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  • 2019-02-13
  • 回复了主题帖: ESP8266 入门手册

    学习学习{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}

  • 回复了主题帖: 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM

    如果在应用设计中需要功耗低的可以用VTI科技公司生产的存储芯片产品也是SPI SRAM (串口SRAM),推荐使用SPI sram 型号为VTI7064的产品,低功耗,SOP-8封装,容量64Mbit

  • 回复了主题帖: MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案

    SPI SRAM伪静态存储器就可以实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。SPI SRAM速度快,在20MHz~200MHz之间,MCU功耗也是个问题,选择功耗更低的SPI SRAM,更有利在设计产品上做到功耗的减少, 成本上当然是要比6晶体的SRAM优势很多

  • 回复了主题帖: 如何选择低功耗非易失性存储器应用在智能电表

    磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性(图1)的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。

  • 2019-01-25
  • 回复了主题帖: 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM

    串口sram目前是解决单片机外扩内存资源的一种减低成本减少引脚的存储解决方案,串口sram封装是SOP-8的,体积小,成本相对于传统SRAM比较低,如果单片机通过SPI接口来外扩SRAM的话,可以相对应的减少对单片机引脚的使用,让外扩内存资源不再占用过多的单片机引脚!

  • 回复了主题帖: MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案

    单片机外扩SRAM芯片可以考虑一下SOP-8封装的VTI的产品,容量有64Mbit,可以满足大部分的缓存需求,特别是图像缓存

  • 回复了主题帖: 非易失性MRAM存储是否适合用于ADAS 安全系统存储

    Everspin专有的自旋扭矩技术使用自旋极化电流进行开关。数据存储为磁性状态与电子电荷,提供非易失性存储器位,不会出现与Flash技术相关的磨损或数据保留问题。EMD3D064M 64Mb STMRAM在功能上与DDR3接口的工业标准JEDEC规范兼容,每个I / O每秒传输高达1600万次传输,转换为以纳秒级延迟高达3.2 GBytes /秒的内存带宽。该产品采用符合DDR3标准的行业标准WBGA封装。 ST-MRAM为系统设计人员提供持久,高耐久性存储或内存的优势,适用于要求更高可靠性且需要DDR3速度性能提升的应用。 64Mb密度的MRAM为固态和RAID存储系统以及存储设备中的非易失性缓冲区和高速缓存提供了理想的入口点。 64Mb器件将补充现有的低成本存储器技术,减少了过度使用。

  • 2019-01-17
  • 回复了主题帖: 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM

    一种伪静态SRAM也叫PSRAM,只需要SPI接口或者QPI接口,就可以简简单单实现SRAM的扩展。PSRAM - Pseudo SRAM(伪静态随机存储器)是一种具有SRAM接口协议在使用中无需刷新,无需DRAM控制器、具有DRAM单管存储结构的存储器,比SRAM容量大很多

  • 回复了主题帖: MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案

    STM32F1存储外扩SRAM,大部分会考虑SRAM,只有支持SDRAM的,才可以用上SPI接口的~

  • 回复了主题帖: 非易失性MRAM存储是否适合用于ADAS 安全系统存储

    MRAM存储器比 ADAS 的传统 EEPROM 拥有更多优势。无需写等待时,几乎可以实时存储重要数据(实际10us 存储时间),这一点对 ADAS 来说至关重要。EEPROM 通常需要超过 10 毫秒的写等待时间,因此不适用于高安全性应用。 MRAM 同时具备无写延迟和高速时钟速度,非常适合需要快速写入大量数据的应用。使用 SPI 时,设计师可以自由决定 MRAM的写入字节数。把一个或两个字节写入 MRAM 的随机位置时,写入周期约为 1 微秒。反观 EEPROM 或闪存,则需要 5 - 10 毫秒的写入周期。

  • 2018-12-20
  • 回复了主题帖: 选择低功耗SRAM作为嵌入式系统外扩RAM

    会采用相对性低功耗的SRAM,一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话,电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力,而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。

  • 回复了主题帖: 串行PSRAM在智能音箱的应用

    一款串行pSRAM的存储芯片可以在系统中增加RAM资源,一般来说在家庭中,多个设备共同使用同一台WIFI路由器,而智能音箱在播放语音时,会因为带宽不足或者网络连接的波动,导致声音出现断续,或者在请求云端数据时,大量并发请求导致对某个用户终端响应不及时,导致用户终端声音出现断续,卡顿,影响用户体验,也有大多数这类入门级的设备,在MCU/soC片上RAM资源比较少,无法实现语音数据的缓存,而IPUS的产品SQPI PSRAM正好可以解决这类问题的存在,

  • 回复了主题帖: 串行PSRAM在智能音箱的应用

    Density        Part Number        Vcc(V)        Speed(MHz)        Bus Modes        Temp.        Package 64Mbit        RS6404LSQL        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 64Mbit        IPS6404LSQ        3        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 64Mbit        RS6404LSQ        3        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 64Mbit        IPS6404LSQL        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQI T        1.8        20        SPI,QPI        -40℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        IPS3204JSQ        1.8        20        SPI,QPI        0℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQT        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQCT        1.8        20        SPI,QPI        0℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQI        1.8        20        SPI,QPI        -40℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQ        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQC        1.8        20        SPI,QPI        0℃ to 85℃        8-SOIC

  • 发表了日志: DSP外扩RAM该选择什么类型的SRAM

  • 回复了主题帖: 如何选择低功耗非易失性存储器应用在智能电表

    磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。

  • 回复了主题帖: 下载《ADI 任意波形发生器方案》抢楼有礼啦!

