发表了日志： 变电站的瞬态过电压和雷击保护

发表了主题帖： 了解电机绝缘电阻 如何管理电机?

绝缘电阻的重要性 绝缘电阻在保持电机电气系统的完整性方面起着举足轻重的作用。电机内部的绝缘材料，如绕组绝缘层和电缆绝缘层，可防止意外的电气接触和泄漏电流到外壳外部。随着时间的流逝，环境因素、温度波动和运行压力源会降低这种绝缘性能，导致性能下降，在极端情况下，还会导致灾难性故障。 Megger 测试专门设计用于测量绝缘层的电阻，有助于在潜在问题升级之前识别它们。通过评估绝缘电阻，工程师可以深入了解电机的整体健康状况并预测潜在故障。定期兆欧表测试是一种主动方法，可防止意外停机、延长电机寿命并提高整体系统可靠性。 手持式 Meggers 便携式、用户友好的手持式兆欧表适用于常规绝缘电阻测试。它们通常用于移动性至关重要的现场应用。即使在今天，这些仪器通常也包括曲柄手柄和模拟显示器，无需电池。 电动 Meggers 电动兆欧表还配备了自动电压调节和数据记录等附加功能。这些仪器适用于更全面的测试，通常用于实验室或车间环境。 数字兆欧表 数字兆欧表提供的读数，并且通常配备数据存储、蓝牙连接和可编程测试序列等功能。它们是深入绝缘电阻分析的理想选择。 高压管理器 对于高压应用，采用专用的高压兆欧表。这些仪器可以产生几千伏的测试电压，使其适用于测试大型电机和高压系统。 如何管理电机 Megger 测试涉及向电机绝缘系统施加高压直流电位并测量由此产生的电流。该测试提供了绝缘电阻的可量化测量，通常以数百兆欧甚至千兆欧姆表示。 标准万用表不适合此应用，因为电池施加的电压将无法提供甚至可以在标准欧姆表的工作范围内测量的电流（通常只能达到几十兆欧）。 要对电机进行兆欧表测试，请按照以下常规步骤操作： 准备电机：在开始测试之前，请确保电机已断电并正确隔离。断开电机与电源的连接并释放任何存储的电能（许多 1 相交流电机都有一个启动电容器）。断开或电机起动器可以很容易地断开电源。 选择 Megger 仪器：根据电机的额定电压选择合适的兆欧表仪器。Meggers 有各种电压范围可供选择，选择正确的电压对于获得准确的结果至关重要。 连接 Megger：将兆欧表的引线连接到电机输入端子。正极引线连接到电机的绕组，而负极引线连接到电机的框架或接地。这种配置允许兆欧表测量从绕组到地面的绝缘电阻。图 3 和图 4 分别以图表方式演示了交流和直流电机的兆欧表测试的正确布局。         将兆欧表连接到三相交流电机 图3.交流电机和相关起动设备的典型兆欧表测试布局。图片由控制自动化工程团队提供 将兆欧表连接到直流电机         图4.直流电机的典型兆欧表测试布局。图片由控制自动化工程团队提供 施加测试电压：将兆欧表设置为所需的测试电压，通常在 500 至 5000 伏之间，具体取决于电机的规格。施加测试电压tage 并留出足够的时间让读数稳定。 记录和分析结果：记录兆欧表上显示的绝缘电阻值。电阻值越高表示绝缘完整性越好。将获得的值与电机的规格或行业标准进行比较，以评估绝缘状况。 解释结果：在电机运行条件下分析结果。绝缘电阻的显着降低可能表明湿气进入、污染或绝缘故障。根据调查结果，可能需要进一步调查或采取纠正措施。 Megger测试的应用 虽然兆欧表测试对于正确的电机维护至关重要，但兆欧表测试是一种通用的诊断技术，适用于各个行业。其他一些应用包括： 变压器测试 变压器是配电过程中的关键步骤。Megger 测试用于评估变压器绕组的绝缘电阻，确保其可靠和安全运行。 电缆测试 Megger测试用于评估电力电缆的绝缘完整性。这在电缆故障可能导致重大中断和安全隐患的行业中尤为重要。 开关设备测试 开关设备控制电力流量，定期进行兆欧表测试，以确保其组件的绝缘电阻，防止电气故障并确保操作人员安全。 发电机测试 无论是用于发电厂还是备用系统的发电机，都要经过兆欧表测试，以验证其绕组的绝缘电阻并检测潜在故障。 控制面板测试 在控制面板和配电板上进行Megger测试，以确保电路的绝缘电阻，促进控制系统的安全性和可靠性。 对电机的 Megger 意味着什么 绝缘电阻测试，通常称为兆欧表测试，是保持电动机和相关电气系统的可靠性和性能的一个基本方面。通过定期评估绝缘完整性，工程师可以在潜在问题升级之前发现它们，从而防止代价高昂的停机和设备故障。 电机的移动过程涉及施加高压直流电位并测量由此产生的电流。随着从手持设备到高压兆欧表等专用兆欧表仪器的使用，这种诊断技术变得容易获得且高效。 Megger 测试适用于不同行业，从电机和变压器测试到电缆和开关设备评估。其主动性允许预防性维护，有助于电气系统的整体可靠性。

