注册 登录
电子工程世界-论坛 返回首页 EEWORLD首页 频道 EE大学堂 下载中心 Datasheet 专题

英尚微电子的个人空间 http://home.eeworld.com.cn/space-uid-740762.html [收藏] [复制] [分享] [RSS]

    现在还没有相册

    现在还没有记录

最近访客
统计信息

已有 17 人来访过

  • 好友: 1
  • 日志: 13
  • 分享: --

    现在还没有动态

Everspin 16位并口并行MRAM存储芯片MR4A16BCMA35 2018-05-24
Everspin MR4A16BCMA35 16Mb 并行 MRAM 具有兼容 SRAM 的 35ns 读 / 写周期,并拥有出色耐久性。 Everspin MR4A16BCMA35 为 1024 字 x1 ...
(30)次阅读|(1)个评论
everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R 2018-05-22
Everspin MR4A16BMA35R 容量: 16Mb 数据结构: 1Mb*16 总线速度: 35ns 工作电压: 3.3V 工作温度: C,M ( -0~+70 摄氏度) 16 位并行总线 ...
(21)次阅读|(0)个评论
非易失性MRAM存储在ADAS 安全系统存储的实用性 2018-05-21
    在无人驾驶技术成为各大厂商的追求目标时,ADAS高级驾驶辅助可以说是他们追逐道路上的第一步。主要是基于视觉摄像头的应用,配合GPS、雷达、激光 ...
(28)次阅读|(0)个评论
STM32F042x4 / x6微控制器外扩sram串口sram 2018-05-14
STM32F042x4 / x6 微控制器集成了工作频率高达 48MHz 的高性能 ARM®Cortex®-M0 32 位 RISC 内核,高速嵌入式存储器(高达 32 KB 闪存和 6 KB SRAM ) ...
(21)次阅读|(1)个评论
单片机使用串口sram外扩RAM 2018-05-10
当单片机外部扩展存储器   一般要采用总线扩展: 1   P0口将作为总线的低8位地址线和8位数据线使用 2   P2口将作为总线的高8 ...
(26)次阅读|(2)个评论
利用串口sram用作数据缓存减少成本 2018-04-24
业内容量最大、速度最快的四款串口serial SRAM新器件,VTI的 串口SRAM 工作电压目前为3.3V,品牌VTI的容量可以高达64Mbit, ,而且为8引 ...
(133)次阅读|(2)个评论

查看更多

你需要登录后才可以留言 登录 | 注册


现在还没有留言

小黑屋|手机版|Archiver|电子工程世界 ( 京ICP证 060456

GMT+8, 2018-5-26 21:52 , Processed in 0.024259 second(s), 16 queries , Gzip On, Redis On.

Powered by EEWORLD电子工程世界

© 2018 http://bbs.eeworld.com.cn/

返回顶部