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RAM中运行LM3S系列，欢迎讨论

已有 1223 次阅读2011-3-11 00:23

关于C3版的9B96等的FLASH擦写次数

根据官方给出的最新版本勘误表，对于C3 和C5版本的芯片 FLASH 最大擦写次数为100次，最好还是在SRAM里调程序，而不要烧到FLASH里去，确实调试过程中烧写是之前常用的方法，即使是产品，这个问题有待TI去解决吧，希望新的版本能够消除这样的问题，期待。。。

也看到论坛朋友说的原因：

当flash烧写超过100次之后有万分之二的几率损坏而这个损坏通常是长时间断电放置，再上电后，FLASH的数据发生了变化也就是说大家可以该怎么调程序就怎么调程序吧，没什么影响了只要不把FLASH 当模拟的EEPROM用就好了。

看到如何在RAM中调试运行，我最近工作太忙了，这个应该是很多人都想知道的，我看到了，板子没在手上还没试一下，等实验ok了，再和大家分享。

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