发表了日志： 高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图

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随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 （HAR） 刻蚀和极紫外 （EUV） 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。 增加3D NAND闪存存储容量的一种方法是堆栈加层，但堆栈高度的增加会带来更大的挑战。虽然这些挑战中很明显的是结构稳定性问题，但层数的增加意味着需要使用更深的通道来触及每个字线、以及更窄的狭缝沟槽以隔离连接到位线的通道（图1）。         图1：随着3D NAND堆栈超过128层，堆栈高度接近7微米，并将所需的通道孔和狭缝转变为高深宽比 （HAR） 特征，刻蚀的挑战越来越大。 高深宽比刻蚀的挑战 在硬掩膜沉积和开口形成以便刻蚀垂直通道之前，沉积交替的氧化物和氮化物薄膜层就是3D NAND生产工艺的开始，高深宽比刻蚀挑战也从这里开始。 随着行业向128层及更多层数发展，堆栈深度接近7微米，硬掩膜的厚度约为2-3微米，通道孔的深宽比正在接近90到100。 在此之后，应对在大量层中形成狭缝的挑战之前，会创建图1所示的“梯式”结构。沉积一层硬掩膜，将开口图形化并进行单步刻蚀以在所有的层形成狭缝。很后，必须去除氮化物层并创建钨字线。 为了使高深宽比结构的反应离子刻蚀 （RIE） 起作用，离子和中性反应物之间必须有协同作用。然而由于多种机制的阻碍，处理高深宽比结构时，很容易失去这种协同作用。         图2：离子和中性反应物被遮蔽，深宽比相关传导以及离子角分布是导致关键尺寸变化、刻蚀不完全、弯曲和扭曲等缺陷的重要因素。 首先，高压会导致等离子鞘层中的离子散射，并分散通常非等向性的离子能量或角分布。因此，离子会错过孔或以更大的角度入射，撞到特征的顶部或侧壁。这种离子“遮蔽”使离子-中性反应物通量比率偏离协同作用（图2）。 如果将离子推下高深宽比特征，离子能量可能会增加，但这会增加掩膜消耗，反过来又需要更厚的掩膜或硬掩膜材料的创新。 除了这一挑战，还有离子撞击侧壁并导致通道某些部位关键尺寸 （CD） 大于所需的问题。当这种“弯曲”（图2）变得太大时，可能会导致两个孔接在一起。 但还有一个更大的问题——沿孔“扭曲”，这是由于射频等离子体系统中高阶谐波变形的充电效应导致了离子角分布的轻微变化。 高深宽比刻蚀问题的解决方案 仔细观察等离子体系统，尤其是射频子系统，就会发现一个解决方案。事实证明，降低频率，使得通过高压鞘层加速的离子传输时间接近半周期，就能很大化给定射频功率的离子能量峰值。频率降低和离子能量峰值提升导致离子的角分布减小，使它们更有可能到达高深宽比特征的底部（图3）。         图3：降低等离子体频率会减小离子的角分布，增加它们到达高深宽比特征底部的可能性。 因此，硬件设计专注向更低频率、更高功率和更低占空比发展。 尽管改变了硬件设计，但在128层或更多层数的常用氧化物/氮化物 （ONON） 刻蚀6.9微米深的通道孔仍然非常困难。 因此，泛林正在测试一种不同的方法来实现所需的刻蚀深度，即先通过设定（例如5微米）刻蚀通道孔，然后在侧壁上沉积保护性衬垫，以避免过度的横向刻蚀。在随后的步骤中，通道孔一直刻蚀到6.9微米。 