电容的两种等效电路

   最近在学习去耦的过程中两，看到了种电容的等效电路，虽然都是从其结构，材料和生产工艺入手，但是两种模型还是有一点点区别。先在总结在下面供大家参考。

第一种：

来源一本名为 "ANALOG CIRCUITS WORLD CLASS DESIGNS",作者是Robert A. Pease。在其第5章“Review of Passive Components and a Case Study in
PC Board Layout” 中有一节专门讲到了电容这个器件。根据电容的结构，材料和生产工艺等，作者把实际的电容器的等效模型简化为下图：

             Rs：是电容引脚造成的寄生电阻；

             Rd：是电介质带来的寄生电阻；

             C：是归总的电容值；

所以在真实使用在电路中的电容的输入阻抗Zi（s）为C和Rd并联后的阻抗在加上串联的电阻Rs：(Cs=jwC )

将上面的式子稍稍改变，使用jw来代替S：(这里实际使用的S变换，我们暂且不去管它，直接用最朴素的替代思想来考虑这里的计算）

 这里我的实部称为电容器的等效串联电阻ESR，即

 从ESR的计算式可以得知，电容器的等效串联电阻包括了电容引脚产生的寄生电阻，以及电介质产生的寄生电阻，以及归总的电容产生的容抗；另外从式子中的

w可以知道ESR和频率是有关系的：随着频率的增加ESR会减小。（但是实际上的ESR会随着频率减小到一定程度后，频率再增加的情况下，ESR又会重新变大）。

而实际的归总电容就是上式的虚部，即

在这种模型中，实际上没有考虑ESL对于阻抗的影响。

 第二种：

  来自于ANALOG 的technical paper “Decoupling Techniques“。同样是根据电容的结构，材料和生产工艺等，其把电容等效为以下电路：

  其中：

R_P：绝缘电阻（或泄漏电阻）；

Rs：ESR；

L：ESL；

R_DA：电解质介电吸收现象造成的等效电阻；

C_DA：电解质介电吸收现象造成的等效电容；

虽然在去耦应用中，电容的DA效应一般并不重要（但是对于比如采样保持放大器，DA现象带来的寄生影响就可能使电路工作出现错误）。但是第二种对于我们更加详细的了解电容的工艺，材质，结构对其在使用中的影响，不同的使用条件下要关注电容的各项具体的寄生参数并不只有ESR和ESL。

电容这个器件是我们最常用的元器件之一，通常不会被大家太重视，但是实际上只有对于基本器件有了深入的了解，才能在工作中更加的得心应手。

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