不同的栅源电压下，具有不同的导通电阻 (RDS(ON))，表现出优异的开关性能。采用了 Trench 技术，具有良好的导电特性和稳定性，适用于要求高性能和可靠性的电子应用。 ### 二、2SK2897-01MR-VB 详细参数说明 | 参数                | 数值        | 单位    | 备注                                       | |-------------------|-----------|-------|------------------------------------------| | **封装类型**         | TO220F    |       |                                          | | **配置**            | 单 N 沟道    |       |                                          | | **漏源电压 (VDS)**  | 60        | V     | 最大额定值                                | | **栅源电压 (VGS)**  | 20（±）   | V     | 最大额定值                                | | **阈值电压 (Vth)**  | 2.5       | V     | 典型值                                    | | **导通电阻 (RDS(ON))** | 12        | mΩ    | VGS=4.5V 时                               | | **导通电阻 (RDS(ON))** | 10        | mΩ    | VGS=10V 时                               | | **连续漏极电流 (ID)** | 70        | A     | 最大额定值                                | | **技术**            | Trench    |       | 沟槽结构                                   | ### 三、应用领域及示例 2SK2897-01MR-VB MOSFET 适用于各种中高压功率应用，具有广泛的应用领域： 1. **电源转换器**：在开关电源和变换器中，该器件可用于稳压和功率转换。其高漏极电流和低导通电阻使其成为高效能电源转换器的理想选择。 2. **电机驱动**：在交流电机和直流电机驱动器中，2SK2897-01MR-VB 可以用于电机控制和变频调速。其高电压和稳定性有助于提高电机的效率和控制性能。 3. **电动车充电器**：在电动车充电器中，该器件可用于高压直流电源和充电管理模块。其高电压和稳定性有助于提高充电效率和安全性。 4. **工业控制**：在工业控制系统中，2SK2897-01MR-VB 可以用于传感器信号处理和开关控制。其高速开关和稳定性有助于提高工业设备的效率和可靠性。 综上所述，2SK2897-01MR-VB MOSFET 在电源转换器、电机驱动、电动车充电器和工业控制等领域具有广泛的应用前景，并且能够提供高效能和可靠性的解决方案。

  • 发表了主题帖： 2SK2895-01-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管

    ### 产品简介 **型号**: 2SK2895-01-VB   **封装**: TO220   **配置**: 单N沟道   **技术**: 沟槽型（Trench）   2SK2895-01-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，具有60V的漏-源电压承受能力。采用沟槽型技术设计，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种高性能电路设计。 ### 详细参数说明 - **VDS**（漏-源电压）: 60V - **VGS**（栅-源电压）: ±20V - **Vth**（栅极阈值电压）: 1.7V - **RDS(ON)**（导通电阻）:   - 13mΩ @ VGS=4.5V   - 11mΩ @ VGS=10V - **ID**（漏极电流）: 60A   ### 应用领域和模块举例 **电源管理**: 2SK2895-01-VB在电源管理领域表现出色，适用于直流-直流转换器（DC-DC Converter）、开关电源和逆变器。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效率电源转换中具有重要作用。 **电动汽车**: 在电动汽车和混合动力汽车中，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）和电机驱动器。其高电流处理能力和低导通电阻确保了系统的高效率和可靠性。 **电机控制**: 2SK2895-01-VB适用于电机驱动器和机器人控制器。其高可靠性和耐用性使其能够在苛刻的工业环境中长时间稳定工作。 **消费电子**: 该MOSFET还可以用于各种消费电子产品，如笔记本电脑、台式电脑和移动设备中的电源管理电路。其高效的电流处理和低功耗特性使其成为这些应用的理想选择。 2SK2895-01-VB以其优异的性能和广泛的应用领域，成为各类电子和电力系统设计中的重要组件。