添加衬垫以在不增加整个结构的关键尺寸的情况下进行额外的1微米刻蚀。虽然这个过程仍然需要诸多优化，但该测试展示了一条很有前途的、刻蚀更小更深孔的途径。 图形化面临的挑战和协同优化 逻辑和存储的图形化可能是芯片制造商削减成本和优化性能的重中之重。现在，这一切都关乎以很小的变化缩小到更小的结构。这种变化可以通过边缘定位误差 （EPE） 来衡量。 例如，对准孔面临几个变量的挑战，例如线边缘粗糙度、扫描仪套准jing度误差以及关键尺寸变化，包括由EUV曝光随机误差引起的局部关键尺寸变化。器件设计通常受限于变化的极值，而不是平均值。比如，管理这些变化以适应很坏的情况可能占用逻辑后端高达50%的区域，并大幅增加制造成本。 控制变化的一种方法是通过工艺间协同优化，这通常意味着在刻蚀期间补偿光刻误差。为了协同优化起作用，刻蚀设备必须具有合适的可调性，以更好地控制跨晶圆以及晶圆到晶圆的刻蚀行为。 因为晶圆总会遇到不同的等离子体条件和气体分布，创造受控的温度变化反过来可以使工艺具备可调性，并有助于补偿腔室内和来自光刻机的变化。 控制温度从而控制刻蚀速率的一种方法是在卡盘和晶圆上创建可调温度区。十多年来，卡盘已从21世纪初期的单区设备演变为双区设备，然后是径向多区。很近，泛林的Hydra? Uniformity System中又演变到了非径向多区。 简化多重图形化 主要用于DRAM和PCRAM、有时用于3D NAND的多重图形化还面临着关键尺寸变化的挑战。图形化方案增加了工艺步骤的数量，而这种增加意味着更多的变化来源。 在自对准四重图形技术 （SAQP） 中，光刻、沉积和刻蚀的变化可能导致三种不同的关键尺寸。例如，在侧墙刻蚀时，可能会挖入底层。这种变化导致“间距偏差”，这已成为多重图形化的重大挑战。 如果刻蚀后可以将侧墙制成正方形，则可以克服这一挑战，泛林已经通过创造性地使用新型金属氧化物材料实现这一成果，无需深挖就可以将SAQP流程从八层简化为五层。 EUV曝光随机性的问题 EUV光刻预计很快就将成为逻辑和DRAM的主流，因此也需要仔细考虑由此工艺引起的变化。EUV光刻使用了高能量光子，并且该工艺容易受到随机变化的影响。 对于孔，随机行为会导致局部关键尺寸变化。在线和空间的情况下，线边缘粗糙度 （LER） 和线宽粗糙度等缺陷带来的影响是显著的。 例如，随机性限制通孔良率，并随通孔关键尺寸缩放不良。在小通孔关键尺寸处，即使是250W的扫描仪功率也可能不够，因此需要材料的创新以及后处理，以控制随着功率增加带来的EUV成本上升。 多年来，泛林在原子层刻蚀 （ALE） 方面的工作证明了该工艺能够克服这一挑战。原子层刻蚀包括表面改性继而刻蚀的自限性步骤。当多次重复这一循环时，原子层刻蚀可以将特征的高频粗糙度变得平整。 泛林及其合作伙伴在测试中测量了这种效应，EUV通孔局部关键尺寸均匀性 （LCDU） 因此提升了56%，从超过3纳米变为1.3纳米，对于某些芯片制造商来说可能还会降低到1纳米。 局部关键尺寸均匀性的改善在上游有重要影响：由于泛林的刻蚀和沉积工艺可以减少随机性引起的变化，因此EUV扫描仪可以使用更低的能量，这种光刻-刻蚀技术的协同优化可以将EUV成本降低两倍。 建立实现路线图的信心 现在，泛林已经为高深宽比结构以及原子层工艺开发了模块级解决方案，以处理存储器路线图中的边缘定位误差。不过，为了沿着路线图自信地前进，设备供应商、材料供应商和芯片制造商在工艺开发的早期阶段必须共同努力，以经济且高效的方式满足存储器路线图的所有要求。

