ESD Protection for Mixed-Voltage IO in Low-Voltage Thin-Oxide CMOS 台湾柯明道ESD专家在2006年ISSCC上的论文。讨论了低混合电压的浅栅氧CMOS的ESD保护,使用的是STNMOS结构,并非现在讨论热烈的GCNMOS和GGNMOS。最高实现6.5kV人体模型。
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On-chip Starter Circuit for Switched-inductor DC–DC Harvester Systems 莫拉的ieee论文,里面提到一个芯片级微功耗nW级待机设计,使用0.6um CMOS工艺
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A Low Voltage,Rail-to-Rail,Class AB CMOS Amplifier With High Drive and Low Output Impedance Characteristics 莫拉的ieee论文,低供电电压轨到轨CMOS放大器的设计。
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莫拉在ieee发表的论文,对于Reference非线性校正的详细描述。基于2um N-well cmos proc
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