jake93

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    1. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      maychang 发表于 2020-5-9 08:46 在1～2us时间内导通或者关断，意味着在1～2us时间内将MOS管门极输入电容充电或者放电。 我没有查IRF49 ...
      非常感谢！应该是和Qgs放电电流和放电时间有关系，把电阻调成几百欧姆，波形出来了。虽然波形还不是特别好，但优化优化参数应该能解决我的问题。再次感谢
    2. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      maychang 发表于 2020-5-9 08:32 62.5kHz，周期为16us。留给上升沿和下降沿的时间大致上只有1～2us，即MOS管必须在1～2us时间内从关断进入 ...
      看场管资料，td（on），tr，td（off），tf都不到100ns，这个是否意味着场管可以在200ns以内打开或关闭？
    3. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      maychang 发表于 2020-5-9 08:28 充电控制，应该是控制充电电流。要控制充电电流，可以使用PWM控制，实际上就是一个近似可控恒流输出的开 ...
      是通过调节PWM脉宽来实现恒流充电。我把两个电阻同时减小再试试
    4. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      wenyangzeng 发表于 2020-5-8 20:41 R16阻值太大了，与R14的分压不足以拉低MOS管G极为0，MOS管处于放大区，管耗非常大。建议R16阻值为R14的十分 ...
      输入电压30V，Vgs最大能承受-20V，R16的分压不能太小。我今天把两个电阻同时减小试试。
    5. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      chunyang 发表于 2020-5-8 21:03 如果是开关电路，应去掉R16。R14和R16的分压值太高了，楼主到底想实现什么功能？
      输入电压30V，场管Vgs最大能承受-20V，R16不能去。这个电路用于恒流充电控制，这里只截取了一部分图纸
    6. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      chunyang 发表于 2020-5-8 21:05 莫非楼主想用该电路输出正弦波？
      非常抱歉，这里是我写错了，应该是方波，充电芯片输出的控制信号，通过PWM控制场管开关实现恒流充电
    7. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      maychang 发表于 2020-5-8 19:25 “但到了场效应管的栅极，测到的信号成了稳定的电压信号，场效应管处于半导通状态，发热严重” ...
      这个电路用于充电控制，这里只截取了一部分图纸。请问这种现象有什么解决方法吗
    8. PMOS场效应管高频控制出现奇怪问题 27/4545 电源技术 2020-05-09
      maychang 发表于 2020-5-8 19:22 “三极管基极控制端输入5V，62.5KHZ的正弦波信号，在三极管集电极也可以测试到正弦波信号” ...
      非常抱歉，这里是我写错了，应该是方波，62.5K方波用于充电控制，这里只截取了一部分图纸

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