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高压双向触发器件SIDAC的特点及其应用 1特性 在电子镇流器中广泛采用的双向触发器件是DB3，其触发开通电压在30V左右，触发电流较小(mA级)，导通后的残余电压在20V左右，这些特点决定了只能用于小电流的触发电路中。这里介绍一种大电流的高压双向触发器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current)，它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容量，可提供较大的开启电流。         2 SIDAC的基本工作原理 SIDAC是基于晶闸管原理和结构的一种两端负阻器件。由于被触发导通时两端的压降只有1.5V左右，因此这种器件的工作状态类似一个开关，故SIDAC又称为双向触发开关。SIDAC的伏安特性见图1。一旦加在SIDAC两端的电压超过其击穿电压UBO，便会通过一个负阻区立刻转为导通状态。低的导通压降使其具有非常低的功率损耗，可在瞬间提供很大的电流。只有当流过SIDAC的电流中断，或者低于其维持电流IH时，SIDAC才会自动由导通状态转到截止状态。             图1SIDAC的伏安特性曲线 图中UBO-转折电压IBO-转折电流UDRM-断态重复峰值电压IDRM-断态重复峰值电流IH-维持电流US-开通电压IS-开通电流UT-通态电压 SIDAC的电路符号，见图2。       图2SIDAC电路符号 3 SIDAC的特点 (1)SIDAC的触发电压高，范围宽，目前可做到90V～330V。         (2)SIDAC具有负阻特性，通态电压UT非常低，只有1.5V左右，所以瞬间能通过较大的电流。         (3)SIDAC是一种无极性的双向触发器件，一个周期浪涌电流ITSM可达20A，通过电感使已充满了电的电容放电，产生高能量的高压脉冲。         (4)SIDAC一旦导通便处于自锁状态，只有流过其本身的电流中断或小于维持电流IH时，才会关断。         (5)响应速度快(ns级)。 (6)封装形式灵活多样。可采用DO-41，DO-201AD，TO-92，TO-220塑料树脂封装。既可单芯片封装，也可多芯片封装在一起。         (7)采用玻璃钝化工艺，耐高温特性好，可靠性高。         4典型应用 SIDAC的应用十分广泛。目前已大量用于高能量的起辉(点火)电路、高压发生器、过压保护、振荡器、代替晶闸管电路等方面。         (1)高压发生器电路，见图3。该电路可用于空调、电冰箱，作为电子杀菌、除臭用。         (2)低电压输入的电子起辉电路，见图4。         图3高压发生器电路         图4电子起辉电路 (3)高压卤素灯起辉电路，见图5。 (4)晶闸管替代电路，见图6。 (5)张弛振荡器电路，见图7。限流电阻R的选取：                 图5卤素灯起辉电路         图6晶闸管替代电路         (a)电路         (b)波形 图7张弛振荡电路 Rmax≤(Ui-UBO)/IBO Rmin≥(Ui-UTM)/IH(min)         (6)晶体管保护电路，见图8。当用一个晶体管来断开一个感性负载时，C-E结会出现瞬时过压现象，SIDAC可用来保护晶体管的安全。                 (a)电路         (b)波形 图8晶体管保护电路 注：(1)调整输入脉冲宽度tW，使IC=0.63A

