同感啊，我也有这样的困惑啊！

                                 额，是我没仔细看，我的问题是读写映射的SRAM地址错了，与片选脚对应

                                 你写EEPROM的程序贴出来看看 对于带RWW功能的芯片 第一次写EEPROM可以直接写入，然后可以继续去干别的事情。不会影响中断响应。 接下来在写EEPROM前必须判断（是必须。。。）前一次写入是否完成，如果没有完成继续去干别的事情。等下次回来再判断一下前一次写入是否完成，只有在前一次写入已经完成的情况下，才能继续写下一次。否则，MCU一定会被HOLD住，无法响应任何中断，切记，切记。 对于不带RWW功能的芯片必须等一次写完再去干别的事情。

                                 如果HALT之前正确使能过AWU，唤醒后会执行 语句3

看书没用，多看看示波器、万用表、电烙铁、元器件、PCB板。

我觉得你可以修改startup里的汇编指令，比如用ldr代替add,用对操作数没有限制的指令，我的情况和你又有点不一样，我在oemaddtab_cfg.inc里改的是          ;DCD     0x9A000000, 0x30000000, 32      ; 32 MB SROM(SRAM/ROM) BANK 4 改成      DCD     0x9A000000, 0x30000000, 32      ; 32 MB SROM(SRAM/ROM) BANK 4， 按道理这个0x9A000000是可以作为立即数的啊，为什么也报错。

做什么东西?在那里?

或者有没什么浏览器比自带的更快些？

                                 这样一来，性价比确实比51高多了

没明白啊，共同的变量访问最好加临界区。互斥比临界区要慢。

可以考虑以下的一些因素： 1、晶振是否是串口通讯的最佳频率，否则会有误码率。但不会太高，也就是千分之几。不知楼主所说的“丢码或是乱码”的比例有多高 2、关于通讯协议的问题。楼主的通讯协议本身没有校验机制，建议加上来。我在做串口通俗讯协议的时候，大概是这样的(假设收发是固定长度的)：起始字节(1个字节)+时间戳(1~2个字节)+控制命令(1个字节)+控制命令中携带的数据(N个字节)+校验码（1个字节)+结束字节(1个字节) 3、接收方需要有容错机制，也就是如果判断出接收的数据有误，需要如何处理的问题。当然，往往是要求发送方重发。 4、如果串口收发是在中断中进行的，请注意不要在中断中做太多对数据处理的事情。最好仅仅做接收，当一帧的数据接收完毕后再在主循环中做处理。 5、测试环境是否是高磁场、高电场之类的。我曾经在一个有电弧焊的地方调试程序，只要电焊一启动，程序就莫名其妙出现问题。

不知所云

if(0

                                 芯片是STM32F103C6T6，VDD是3.3V靠近引脚处各接一个0.1uF陶瓷电容， VDDA是3.3V经4.7uH电感和4.7uF钽电解＋0.1uF陶瓷电容，CPU芯片部分 接地未分，VSS，VSSA接在一起。

另外一个系统（BSP相近的）启动信息： [HSMMC0] Power Up the HSMMC Host Controller ERROR: Power Handler function yield to low priority thread. [HSMMC0] Card is Removed! HcdPdd_InitiatePowerUp [A_HW] IOControl(IOCTL_POWER_SET) : D4 => D0 [A_HW] IOControl : Turning Codec On Init Audio!!! Backlight SET OK! 是不是HcdPdd_InitiatePowerUp这个地方出了问题？

引用 23 楼 xiaoyur347 的回复: 我用软件仿真试了下，代码没有问题，猜测是你的低电平不是真正的低电平，可能有干扰。

用示波器看看是否干扰

为什么要看那层的打印信息呢？难道怀疑那里面有问题？

学习

引用 1 楼 schlafenhamster 的回复: "我们外扩了个三个flash",要3个吗，一个应该就够了，硬件有问题吧？

同问，三个？

                                 谢谢9楼，问题解决了！ 刚开始调CAN没两天，要向你们多多学习啊！