如果定时器中断每秒正常处理+1，表示这个定时器配置正常；所以卡死应该发生在处理dw_sign_off这程序。

波形长这样是不正常的，EMI不容易過！建议尝试下列方式： 1. 降低大电流经过 DC+ ~ 全桥 ~ GND 的路径长度，确认焊接牢靠。 2. 控制全桥MOS Gate端的开/关电路与大电流路径区分开来。 3. 增加全桥MOS Gate端的开/关 rising/falling time，这样处理会增加 MOS 的功率消耗，所以需权衡转换效率 vs EMI。 4. 全桥4个MOS的snubber设计 vs 切换频率。

USB3.0高速是走新的信号线TX/RX，USB2.0是走D+/D-。只要是接USB2.0设备，上/下行通讯就是USB2.0。

需考虑PT100的温度反应时间很长，温度越接近，反应时间越长，可能几十秒以上。

本帖最后由 mingplus 于 2023-6-20 11:42 编辑 1. Q2 导通时，CAZ经由RAZC & Q2-EC 充电至 BAT 电压。 2. Q2 不导通时，CAZ 经由 RAZ & Q1-BE 放电，而使Q1 导通。 一般而言，这种架构切换频率不能太快。

电表量到与ADC采集到的误差这么大可能的原因： 1. ADC采集的瞬间， C1到ADC输入电容之间 (包含GND回路) 阻抗过大。 2. R10 1Kohm 太大，但降低 R10，比如降低到 22 Ohm，C1 可能又太大了，而造成AD8552 输出不稳定. 3. 降低 R10 & C1，但 AD8552 可能在ADC采集瞬间的驱动能力不足而造成ADC采集到的电压过低。   ADC 采集瞬间的输入端如是 高阻抗 & 低电容值，则其驱动电路，OP+R+C，比较好设计，不然 OP 需挑选驱动能力好的。

有可能 VDD_12V 上的电容值太大了，造成从 P7/DC_12V 插进来的 瞬间 inrush current 太大，inrush current 太大会使得 连到 P7 的电源线 产生高压而击毁芯片。在 di/dt 下 （大 di, 小 dt)，电源线的小L会感应出高压。试试 1. 降低电容值，2. 改进电源线品质及P7连接器接触可靠度，3. 在P7及电容间增加软启动电路。

地的切割不仅仅用磁珠或0R区分，还需注意电源/信号的电流返回路径，不然切割的地可能造成更大的信号干挠。

本帖最后由 mingplus 于 2022-12-22 11:04 编辑 1. Q1: OCP 2. Q3: Latch 用，如果 OCP，Q1 ON =》Q2 ON =》Q3 ON => U1&U2 OFF。一旦 Latch，解除OCP， U1&U2也不会导通，除非 Vin 拔掉再插入。 3. Q4：导通 U1&U2. 4. U1：U1&U2 OFF时，防止 Vout 倒灌 Vin.   不过 Q3 ON时，Q3应会烧毁，所以要加一个电阻在Q2 集级上。

最好将电机及其驱动的电源隔离。

电容间切换 及 12V(无220ohm)-电容切换 之间没有 soft-start, 因此引起的 inrush current 非常大，容易造成 relay 接点碳化及电容损坏.

很多页都是模糊不清

PSRR rejects noise coming from outside of LDO but there is always noise generated inside the LDO. So an LDO with high PSRR may not be better for noise rejection. The user should always think of both parameters.  

应都会提供 sample code, 需不需要更改就看应用。

如果电源间的切换没有 soft-start, 需要考虑C1，D2 & D1 能否承受开关瞬间的 Inrush current；如有 soft-start, 不会有什么问题。

用1A/50V 二极管当例子：IF 工作于 0.01A~ 0.2A & TJ 介于 -40degC ~ +100degC，其 VF变化介于 0.4V ~ 0.9V。MCU 如进入 休眠，其电流介于 几 uA ~ 几十 uA，那二极管的 VF 回更低于 0.4V。另外一般5V电源有5%误差 = 4.75V ~ 5.25V。所以不适合用串3个二极管给MCU供电。

1. Q1 Ciss 充电时间受到 R2 的影响， 这 R2*Ciss 的 turn-on 时间的长短与 VOUT 上的电容大小相关； 如 VOUT电容大， turn-on 时间短，则 VIN 的 Inrush Current 可能过大而造成VIN电压 drop 过大. 2. 因 R1 & R2 一样大，注意 Q1 Vth. 3. S1 turn-on 瞬间，MCU_IO 这 pin 可能烧毁，除非有限流电阻. 4. S1 turn-on 时，要考虑 Q1 Ciss 放电时间。

本帖最后由 mingplus 于 2022-8-12 13:55 编辑 采样率是20Ksps，采集的正确样本数是每秒20,000个. debug 方式： 1. RTC 用的 Crystal Oscillator 的准确率最好不大于 10ppm. 2. 建议将取样下来的资料存成一个档案，利用 HxD 等软件（也可用 Matlab之类）来开启此16进制档案来比对每秒是否有20,000个样本数。 3. Debug时，可在取样的每秒开头插入RTC，并在每个取样资料完成时 +1 ，但不用将取样资料存下来，如此 Debug 用的每秒取样资料格式如 --- RTC，0，1，2，... 19,999.

以前用过 AD18，现用AD19，也是这样设，没有问题！

漏电流的大或小，主要与Y电容相关；Y容值大/小，漏电流则大/小，但Y容值小，  可能过不了 EMI 法规测试。