发表了主题帖： 满足大功率系统不断增长的故障检测需求

故障检测通过电流、电压和温度测量来诊断系统内的任何交流电源线波动、机械或电气过载。在检测到故障事件后，主机微控制器 (MCU) 会执行保护动作，例如关闭或修改功率晶体管的开关特性或使断路器跳闸。 为了提高效率并减小系统尺寸，设计人员正从绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 改用宽带隙碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 开关晶体管，从而实现更快的开关速度 (>100kHz) 和更短的耐受时间 (<5?s)。 要保护功率开关晶体管免受故障条件的影响，首先要使用基于分流器或基于霍尔效应的解决方案来检测过流情况。虽然基于霍尔效应的解决方案支持单模块方法，但它们的测量jing度很低，尤其在温度升高的情况下。在基于分流器或基于霍尔效应的解决方案之间进行选择时，要考虑隔离规格和初级导体电阻等其他因素。虽然两种解决方案中的初级导体电阻可能会产生相同的散热量，但是，随着分流器技术的改进，分流器现在的电阻要小得多，从而能够更大限度地减少散热，并在整个温度和寿命范围内提供非常高的jing度。 我们来看看几种基于分流器的故障检测方法： 使用隔离式放大器 图1显示了基于分流器的过流检测解决方案，它有一个隔离式放大器和一个非隔离式比较器。如有必要，您可以使用同样的隔离式放大器进行反馈控制。MCU接收比较器的输出并发送信号，从而控制栅极驱动器的使能引脚或改变进入栅极驱动器输入的脉宽调制周期。         图 1：使用隔离式放大器和非隔离式比较器进行故障检测 使用隔离式放大器、基于分流器的方法为故障检测和反馈控制提供了高测量jing度，其中的隔离式放大器可提供基本隔离或增强隔离。 然而，隔离式放大器的传播延迟为 2s - 3s。根据过流检测的延迟要求，基于隔离式放大器的方法可能不够快。 使用隔离式调制器 如图2所示，可以使用隔离式调制器同时进行过流检测和反馈控制。隔离式调制器的隔离式数据输出 (DOUT) 以显著更高的频率提供由1和0组成的数字比特流。该比特流输出的时间平均值与模拟输入电压成正比，MCU内的数字滤波器重建测量信号。MCU可以使用相同的比特流输出并行运行多个数字滤波器，其中一个数字滤波器配置用于高jing度反馈控制，另一个数字滤波器配置用于低延迟过流检测。         图 2：使用隔离式调制器进行故障检测 与隔离式放大器相比，采用隔离式调制器的基于分流器的方法为故障检测和反馈控制提供了更高测量jing度。在zui坏情况下，过流检测的传播延迟可低至1s。 使用标准比较器和数字隔离器 图3显示了一个标准非隔离式比较器，后跟用于过流检测的数字隔离器，以及用于反馈控制的隔离式放大器或调制器。在zui坏情况下，过流检测的传播延迟可低于1?s，具体取决于所选的比较器和数字隔离器。但是，分立式实施会占用更多印刷电路板 (PCB) 空间，并且对于需要更高jing度的设计来说可能会变得昂贵。 图3：使用标准比较器和数字隔离器进行故障检测 使用隔离式比较器 图4所示的隔离式比较器通过集成标准比较器和数字隔离器的功能，提供了一种小巧且超快的过流检测方法。您可以使用隔离式放大器或隔离式调制器进行反馈控制。

发表了主题帖： 电源设计：同步整流带来的不仅仅是高效率

您是否曾经应要求设计过一种轻负载状态下具有良好负载瞬态响应的电源呢？如果是，并且您还允许电源非连续，那么您可能会发现控制环路的增益在轻负载状态下急剧下降。这会导致较差的瞬态响应，并且需要大量的输出滤波电容器。一种更简单的方法是让电源在所有负载状态下都为连续。 是一个简单的同步降压转换器，用于演示输出电感中连续和非连续电流的负载瞬态响应。在低至空载的负载状态下，输出电感电流都一直保持连续，因为同步整流器允许电感电流在轻负载状态下反向流动。只需用一个二极管替换底部FET （Q2），电路便可转为非连续。尽管本文介绍的是降压拓扑结构的区别，但您会注意到所有电源拓扑都有类似的响应。         图2 同步运行（左）具有zui佳瞬态响应 非连续运行期间，瞬态响应较差的原因是环路特性急剧变化，如图3所示。左边的曲线显示了连续运行期间的环路增益。控制环路具有50kHz的带宽，相补角为60度。右边的曲线为功率级转为非连续时的响应情况。功率级从连续运行期间的一对复极，变为非连续运行期间的一个单低频实极点。该极点的频率由输出电容器和负载电阻器决定。相比连续情况，您可以看到低频率下低频极点引起的相移过程。低频率下，增益急剧下降，原因是极点导致更低的交叉频率，从而降低了瞬态响应。 总之，同步整流可提高效率，同时也能够极大地帮助瞬态负载调节。它为电源预加载提供了一种高效的方法。另外，相比摆动电感，它还拥有更加稳定的控制环路特性。它提高了传统降压转换器，以及所有其他能够使用同步整流的拓扑结构的动态性。

