终于有回音了, 多谢 , 这个   大哥 大姐们, 帮帮忙啊

谢谢，非常感谢，看来是我的 三极管工作过程没有理解清楚，找到一个 与大家共享摘录如下： http://www.edacn.net/html/54/4954-1419.html BJT的开关作用对应于触点开关的"断开"和"闭合"。如图4.2.1(a)所示为一个共发射极晶体三极管开关电路。 [点击图片可在新窗口打开] (a)电路         [点击图片可在新窗口打开] (b)工作状态图解 图4.2.1 BJT的开关工作状态     图4.2.1(a)中BJT为NPN型硅管。电阻Rb为基极电阻，电阻Rc为集电极电阻，晶体三极管T的基极b起控制的作用，通过它来控制开关开闭动作，集电极c及发射极e形成开关两个端点，由b极来控制其开闭，c.e两端的电压即为开关电路的输出电压vO。当输入电压vI为高电平时，晶体管导通，相当于开关闭合，所以集电极电压vc≈0，即输出低电平，而集电极电流iC≈VCC/RC。当输入电压vI为低电平时，由图可见，晶体管截止，相当于开关断开，所以得集电极电流iC≈0，而集电极电压vc≈VCC，即输出为高电平。这就是晶体三极管的理想稳态开关特性。     晶体三极管的实际开关特性决定于管子的工作状态。晶体三极管输出特性三个工作区，即截止区、放大区、饱和区,如图4.2.1(b)所示。     如果要使晶体三极管工作于开关的接通状态，就应该使之工作于饱和区；要使晶体三极管工作于开关的断开状态，就应该使之工作于截止区，发射极电流iE=0，这时晶体三极管处于截止状态，相当于开关断开。集电结加有反向电压，集电极电流iC=ICBO，而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时，iB并不是为0，而等于-ICBO。     基极开路时，外加电源电压VCC使集电结反向偏置，发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时，晶体管并未进入截止状态，这时iE=iC =ICEO还是较大的。     晶体管进入截止状态，晶体管基极与发射极之间加反向电压，这时只存在集电极反向饱和电流ICBO，iB =-ICBO，iE=0，为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值，当大于VBO时，发射结处于反向偏置而截止，流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO，这时晶体管进入截止状态iB = -(ICBO+ IEBO)，iC= ICBO。     发射结外加正向电压不断升高，集电极电流不断增加。同时基极电流也增加，随着基极电流iB 的增加基极电位vB升高，而随着集电极电流iC的增加，集电极电位vC却下降。当基极电流iB增大到一定值时，将出现vBE =vCE的情况。这时集电结为零偏，晶体管出现临界饱和。如果进一步增大iB ，iB增大，使得集电结由零偏变为正向偏置，集电结位垒降低，集电区电子也将注入基区，从而使集电极电流iC随基极电流iB的增大而增大的速度减小。这时在基区存储大量多余电子-空穴对，当iB继续增大时，iC基本维持不变，即iB失去对iC的控制作用，或者说这时晶体管的放大能力大大减弱了。这时称晶体管工作于饱和状态。一般地说，在饱和状态时饱和压降VBE(sat)近似等于0.7V，VCE(sat)近似等于0.3V。由图4.2.1(a)可看出，集电极电流iC的增加受外电路的限制。由电路可得出iC的最大值为ICM= VCC/ RC。晶体管进入饱和状态，基极电流增大，集电极电流变化很小，即iC=ICS=(VCC-VBE(sat))/RC晶体管处于临界饱和时的基极电流为IBS=ICS/β=(VCC-VBE(sat))/βRC      结论：晶体三极管工作在饱和区时，其集电结及发射结均处于正向偏置的导通状态。这时集电区和发射区的电子分别越过位垒向基区注入，基区存储了大量多余电子-空穴对而呈饱和状态。

我现在不明白的是7层的问题，就是在分析 TTL 反相器的传输特性的时候， BC段的情况。 “BC段：当vI的值大于B点的值时，由T1的集电极供给T2的基极电流”    主要就是这句 当一个三极管工作时，应该是 IB  IC, 流入电流，IE流出， 不管是那种工作状态，（饱和，截止，线性区） 即便是饱和态下, 只是 IC 不再 随 IB 的增大而 线性放大， 而在分析传输特性曲线时，却 说 T1 的集电极在 B点时会提供电流 （也就是 流出电流 ）给 T2的基极,   这是 问什么 呢 ? [ 本帖最后由 nanr-117 于 2009-7-12 22:34 编辑 ]

多谢  xu_changhua!!  可能是我描述不对，是这样 ， 三、TTL反相器的传输特性　　现在来分析TTL反相器的传输特性。下图为用折线近似的TTL反相器的传输特性曲线。由图可见 ，传输特性由4条线段AB、BC、CD和DE所组成。　　AB段：此时输入电压vI很低，T1的发射结为正向偏置。在稳态情况下，T1饱和致使T2和T3截止，同时T4导通。输出vo＝3.6V为高电平。　　当vI增加直至B点 ，T1的发射结仍维持正向偏置并处于饱和状态。但vB2＝vc1增大导致T2的发射结正向偏置 。当T1仍维持在饱和状态时，vB2的值可表示为 vB2＝vI＋VCES　　为求得B点所对应的vI,可以考虑vB2刚好使T2的发射结正向偏置并开始导电。此时vB2应等于T2、发射结的正向电压VF≈0.6V。但iE2≈0在忽略vRe2。的情况下，于是由上式得：　　BC段：当vI的值大于B点的值时，由T1的集电极供给T2的基极电流，但T1仍保持为饱和状态 ，这就需要使T1的发射结和集电结均为正向偏置。 “BC段：当vI的值大于B点的值时，由T1的集电极供给T2的基极电流”主要就是这句，按理解饱和时，T1的集电极电流Ic和基极电流 Ib的电流流向不都是应该流向IE吗？怎么在BC段时会从 T1的集电极流出电流呢？ [ 本帖最后由 nanr-117 于 2009-7-12 14:15 编辑 ]

忽然想到个问题：当三极管进入饱和状态后，以NPN为例，集电结正向偏置，电流方向应该是从基极流向集电极，但是从晶体管的输出特性曲线看，却是从集电极流向基极，不知道这是为什么？

多谢  多谢