集成电路的驱动问题（综合）

1、问：为什么说驱动能力不够是因为提供电流太小而不是电压？和分析驱动能力不够？

   答：首先我们看到的驱动能力不够大部分是在你选择的负载（电阻、喇叭等）电压符合供电电压的。那么电压符合了只有看电流大小是否足够。是电压还是电流引起驱动能力不够，给你个判断方法，将后级电流开路测试电压是否符合负载电压。1符合但接上负载后电压就会降低这个就是电流驱动能力不够。如果电压不够则是驱动电压不够。

2、什么情况下要考虑启动能力驱动能力？

   任何情况都要考虑包括数字信号处理的接口电路里。但是长说的驱动能力都是在功率驱动的情况下用的比较多。

3、怎么知道在集成电路里和平常IC驱动能力是否足够？和提高驱动能力的办法

   在IC的资料里都有说明I/O口的驱动能力，根据你的负载所需要的驱动能力来判断这个I/C的I/O口是否符合如果不符合可以用三极管或者MOS管子放大提高驱动能力。

4、举例子：用一个IC驱动1个LED。IC输出电压5V，输出电流20mA。用来驱动一个白色LED。LED是20MA3.3V的。

   那么5-3.3=1.7V  20MA时 1.7/20MA=85R。这样我们可以在LED上串接一个电阻85R的正接I/O负对地就可以了。   现在该为驱动300MA的3.3V的1WLED。I/O驱动能力就不够了需要提高驱动能力。分析输出5V输出20MA用三极管8050放大为200倍三极管集电极电流要在300MA计算得：300MA/200MA=1.5MA基极电流为1.5MA为了使三极管深度饱和选用10倍饱和电流。1.5*10=15MA  5V/15MA=333R则选用330R的电阻加到三极管基极和I/O口上发射极对地集电极接LED-  LED+接电阻（5-3.3=1.7/0.33=5.1R）5.1R/1W。接+5V就可以了。

5、时常听到别人说反相器、三态门（或者缓冲器）可以提高电流的驱动能力，我对此很疑惑，找到一个网友的解释：

驱动能力一般用“扇出”表示，意思就是单个逻辑门能够驱动（后面级联）的数字信号输入的最大个数。例如一个CMOS反相器（后面简称inv）的输出端最多能给其他5个逻辑门提供输入而没有失真，那么它的扇出就是5.而并不是像1楼说的那样“一个”inv的扇出大。就是说扇出大小和具体“哪个”门是没有关系的。
驱动能力的大小是和那个逻辑门（如反相器--是结构最简单的门）的尺寸相关的，尺寸就是NMOS和PMOS的宽长比(W/L)。如果两个inv，按照对称设计PMOS和NMOS 的宽长比之比为2：1，那么一个inv的NMOS的（W/L）为1，另一个（W/L）为5，则后者的驱动能力就是前者的5倍。因此，并不是像你问的那样，为什么inv可以增大驱动能力。只能说，大尺寸的inv有大的驱动能力，小尺寸的inv的驱动能力依然不行。其实所有其他逻辑门都是可以通过增加尺寸而提升驱动能力的，只不过inv结构最为简单，而且两个inv级联即可恢复原信号，所以才经常使用inv来增大驱动能力。 三态门可以看做是一个复杂一些的反相器电路，因此照上面的说法，可知其可以一定程度上提升驱动能力。