IBIS不能用作PSPICE仿真，两个没有关系的东西

maylove 发表于 2016-1-19 08:40 应该还是有的！

那好的 预定一块

现在还有吗  给我来一块？

天在山之外 发表于 2015-12-16 13:18 什么设计工具呢？

你去看看不就知道了？

可以去TI或者Linear公司去查查看，有现成的设计工具，相当方便

maychang 发表于 2015-12-12 17:43 “高端驱动”是你自己提出来的，“不可取”也是你自己确定的。 依我之见，“高端驱动”是实现你当初提 ...

是吗？有空我再研究研究 我认为不行

maychang 发表于 2015-12-4 09:29 你多找几份资料看，对照着看，看明白了，比网友在帖子里面给你讲一遍要强得多。 更好的方法，是对照电路 ...

高端驱动不可取

dontium 发表于 2015-12-1 17:10 楼主试一下这个电路，这个电路肯定比你的电路性能好，但在1MHz时的边缘还不理想，需要改进。

done 用了一个老式CRT里面的控制芯片

jiangwanli 发表于 2015-10-17 12:09 我先设计一个试试看，估计有点够呛。 anyhow,多谢了

done LT3757

dragongtr 发表于 2015-12-2 20:52 你或许可以先去了解下什么叫“自举”？？？

看不太明白。。。

maychang 发表于 2015-12-2 13:20 把该芯片高端驱动电源如何产生先弄明白。 弄明白“自举”是怎么回事之后，就知道“因为我需要的功能是随 ...

正是因为看不明白 所以才来问问前辈们有没有用过此类芯片的啊。

maychang 发表于 2015-12-2 12:34 很难简单地说行还是不行。 你的电路，是否允许“死区”？L6398具有350ns的死区时间，能否接受？ 你要求上 ...

有同类更优秀的产品，所以值得一试。 但是我想知道如果简单的使用逻辑0来控制低端MOS管打开，逻辑1控制高端MOS管打开，不知道是否可行？ 个人感觉这种结构是不是需要采用PWM控制，占空比不能为0或者满？如果是这样，那就不能使用了。因为我需要的功能是随时的0或者1来控制开关。

dontium 发表于 2015-12-1 17:10 楼主试一下这个电路，这个电路肯定比你的电路性能好，但在1MHz时的边缘还不理想，需要改进。

从仿真结果来看，确实要好些，元件都要耐压值较大的，供货时间比较长。待我试试。

dontium 发表于 2015-12-1 17:04 这是3113的参数： 负载只说了内阻足够大，它的电容呢？也会影响的。 漏极不能用电阻，否则功耗与 ...

负载是个特殊器件，所以电气规格不清楚。内阻足够大的推断是由于接上上图电路时，漏极电压基本不会由于分压二降低。感觉是个很低容值的电容串上一个电阻结构。 漏极如果不接电阻的话，那用什么限流比较好呢？

qwqwqw2088 发表于 2015-12-1 16:02 确定R3是5欧？ MOS管有米勒效应的时候，驱动电压上升很缓慢的，但奇怪的是图中R3才5欧就这样的波形了，驱 ...

R3确定是5欧姆，上升波形变得奇怪是因为500k的限流电阻导致漏极充电速度很慢导致的

本帖最后由 jiangwanli 于 2015-12-1 15:35 编辑

maychang 发表于 2015-12-1 15:21 漏极510千欧的负载，你是要闹什么？ 计算一下510千欧电阻和MOS管漏极对地以及负载对地分布电容的时间常数 ...

我知道问题就是出在漏极限流电阻太大上面，但是也没有很好的解决方案。如果选用小的功率电阻，那么开关瞬间导通产生的巨大电流变化会引起整个系统产生巨大的电磁干扰，根本就没办法用。所以相当头疼啊。请大工多多指导

maychang 发表于 2015-12-1 15:21 漏极510千欧的负载，你是要闹什么？ 计算一下510千欧电阻和MOS管漏极对地以及负载对地分布电容的时间常数 ...

我知道啊，但是如果漏极限流电阻太小，NMOS管导通时其上的功率会太大，直接烧毁。同时一般的0805的电阻可能也只有半瓦的功率，不用这么大的话，200V电压加上去就会出问题。电阻最小减小到100K过，问题依旧。

keysight的示波器用过200M的，感觉界面挺人性化的。视频中的频谱仪也有相同的感受，赞一个

1117:)

maychang 发表于 2015-10-17 12:07 变压器体积，主要由输出功率和工作频率决定。 如果这种方案你的电路板放不下，可能没有体积更小的了。

我先设计一个试试看，估计有点够呛。 anyhow,多谢了:)