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Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片
已有 450 次阅读2018-2-3 15:45
Si24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片Si24R2E Si24R2E是一颗工作在2.4GHzISM频段，专为低功耗有源RFID应用场合设计，集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz，共有126个1MHz带宽的信道。 当打开启自动发射功能，内部Watchdog与内部RCOSC工作时，芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部Timer定时到时，自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射，数据发射完成后，芯片立即进入睡眠状态，因此Si24R2E的平均功耗非常低，对于电池供电应用，可以非常容易实现五年以上的待机时间。 Si24R2E操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容，掉电后不会丢失，数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下，无需外部高压，外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程，芯片最大可编程次数为128次，芯片支持NMV加锁，防止NVM配置数据回读，保证用户数据安全。 Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要额外接口，外部微控制器（MCU）通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射，芯片完全兼容Si24R1发射功能，在不打开自动发射功能时，芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。 Si24R2E具有非常低的系统应用成本，可以不需要外部MCU，仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源，保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。 主要特性 内置128次可编程NVM存储器 3.3V编程电压 超低功耗自动发射功能 内置硬件Watchdog 内置3KHZ RCOSC 内置低电压自动报警功能 超低关断功耗：0.7uA 宽电源电压范围：1.9-3.6V 超低待机功耗：<15uA 数字IO电压:3.3V/5V 发射电流（2Mbps）:13.5mA（0dBm） 内部集成高PSRR LDO 最高发射功率：7dBm （23mA） 10MHz四线SPI模块 调制方式：GFSK/FSK 收发数据硬件中断输出 数据速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps 完全兼容Si24R2 快速启动时间：<130uS 完全兼容Si24R1发射功能 低成本晶振：16MHz±60ppm QFN20封装或COB封装 产品稳定性好.价格有优势我们是深圳动能世纪科技全国唯一一家代理深圳市动能世纪科技有限公司，联系人 张工， 18025394686,QQ2355573216