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发表了主题帖： 简单的电路指示锂离子电池的健康状况

锂离子电池对不良处理很敏感。当我们将电池充电至低于制造商定义的裕量时，可能会发生火灾、爆炸和其他危险情况。 锂离子电池在正常使用的过程中，其内部进行电能与化学能相互转化的化学正反应。但在某些条件下，如对其过充电、过放电或过电流工作时，就很容易会导致电池内部发生化学副反应;该副反应加剧后，会严重影响电池的性能与使用寿命，并可能产生大量的气体，使电池内部的压力迅速增大后爆炸起火而导致安全问题。 锂离子电池产品经过30年的产业化发展，安全技术取得了长足的进步，有效地控制了电池内副反应的发生，保证了电池的安全性。但是，随着锂离子电池的使用越来越广泛，能量密度越来越高，近年来还是屡屡发生爆炸伤人或因安全隐患召回产品等事件。 锂离子电池电芯所用的材料包括：正极活性物质、负极活性物质、隔膜、电解质和外壳等，材料的选用和所组成体系的匹配决定着电芯的安全性能。在选用正、负极活性材料和隔膜材料时，厂家没有对原材料特性和匹配性进行一定的考核，造成了电芯安全性的先天不足。 电芯原材料检测不严，生产环境差，导致生产中混入杂质，不仅对电池的容量有较大的不利，对电池的安全性也有很大的影响;另外，电解液中如果混入了过多的水分， 可能就会发生副反应而增大电池内压，对安全造成影响;由于生产工艺水平的限制， 在电芯的生产过程中，产品无法达到良好的一致性，比如电极基体平整度差、电极活性材料出现脱落、活性材料中混入其它杂质、极耳焊接不牢、焊接温度不稳定、极片边缘有毛刺以及关键部 位无使用绝缘胶带等问题，都可能会对电芯的安全 性带来不利的影响。 现代电池充电器可以管理危险情况并在发生非法情况时拒绝操作。然而，这一事实并不意味着所有CELL都是坏的。在大多数情况下，我们可以更换电量耗尽的电池并延长设备的使用寿命。图 1显示了用于测试电池组的电路。         图 1 LED 根据其电压指示电池的健康状况。 当电源电压低于 2.6V 时，没有电流驱动晶体管的基极。LED 1 亮起，LED 2 熄灭。当电压超过 2.6V 时，晶体管开始短路 LED 1，将其关闭并点亮 LED 2。 这种情况表明电池低于允许的充电限制。 电压裕度很大程度上取决于所选 LED 的类型或颜色。标准红色 LED 的正向电压为 1.7V;一个绿色 LED，大约 2.1 或 2.2V。本设计中的电路使用红色 LED，其正向电压约为 1.6V，电流为 2 mA。其他 LED 可能需要进行简单的重新设计，主要是需要使用肖特基二极管而不是该电路中的 1N4148。即使是具有 3V 或更高正向电压的白色或蓝色 LED 也适用于某些应用。 低阻值电阻会增加 LED 的亮度，但也会增加电源电流。表 1显示了该指示器如何提供三种操作状态。虽然这个简单的设备消耗的电流很小，但如果我们将该设备用作显示器，尤其是在存放时，我们不能期望电池寿命很长。虽然充满电的 32-Ahr 电池将在大约一年后失效，但相同尺寸但略高于允许充电余量的空电池将在一两天后失效。         我们可以在一个测试模块中构建一系列指标。通过连接到包装的测量/平衡端口，我们可以通过一个视图轻松检查整个包装。将齐纳二极管串联到 LED 也使该电路成为更高电压电平的简单指示器。

