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qzgiky 发表于 2025-1-21 17:09 也想知道该型号的国产替代，现在国产化替代的要求越来越高 是呀，让用分立器件搭建，老是出问题

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有没有LTC4364IDE-1国产替代的芯片

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LTspice里面有没有恒定功率的负载，有的话具体位置在哪里找呢  

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ABC159753 发表于 2025-1-7 10:54 散热是自然散热，空间有限用的导热硅胶，我们领导说是散热有问题，采样电阻温漂也比较大，让改成NMOS管， ...  

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tagetage 发表于 2025-1-7 09:54 内阻挺小的了，是不是散热没做好，或者工作环境温度高。。 散热是自然散热，空间有限用的导热硅胶，我们领导说是散热有问题，采样电阻温漂也比较大，让改成NMOS管，NMOS内阻有4.3mΩ的，但是仿真NMOS管一直无法关断，不知道这种什么问题，我想着采样电阻两端压导致NPN和PNP管这条路动作，拉低NMOS管的栅极电压，关断MOS，但是实际仿真MOS就是无法关断，G极电压无法完全拉低

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tagetage 发表于 2025-1-6 15:16 很多场合不允许关负极，你得考虑使用场景。PMOS选大电流低内阻的不就好了。 选用的是十几mΩ的PMOS管，但是依然发热量大，导致电路烧一会就关断了

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tagetage 发表于 2025-1-6 14:34 过流保护应该断正极啊，你怎么断负极？？？ 开始在正极用的PMOS，PMOS内阻偏大，发热量大，换成了NMOS，想通过拉低NMOS栅极电压来实现关断，但是仿真出来是有问题的

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  想做一个过流保护电路，7A保护，但是这个MOS管好像始终无法完全关断，有没有人能看一下是什么问题，指导一下，感谢

加入了学习《电源设计小贴士50：铝电解电容器常见缺陷的规避方法》，观看 电源设计小贴士50：铝电解电容器常见缺陷的规避方法

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聋门叨客 发表于 2024-10-9 10:59 MOS又不是一个开关，你这样会让MOS工作在线性区，烧毁MOS。设计意图可以理解，通过采样电阻R13去控制三极管 ... 那麻烦问一下这种情况下怎么修改一下才能避免这种情况呢

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呜呼哀哉 发表于 2024-10-8 11:30 从你的各节点电压值看，这个VGS根本就导通不了MOS管，电流从体二极管过，肯定 有温升。 这个是仿真的MOS 管关断状态，实际用的器件和仿真有差别，电路图是这样的，实际2.4A负载的时候GS两端12V的电压，MOS管是10V完全导通，2.5A负载GS两端没有压差，这个时候要关断，但是MOS管直接SD两端击穿了

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ABC159753 发表于 2024-10-8 11:30 之前测试过GS两端电压，2.4A拆掉mos测试电压为12V，2.5A的时候压差为0，此时应该关断但是刚测试完大概也 ... mos管10V就能完全导通

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xiayichuyang123 发表于 2024-10-8 11:16 建议看下驱动波形，是否存在导通不彻底情况 之前测试过GS两端电压，2.4A拆掉mos测试电压为12V，2.5A的时候压差为0，此时应该关断但是刚测试完大概也就10几秒，mos就DS就击穿了  

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zdb9 发表于 2024-10-8 11:07 是什么类型的负载？如果是感性负载，应在负载两端增加续流二极管或RC缓冲电路，易吸收断开时产生电磁能量， ... 就是电子负载恒流CC   2.5A的负载

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qwqwqw2088 发表于 2024-10-8 10:52 所选的MOS管能够承受2.5A的持续电流。 28V的电压可能超过了MOS管的最大漏源电压（Vds_max）， 要选择击 ... 我选的是100V的VDS，内阻17mΩ的，试了好几次，每次上电几十秒 MOS 管就冒烟了，DS就短路了，麻烦问一下这种是什么情况

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beyond_笑谈 发表于 2024-10-8 10:40 MOSFET失效后的主要现象就是DS短路，根据描述应该是热击穿了，MOSFET加强散热。   电路图这样，MOS管选的WSD86P10DN56，参数如下  

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beyond_笑谈 发表于 2024-10-8 10:40 MOSFET失效后的主要现象就是DS短路，根据描述应该是热击穿了，MOSFET加强散热。 击穿的时候检测了MOS管温度，大概40多度  

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用P型MOS管的时候上电加负载DS两端短路是什么情况，电压加到28V，负载2.5A，用在过流保护电路中，过流后关断，但是老是烧MOS管

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qwqwqw2088 发表于 2024-8-9 15:45 什么是 ”重新上电可恢复的七专级的芯片？ 就是过流保护后不会自动恢复，芯片等级要军品的  

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还有50V的浪涌