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  • 2018-12-04
  • 回复了主题帖: 学习单片机的几点经验之谈

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  • 2018-11-30
  • 回复了主题帖: 如何实现异步SRAM中速度与功耗的平衡(三)

    快速SRAM、低功耗SRAM以及支持深度睡眠工作模式的快速SRAM参数比较~~

  • 回复了主题帖: 如何实现异步SRAM中速度与功耗的平衡(二)

    在电路板上,异步SRAM通常与MCU相连作为扩展存储器,其可用做高速缓存或高速暂存存储器。与DRAM和闪存等其它存储性存储器相比,SRAM具有密度局限性:目前可用的SRAM最大存储密度是8MB,而DRAM则已进入GB时代。然而,MCU很难跟DRAM或闪存直接连接,因为这些存储器正常情况下都有很长的写入周期,不能与MCU同步。高速工作的MCU需要可以存储重要数据的高速缓存,以及以一种能够进行快速存取的方式进行的各种临时运算。SRAM最适合用作MCU与存储性存储器之间的高速缓存。   

  • 2018-11-29
  • 回复了主题帖: 如何实现异步SRAM中速度与功耗的平衡(一)

    异步SRAM产品可分为快速与低功耗两个完全不一样的产品类型,每个系列都具有各自的一系列特性、价格和应用。

    1. 【分享】 MM32F031指纹锁的应用方案 1/279 信息发布 2018-09-13
    2. 【讨论】 非易失性MRAM存储是否适合用于ADAS 安全系统存储 22/1499 汽车电子 2018-05-24
    3. 【分享】 选择低功耗SRAM作为嵌入式系统外扩RAM 17/2155 工控电子 2018-02-28
    4. 【分享】 串行PSRAM在智能音箱的应用 21/2177 移动便携 2018-01-11
    5. 【原创】 SPI接口全解析 1/1301 工控电子 2017-09-07
    1. ESP8266 入门手册 4/100 下载中心专版 2019-02-13
      学习学习{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}
    2. 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM 24/2533 信息发布 2019-02-13
      如果在应用设计中需要功耗低的可以用VTI科技公司生产的存储芯片产品也是SPI SRAM (串口SRAM),推荐使用SPI sram 型号为VTI7064的产品,低功耗,SOP-8封装,容量64Mbit
    3. MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案 48/3016 信息发布 2019-02-13
      SPI SRAM伪静态存储器就可以实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。SPI SRAM速度快,在20MHz~200MHz之间,MCU功耗也是个问题,选择功耗更低的SPI SRAM,更有利在设计产品上做到功耗的减少, 成本上当然是要比6晶体的SRAM优势很多
    4. 磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性(图1)的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。
    5. 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM 24/2533 信息发布 2019-01-25
      串口sram目前是解决单片机外扩内存资源的一种减低成本减少引脚的存储解决方案,串口sram封装是SOP-8的,体积小,成本相对于传统SRAM比较低,如果单片机通过SPI接口来外扩SRAM的话,可以相对应的减少对单片机引脚的使用,让外扩内存资源不再占用过多的单片机引脚!
    6. MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案 48/3016 信息发布 2019-01-25
      单片机外扩SRAM芯片可以考虑一下SOP-8封装的VTI的产品,容量有64Mbit,可以满足大部分的缓存需求,特别是图像缓存
    7. Everspin专有的自旋扭矩技术使用自旋极化电流进行开关。数据存储为磁性状态与电子电荷,提供非易失性存储器位,不会出现与Flash技术相关的磨损或数据保留问题。EMD3D064M 64Mb STMRAM在功能上与DDR3接口的工业标准JEDEC规范兼容,每个I / O每秒传输高达1600万次传输,转换为以纳秒级延迟高达3.2 GBytes /秒的内存带宽。该产品采用符合DDR3标准的行业标准WBGA封装。 ST-MRAM为系统设计人员提供持久,高耐久性存储或内存的优势,适用于要求更高可靠性且需要DDR3速度性能提升的应用。 64Mb密度的MRAM为固态和RAID存储系统以及存储设备中的非易失性缓冲区和高速缓存提供了理想的入口点。 64Mb器件将补充现有的低成本存储器技术,减少了过度使用。
    8. 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM 24/2533 信息发布 2019-01-17
      一种伪静态SRAM也叫PSRAM,只需要SPI接口或者QPI接口,就可以简简单单实现SRAM的扩展。PSRAM - Pseudo SRAM(伪静态随机存储器)是一种具有SRAM接口协议在使用中无需刷新,无需DRAM控制器、具有DRAM单管存储结构的存储器,比SRAM容量大很多
    9. MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案 48/3016 信息发布 2019-01-17
      STM32F1存储外扩SRAM,大部分会考虑SRAM,只有支持SDRAM的,才可以用上SPI接口的~
    10. MRAM存储器比 ADAS 的传统 EEPROM 拥有更多优势。无需写等待时,几乎可以实时存储重要数据(实际10us 存储时间),这一点对 ADAS 来说至关重要。EEPROM 通常需要超过 10 毫秒的写等待时间,因此不适用于高安全性应用。 MRAM 同时具备无写延迟和高速时钟速度,非常适合需要快速写入大量数据的应用。使用 SPI 时,设计师可以自由决定 MRAM的写入字节数。把一个或两个字节写入 MRAM 的随机位置时,写入周期约为 1 微秒。反观 EEPROM 或闪存,则需要 5 - 10 毫秒的写入周期。
    11. 选择低功耗SRAM作为嵌入式系统外扩RAM 17/2155 工控电子 2018-12-20