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发表了主题帖： 有极性电容器的引脚极性怎么判别？

  由于有极性电容器有正、负之分，在电路中又不能乱接，所以在使用有极性电容器前需要先判别出正、负极。有极性电容器的正、负极判别方法如图2—9～图2—11所示。 方法一：对于未使用过的新电容，可以根据引脚长短来判别。引脚长的为正极，引脚短的为负极，如图2—9所示。   方法二：根据电容器上标注的极性判别。电容器上标“+”的引脚为正极，标“—”的引脚为负极，如图2—10所示。 方法三：用万用表判别。万用表拨到R×10k挡，测量电容器两极之间的阻值，正、反各测，每次测量时表针都会先向右摆动，然后慢慢往左返回，待表针稳100 F 定不移动后再观察阻值大小，两次测量会出现阻值一大一 小，如图2—11所示，以阻值大的那次为准，如图2—11（b）所示，黑表笔接的为正极，红表笔接的为负极。  

发表了主题帖： 交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等功能，3W 3KVAC隔离 宽...

P03AL系列产品具有交直流两用、输入电压范围宽、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。广泛适用于工控和电力仪器仪表、智能家居等对体积要求苛刻、并对EMC 要求不高的场合，如果需要应用于电磁兼容恶劣的环境下必须添加EMC 外围电路。     产品特性：         输入，输出和一般特性 ：      

发表了主题帖： MOS产品在光伏逆变器上的应用选型分析与简介

2023年全球光伏装机量表现优异，根据BloombergNEF统计数据，2023年全球光伏新增装机量444GW，同比增长76.2%，其中约一半新增装机量来自中国。 中国光伏新技术迭代不断，产业链降本增效加速。根据CPIA数据，2022年国内光伏新增装机达到87.41GW，实现了59.3%的同比增速，2023年表现更加亮眼，增速进一步扩大到148.1%，光伏新增装机量实现了216.88GW的新高。考虑到国内在光伏领域的技术领先与工艺迭代带来性价比的不断提升，未来光伏新增装机量有望保持在较高水平。         1、光伏逆变器简介 光伏逆变器是光伏发电系统的控制中枢，能够将组件产生的直流电转为交流电以实现并网或负载使用。光伏逆变器主要由功率转换模块、微机控制模块、EMI模块、保护电路、监测模块、人机交互模块等组成，其发展依赖于电子电路技术、半导体器件技术及现代控制技术的发展。光伏组件所发的电全部都要通过逆变器处理后才能对外输出，因此，逆变器属于光伏发电系统的核心BOS设备。逆变器根据技术路线的不同主要分为集中式逆变器、组串式逆变器、微型逆变器等。目前，市场主要以集中式逆变器和组串式逆变器为主。             2、行业厂家及行业特点 行业厂家： 国内主要行业厂家有阳光电源、华为、古瑞瓦特、锦浪、固德威、昱能科技、禾迈、上能电气等诸多优秀企业。 行业特点： 中国是光伏逆变器主要产地，中国企业光伏逆变器出货量在全球占比较高。 中国光伏逆变器行业原材料中核心元器件国产化仍有提升空间。 中国光伏逆变器行业的技术发展趋势为向产品智能化与数字化，组串式替代集中式，市场发展趋势为国产替代海外。 中国光伏逆变器行业的发展受装机市场的新增需求与存量替换需求驱动。 3、典型拓扑结构           MPPT电路DC-DC应用中MOS的开关频率高达几百KHz，对MOS的动态参数要求较高。SGT管的低Ciss、Crss，低内阻的特性非常适合高频应用。封装TO-220/TO-247插件封装为主。 整流电路应用SiC SBD高耐压、小尺寸、无反向恢复电流，可显著提升效率，满足高效率和高功率密度的性能要求 MOS在逆变器应用主要为前级升压和后级逆变两部分。前级升压将电池电压升至高压，后级逆变将高压逆变成交流电。MOS选型一般为电池电压的三倍以上，封装TO-220/TO-247。后级逆变常用拓扑结构为全桥逆变，一般选用650~1200V 高压MOS，封装TO-220/TO-247插件封装为主。   4、MOSFET选型推荐 产品选型如下：      

