司徒温孤

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    1. VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践

      标签：MOS器件 模型

      学习MOS器件的经典书籍，包含MOSFET的阈值电压、DC/ACmodel，短沟效应，参数提取等等。

      下载次数 9次 资源类型 教程及课件 上传时间 2024-10-12

    2. Switched-Capacitor Amplifiers Other Integrated Filters

      标签：EE 435 Lecture 44

      Switched-Capacitor Amplifiers Other Integrated Filters EE 435 Lecture 44

      下载次数 1次 资源类型 学术论文 上传时间 2024-08-25

    3. 一种基于广义时间和传递常数的快速分析法_郑立博

      标签：快速分析法；传递函数；零极点分析

      摘 要： 基于广义时间常数和传递常数法，提出了一种新颖的快速电路分析方法，同时系统总结 归纳了传递函数分子分母所有项的系数及其特征方程的根－零极点的推 导。该 方 法 的 优 势 有：１） 无需复杂计算，可快速分析出系统传递函数及零极点，且精确性有保证；２）分析具备直观性，可指 出电路中限制系统带宽的关键因素，方便进行电路拓扑修改；３）求解精度可依据需求而定。

      下载次数 0次 资源类型 学术论文 上传时间 2024-08-25

    4. 次亚微米CMOS工艺下的ESD防护技术研究

      标签：CMOS工艺 ESD防护

      西电博士学位论文 随着硅基CMOS工艺技术的不断进步,器件的特征尺寸已缩减至纳米阶段,目的是提高芯片的集成度,性能和运算速度,并降低单位芯片的制造成本。但由于新工艺技术的应用及电路性能的提高,使静电放电(静电放电,ESD)防护设计的设计难度加大,使得近几年ESD防护技术的发展变缓。 目前ESD相关方面的研究是以ESD防护的器件级建模为主,这种研究方法忽视了防护结构面积及寄生效应对实际生产的影响,使得理论成果对于芯片生产指导有限。 因此国内主流代工厂生产出的芯片其ESD防护部分仍然以传统的二极管和金属氧化物半导体结构为主,而较小规模的芯片设计厂商不仅其产品的ESD防护设计水平更低,其自身制造水平也以次亚微米工艺为主。

      下载次数 1次 资源类型 学术论文 上传时间 2024-08-23

    5. 深亚微米CMOS工艺下全芯片ESD设计与仿真的研究

      标签：CMOS工艺 ESD设计

      上海大学 博士学位论文 本论文研究目的是从电路设计者的角度研究全芯片保护设计方法。介 绍深微米工艺下常用的保护器件、电路与全芯片保护网络的 基本设计理念。论文以实现全芯片验证与仿真为目标?采用现有的工 具?发展了集成于设计流程的全芯片设计方法。通过器件级仿真?分 析了版图参数和布局对保护器件性能的影响?并通过流片测试验证?给出 了工艺下设计规则。在理解器件保护机制的 基础上?实现了电路级集总模型和用于全芯片仿真的瞬态宏模型。从全芯 片的角度?着重讨论和研究了全芯片验证及考虑全芯片保护的电源引 脚布局方法?并应用于白光驱动芯片与芯片实际保护电路 设计中?证明了上述模型与方法的可行性与有效性。

      下载次数 3次 资源类型 学术论文 上传时间 2024-08-23

    6. 埃隆·马斯克传 [沃尔特·艾萨克森]

      标签：埃隆·马斯克传

      埃隆·马斯克传 传记

      下载次数 9次 资源类型 其它 上传时间 2024-08-22

    7. CMOS PLL Synthesizers Analysis and Design

      标签：PLL

      CMOS PLL Synthesizers Analysis and Design

      下载次数 4次 资源类型 教程及课件 上传时间 2024-08-22

    8. 高频开关变换器的数字控制（英文原版）

      标签：高频开关变换器的数字控制

      高频开关变换器的数字控制 做数字电源的可以一起交流学习

      下载次数 5次 资源类型 其它 上传时间 2024-08-21

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