LLC电路因是软开关,本身的开关损耗已是很小,电路上的大部分损耗来自于工作 的死区损耗.因为氮化镓FET的结电容很小.从而死区的损耗远小于COOL-MOS /MOSFET. 上升下降速度快且损耗小. 氮化镓产品的优点: A,可以高频化,传统硅在高压下工作频率做不到200K以上.体积下不来,氮化镓可 以做到几M的频率,300K-500K的设计可以使产品小型化. B,体内没有PN结,没有二极管,但有二极管的续流特性,反向续流损耗大大降低. C,氮化镓的结电容远小于COOL-MOS, MOSFET,上升,下降,死区损耗明显降低. D,开关损耗很小,相对MOSFET可忽略.正因开关损耗很小,EMI反好.不用担心高频 化后EMI解决不了事. https://www.dropbox.com/s/fnptsw ... %94%A8%E4%BE%8B.pdf

氮化镓产品的优点: A,可以高频化,传统硅在高压下工作频率做不到200K以上.体积下不来,氮化镓可 以做到几M的频率,300K-500K的设计可以使产品小型化. B,体内没有PN结,没有二极管,但有二极管的续流特性,反向续流损耗大大降低. C,氮化镓的结电容远小于COOL-MOS, MOSFET,上升,下降,死区损耗明显降低. D,开关损耗很小,相对MOSFET可忽略.正因开关损耗很小,EMI反好.不用担心高频 化后EMI解决不了事. 传统无桥PFC受硅材料MOSFET的限制,因为MOSFET/COOL-MOS体内均有一个体内二 极管.这个二极管速度很慢,均在100nS以上.这样用在无桥PFC中加大了续流损耗 及效率. 氮化镓MOS的出现(HEMT)解决了这个问题, 氮化镓MOS是体内无真正的二极管,没 有形成PN结,但有导电层,所以内部没有寄生二极管,但有二极管的续流特性,从 而真正作到0. 采用氮化镓的无桥PFC可以将效率做到99.3%以上. 同时体积会大大降低.