发表了主题帖： 应用方案 ｜ D358 高增益运算放大器，可应用于音频放大器、工业控制等产品中

一、概述 D358 由两个独立的高增益运算放大器组成。可以是单电源工作，也可以是双电源工作，电源低功耗电流与电源电压大小无关。 应用范围包括音频放大器、工业控制、DC 增益部件和所有常规运算放大电路。 D358 采用 DIP8、SOP8、MSOP8 和 TSSOP8 的封装形式。     二、电参数，测试结果       三、D358用在充电器12V/1A转灯上 1、原理图：     2、在整机上进行测试、结果如下：          

发表了主题帖： 应用方案 | D1675单通道 6 阶高清视频滤波驱动电路，可减小寄生电容和噪声。

1、概述： D1675单电源工作电压为+2.5V到+5V，是一款高清视频信号译码、编码的滤波器和缓冲器。与使用分立元件的传统设计相比，D1675更能节省PCB 板面积，并降低成本以及提高视频信号性能。D1675集成了一个直流耦合输入缓冲器、一个消除带外噪声的视频编码器和一个增益为+6dB可驱动75Ω负载的运放驱动。交流或直流耦合输入缓冲器消除同步挤压、弯曲和场倾斜。D1675的输出也可以是直流耦合或交流耦合。 2、典型应用线图如下： A)、线路如下：     B）、测试波形如下（电源VCC=3.3V，1MHz视频输入）：     3、实际应用（电源旁路和PCB板） 适当的电源旁路在设计中对优化视频性能是很重要的，D1675使用一个0.1μF和一个10μF电容来旁路电源引脚，这两个电容应尽可能地靠近D1675的电源引脚；为确保最佳的性能，PCB地线尽可能宽；输入端和输出端电阻应尽可能接近D1675相关引脚，以避免性能退化；在输出端PCB走线有75Ω电阻，与电缆75Ω阻抗相匹配；在PCB设计中，尽量使D1675输入和输出走线最短，这样可减小寄生电容和噪声。

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一、应用领域 工控主板、安卓主板、TV板卡、智能三表（电表、水表、气表）、便携式仪器仪表等需要计时或有日历要求的产品。   二、基本特性 D8563和D1302是芯谷科技推出的RTC实时时钟芯片，具有功耗低、走时精准、外围简单等特点，二者基本特性如下： D8563 基本特性1、宽电压1.0V⁓5.5V工作；2、低功耗：典型值250nA （VDD=3.0V，Tamb=25℃）；3、400kHz I2C总线速率（VDD=1.8⁓5.5V），地址读0A3H，写0A2H；4、可编程时钟输出：32.768KHz/1024Hz/32Hz/1Hz5、四种报警功能和定时器功能；6、封装：SOP8/MSOP8/TSSOP8 D1302 基本特性   1、宽电压2.0V⁓5.5V工作；2、低功耗小于300nA（VDD=2.0V，Tamb=25℃）；3、串行3线I/O口通讯；4、单地址或连续地址读写模式；5、内置31字节非易失性RAM用于数据存储；6、实时计数秒、分、时、日、月和年（至2100年）；7、封装：SOP8。   三、引脚信息                   四、参考设计 1、D8563参考设计：     2、D1302参考设计：    

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1、 概述： D34118免提语音通话电路包含了必要的放大器、衰减器、背景噪声检测和控制算法形成高品质的免提通话系统。它包括一个麦克风可调增益放大器、静音控制、发射和接收衰减器，还包括两个线路驱动放大器，可用于形成一个与外部耦合变压器连接的混合网络。一个高通滤波器可用于滤除接收通道中的60Hz噪声，或用于其他滤波功能。D34118可以通过电源供电，也可以从电话线供电，一般需要5.0 mA工作电流。     2、典型应用线图如下： A)、应用线路如下：     B)、动态测试：（Vcc=5V、f=1KHz） 1、当MIC输入幅度为27mVpp时，波形如下图：                     2、当receive的输入为1.42Vpp时，输出波形如下图：         C）、D34118全参数测试数据如下（抽测20只）：