[N32L43X评测]7.Flash的循环读写

一个具有人机交互的项目除了显示，按键操作，存储数据是少不了的。最早学习51单片机的时候都是用AT240x的EEPROM，虽然用起来很方便，但是占空间啊。现在用户们都是尽量压缩体积，让产品看起来更小巧精致，这样Flash模拟EEPROM就应运而生了。

虽然Flash与EEPROM都可以读写，但是底层驱动还是有区别的，EEPROM可以任意地址读写，Flash就有所区别了。

读取数据时，可以任意地址读取

写入数据时分两种情况：

1.数据地址未使用(空)，可以直接写入数据

2.数据地址被使用(有数据)，需要先擦除Page(每个Page大小根据单片机型号有区别，N32G435系列和N32L43系列是2K/Page，其他可以对照芯片手册查），写入。

这就是Flash稍微操作不便的地方，普通存储的数据一般也就十几个字节，想多次修改就需要擦除整个Page(2K)，然后写入；对其他未使用的空间是种浪费，也影响Flash的寿命。既然这样就改变使用思路，采取空间换时间的方法，既然一个Page有2K的空间，就把数据依次的写入这个Page里，等这个Page满了再全部擦除，再写入。对N32来说，未使用的Flash读取的数值为0xFFFFFFFF，那就可以以此判断是否使用，更安全的做法是在数据的头或结尾加一个特定的字段，根据特定字段和未使用的字段判断该地址是否为空。

这样每次初始化的时候可以根据结尾数据获取未使用的地址，每次写入操作后更新未使用地址。

方法确定，下面就是敲代码了，首先就是根据单片机定义Page大小，使用的用于保存数据的大小(part），地址。

这是测试结果

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