  • 发表了主题帖： 2SK2895-01_05-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管

    ### 一、2SK2895-01_05-VB 产品简介 2SK2895-01_05-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该MOSFET具有60V的漏源电压（VDS）和20V的栅源电压（VGS），能够在低压应用中提供高效和可靠的性能。该产品采用了沟道技术，确保了在不同应用中的稳定性和耐用性。其最大漏极电流（ID）为60A，在VGS为4.5V时的导通电阻（RDS(ON)）为13mΩ，在VGS为10V时的导通电阻（RDS(ON)）为11mΩ。这个器件适用于对低压要求且需要高电流的场合。   ### 二、2SK2895-01_05-VB 详细参数说明 - **封装形式**：TO220 - **极性**：单N沟道 - **漏源电压（VDS）**：60V - **栅源电压（VGS）**：20V（±） - **阈值电压（Vth）**：1.7V - **导通电阻（RDS(ON)）**：   - @ VGS=4.5V: 13mΩ   - @ VGS=10V: 11mΩ - **漏极电流（ID）**：60A - **技术**：沟道技术 - **其他参数**：   - 栅极电荷（Qg）：待定   - 反向恢复时间（trr）：待定   - 电感负载开关时间（tsw）：待定   - 封装尺寸：待定   - 工作温度范围：待定 ### 三、适用领域和模块举例 2SK2895-01_05-VB MOSFET 由于其低压和高电流能力，适用于各种低压高功率场景。以下是一些具体的应用领域和模块： 1. **电源模块**：在需要高功率输出的低压电源模块中，2SK2895-01_05-VB 可以提供可靠的功率开关和电流控制，使电源模块具有更好的效率和可靠性。 2. **电机驱动器**：在低压高功率电机控制系统中，2SK2895-01_05-VB 可以提供高效的电流控制和电压调节，确保电机的稳定运行和高效能转换。 3. **电池管理系统**：在需要高电流充放电的电池管理系统中，2SK2895-01_05-VB 可以提供稳定的电流控制和电压调节，确保电池系统的安全运行和长寿命。 4. **LED照明系统**：对于需要低压高功率的LED照明系统，2SK2895-01_05-VB 可以提供稳定的电流和电压输出，提升照明效果和能源利用率。 总的来说，2SK2895-01_05-VB 是一款适用于低压高功率场合的N沟道MOSFET，具有高性能和稳定性，可以满足各种高功率电子设备的需求。

  • 发表了主题帖： 2SK2890-01MR-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管

    ### 产品简介 **型号：2SK2890-01MR-VB**   **封装：TO220F**   **配置：单N沟道**   **技术：沟道技术** 2SK2890-01MR-VB 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高电流应用。其30V的漏源电压（VDS）和140A的漏极电流（ID）使其在需要高电流输出的电路中表现出色。5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@ VGS=4.5V和4mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@ VGS=10V确保了低功耗和高效率。 ### 详细参数说明 - **漏源电压 (VDS)**: 30V - **栅源电压 (VGS)**: ±20V - **开启阈值电压 (Vth)**: 1.7V - **导通电阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS=4.5V, 4mΩ @ VGS=10V - **漏极电流 (ID)**: 140A - **技术类型**: 沟道技术 - **封装类型**: TO220F - **配置**: 单N沟道   ### 应用领域和模块示例 2SK2890-01MR-VB 的高性能特性使其适用于多种应用领域： 1. **电机驱动器**: 在需要高电流输出的电机控制器和驱动模块中，该MOSFET可以提供高效能和高电流输出，确保电机的稳定运行。 2. **电源模块**: 由于其低电阻和高电流特性，2SK2890-01MR-VB 可用于开关电源和DC-DC转换器中，提供高效率的能源转换。 3. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，如电动汽车电池管理系统（BMS）和车载充电器中，该型号可以提供高效的功率转换和电流输出。 4. **工业控制**: 在工业自动化和机器人控制系统中，2SK2890-01MR-VB 可用于电源管理和驱动电路，确保设备的高效运行。 5. **LED照明**: 在高功率LED照明系统中，该MOSFET可以用于电源和驱动电路，提供稳定的电流输出和高效的能源转换。 2SK2890-01MR-VB 的优异电气特性和可靠性设计使其成为高电流应用中的理想选择，能够满足各种领域对高性能MOSFET的要求。

  • 发表了主题帖： 2SK2889-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管

    ### 产品简介 2SK2889-VB是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该MOSFET具有高耐压和适中电流特性，适用于各种中高压功率开关和电源管理应用。其采用了传统的平面结构技术，具有适中的漏极-源极电阻，适合一些对功率要求不高的应用。 ### 详细参数说明 - **型号**: 2SK2889-VB - **封装**: TO220F - **配置**: 单N沟道 - **最大漏源电压（VDS）**: 650V - **最大栅源电压（VGS）**: ±30V - **阈值电压（Vth）**: 3.5V - **导通电阻（RDS(ON)）**: 680mΩ @ VGS = 10V - **最大漏极电流（ID）**: 12A - **技术**: 平面型   ### 应用领域及模块示例 2SK2889-VB MOSFET适用于以下领域和模块： 1. **电源管理**：    - **开关电源**：在中等功率的开关电源中，可用作电源开关元件，提供稳定的输出电压。    - **逆变器**：在逆变器电路中，用于将直流电转换为交流电，适用于中等功率的应用场景。 2. **照明应用**：    - **室内照明**：用于室内照明灯具的电源控制，提供稳定的电源输出。    - **户外照明**：在一些户外照明系统中，如路灯等，提供稳定的功率输出。 3. **工业控制**：    - **电机驱动**：用于中等功率的电机驱动，提供稳定的电流输出。    - **电源开关**：在一些中等功率的工业设备中，用作电源开关元件，确保稳定的电源输出。 4. **医疗设备**：    - **电源管理**：在一些中等功率的医疗设备中，提供稳定可靠的电源管理功能。    - **电池充放电管理**：用于医疗设备中的电池充放电控制，提高电池使用效率。 综上所述，2SK2889-VB MOSFET具有适中的性能和广泛的应用领域，适用于许多中等功率的电子设备和系统。

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