FRAM开始流片了啊，真不简单，虽然比起传统FLash，FRAM还有很长的路要走，速度限制是瓶颈，但是，如此优秀的特性必将吸引跟更人来研究铁电材料，希望不久的将来，铁电可以替代现有的存储器。
我申请的是MB85RC128，使用MSP430 launchpad 进行操作，控制芯片是msp430f2013，使用硬件USI进行了FRAM芯片读写。datasheet标注I2C总线频率不超过400k，于是使用了120k左右的频率，效果与普通eeprom没什么太大差别。
铁电的优势在于功耗低、数据可靠，希望在不久的将来能出现高速铁电设备从而替代现有半导体存储设备，降低大规模功耗。
中国企业应该多向富士通这样的企业学习，学习半导体经验，学习市场运作经验。
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