      会采用相对性低功耗的SRAM,一般一个16Mb高速SRAM搭配电池使用的话,电池的续航能力估计只能够提供12小时的电力,而一个低功耗SRAM却可以提供长达三年的电池续航时间。
    12. 串行PSRAM在智能音箱的应用 21/2177 移动便携 2018-12-20
      一款串行pSRAM的存储芯片可以在系统中增加RAM资源,一般来说在家庭中,多个设备共同使用同一台WIFI路由器,而智能音箱在播放语音时,会因为带宽不足或者网络连接的波动,导致声音出现断续,或者在请求云端数据时,大量并发请求导致对某个用户终端响应不及时,导致用户终端声音出现断续,卡顿,影响用户体验,也有大多数这类入门级的设备,在MCU/soC片上RAM资源比较少,无法实现语音数据的缓存,而IPUS的产品SQPI PSRAM正好可以解决这类问题的存在,
    13. 串行PSRAM在智能音箱的应用 21/2177 移动便携 2018-12-20
      Density        Part Number        Vcc(V)        Speed(MHz)        Bus Modes        Temp.        Package 64Mbit        RS6404LSQL        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 64Mbit        IPS6404LSQ        3        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 64Mbit        RS6404LSQ        3        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 64Mbit        IPS6404LSQL        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQI T        1.8        20        SPI,QPI        -40℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        IPS3204JSQ        1.8        20        SPI,QPI        0℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQT        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQCT        1.8        20        SPI,QPI        0℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQI        1.8        20        SPI,QPI        -40℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQ        1.8        20        SPI,QPI        -25℃ to 85℃        8-SOIC 32Mbit        RS3204JSQC        1.8        20        SPI,QPI        0℃ to 85℃        8-SOIC
    14. 磁性存储器(MRAM)目前应用于工业自动化、工业控制系统、、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。MRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。
    15. 下载《ADI 任意波形发生器方案》抢楼有礼啦! 260/5023 【测试/测量】 2018-12-20
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    16. 学习单片机的几点经验之谈 6/354 TI技术论坛 2018-12-04
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    17. 快速SRAM、低功耗SRAM以及支持深度睡眠工作模式的快速SRAM参数比较~~
    18. 在电路板上,异步SRAM通常与MCU相连作为扩展存储器,其可用做高速缓存或高速暂存存储器。与DRAM和闪存等其它存储性存储器相比,SRAM具有密度局限性:目前可用的SRAM最大存储密度是8MB,而DRAM则已进入GB时代。然而,MCU很难跟DRAM或闪存直接连接,因为这些存储器正常情况下都有很长的写入周期,不能与MCU同步。高速工作的MCU需要可以存储重要数据的高速缓存,以及以一种能够进行快速存取的方式进行的各种临时运算。SRAM最适合用作MCU与存储性存储器之间的高速缓存。   
    19. 异步SRAM产品可分为快速与低功耗两个完全不一样的产品类型,每个系列都具有各自的一系列特性、价格和应用。
    20. 该系列器件特性如下: • 高速 tAA = 10 ns • 用于单比特错误纠正的嵌入式纠错码(ECC) • 活动模式和待机模式低电流       -有效电流ICC = 38 mA (典型值)       -待机电流ISB2 = 6 mA (典型值) • 工作电压范围:1.65 V 到2.2 V,2.2 V 到3.6 V 和4.5 V 到5.5 V • 1.0V 数据保持 • TTL — 各兼容输入和输出 • 错误指示(ERR)引脚用于表示单位错误的检测和纠正
  • TA暂时无记录哦~
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    1. 单片机GD32F205RCT6外扩SRAM

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    4. 非易失性MRAM存储在ADAS 安全系统存储的实用性

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    6. 串行PSRAM在智能音箱的应用

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    8. 如何实现异步SRAM中速度与功耗的平衡(二)

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yecat20 2018-9-1
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