骊微电子科技

  • 2019-11-27
  • 发表了日志: PN8680M代换OB2500POP 省电阻全PIN脚

  • 发表了主题帖: OB2500POP用PN8680M代换可以PIN脚省电阻

    在充电器、适配器和内置电源中,电源芯片是在电子设备系统中不可缺少的一部分,其性能的优劣直接影响整机的性能,承担起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责,骊微电子PN8680M代换OB2500POP 不但可以省去两个启动电阻,精简外围,降低成本,而且还是完全PIN脚的,无需改板。 PN8680M代换OB2500POP 产品特征: ■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET ■ 内置高压启动电路,小于50mW空载损耗(230VAC) ■ 采用多模式技术提高效率,满足6级能效标准 ■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度 ■ 原边反馈可省光耦和TL431 ■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调 ■ 无需额外补偿电容 ■ 无音频噪声 ■ 智能保护功能 ² 过温保护 (OTP) ² VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP) ² 逐周期过流保护 (OCP) ² CS开/短路保护 (CS O/SP) ² 开环保护 (OLP) PN8680M是一款高性能的原边反馈控制器,内置集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,可省略系统的光耦和TL431,PN8680M代换OB2500POP具有高效率低功耗性能,有效解决了能源的浪费,提高了系统性能的高转换效率。 PN8680M电源芯片以体积小、重量轻、效率高等特点被广泛应用开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源等电子设备,如果需要PN8680M代换OB2500POP高效率低功耗电源芯片PN8680M产品的详细手册或其他资料,请向骊微电子申请。>>

  • 2019-10-30
  • 发表了日志: HC5808L无线充SoC方案低BOM成本

  • 发表了主题帖: 高性能HC5808L 10W无线充SoC方案

    HC5808L 10W soc单芯片是一款高度集成的无线功率发射器SOC解决方案,包含数字微控制器和模拟前端(AFE)。AFE包括全桥功率mosfet、电流传感放大器、通信解调器、线性调节器和保护电路等功能,骊微电子HC5808L 10W无线充SoC方案由于元器件更少,具有高性能+低BOM成本等特点。 HC5808L 10W无线充soc芯片特征 ■ 4.0V至14.0V输入电压范围 ■ 支持5V/9V/12V输入 ■ 支持高达10W的输出功率 ■ 集成电压和电流解调 ■ 集成低rdson功率fet ■ 集成FET驱动器和引导电路 ■ 集成精确的FOD电流传感器 ■ 通过DP/DM支持高压请求 ■ 快速充电2.0/3.0 FCP AFC uvlo/ocp/otp ■ 3毫米x 3毫米FCQFN包装 ` HC5808L无线电源发射器soc单芯片采用紧凑型3 x 3 mm FCQFN包装,一颗芯片实现所有功能,集成度高,外围只需MOS和阻容器件,可有效控制成本和精简生产流程,降低BOM成本,骊微电子广泛应用于符合wpc标准的无线功率发射机、专有无线充电器和发射机、医疗和可穿戴应用等领域。

  • 2019-09-26
  • 发表了日志: HC5703C无线充电专用集成芯片

  • 发表了主题帖: HC5703C无线充电专用集成芯片

    HC5703C无线充电专用集成芯片WPC Qi 1.2.4 协议,拥有多重保护的安全智能芯片,应用于浩酷S1车载无线充电支架,骊微电子提供的HC5703C无线充电专用集成芯支持市面主流的5W/7.5W/10W无线充电,iPhone Xs Max 0%~100% 充满不到 3 小时。 hc5703C无线充芯片特点 ■ 支持WPC Qi 1.2.4 及以下版本无线充协议 ■ 支持7.5W 兼容10W ■ 最高可达83% 的充电效率 ■ 良好的兼容性,可支持Ti、IDT、PANASONIC 等Qi 标准的接收器。 ■ 电源动态控制(DPL),兼容5V2A、QC2.0、QC3.0、DC5V 等适配器。 ■ 温度动态控制(TPL),控制设备较低温度运行。 ■ 允许使用X7R 类型、CBB 电容器以减少成本。 ■ 2个发光二极管,可选择多种模式指示。 ■ 过流、过压、过温、异物检测保护。 HC5703C 是一款无线充电专用IC。控制输出功率最高可达15W。拥有完善的保护电路,先进的算法、超高的效率和良好的兼容性,适用于稳定性要求较高的产品,HC5703CC无线充主控芯片应用于浩酷S1 车载无线充电支架使充电速度更快、更安全,更多hc5703C无线充芯片产品的详细手册或其他资料,请向骊微电子申请。>>

  • 2019-08-29
  • 发表了日志: 12v3a内置MOS 多协议旅充快充全套解决方案

  • 发表了主题帖: 12v3a内置MOS 多协议旅充快充全套解决方案

    12v3a多协议旅充快充全套解决方案,包括原边PWM控制芯片SDH8666Q,同步整流控制芯片SD8510和协议芯片SD8605。SDH8666Q采用EHSOP5贴片封装,内置高压启动功能和高压Super Junction MOS,骊微电子推出的12v3a多协议旅充快充全套解决方案支持30W快充应用,SD8605在上一代协议IC SD8602Q基础上内置了负载隔离管,提高了系统集成度,降低了外围器件数量,该方案支持PD/QC/FCP/SCP等多协议。 SDH8666Q产品特点: ● SSR架构芯片,工作于CCM/DCM/QR模式 ● 内置高压启动,待机功耗<40mW ● 内置650V高压DPMOS ● 改善的抖频方式,有效降低EMI ● VCC HOLD功能,防止轻载或动态切换时芯片欠压重启 ● Brown in/out,输出二极管短路保护等完善的保护功能 ● EHSOP5贴片封装 SDH8666Q系列产品EHSOP5优势突出: 1、产品采用自有EHSOP5贴片封装,更适于自动化生产; 2、封装厚度仅为1.6mm,是TO252封装的2/3,对外壳温升影响更小; 3、Rthja为60℃/W,与TO252相当,而Rthjc仅为1.05℃/W,是TO252封装的1/2,更有利于散热。 SDH8666Q系列内置大功率MOSFET的SSR反激电源管理芯片,是新一代SSR反激控制芯片,采用了自有专利EHSOP5贴片封装,内置高压大功率MOSFET,可广泛适用于36W适配器或48W开放环境,包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等,更多SDH8666Q多协议旅充快充全套解决方案及相关资料可以咨询士兰微一级代理商骊微电子。  

  • 2019-08-06
  • 发表了日志: PN6005电动车控制器芯片DC-DC降压芯片

  • 发表了主题帖: 200V高耐压DC-DC降压芯片PN6005

    电动车电机的控制系统一般由电动机、功率变换器、传感器和电动车控制器组成,电动车控制器芯片是用来控制电动车电机的启动、运行、进退、速度、停止以及电动车的其它电子器件的核心控制器件,是电动车上重要的部件,骊微电子推出PN6005电动车控制器芯片DC-DC降压芯片。   PN6005 DC-DC降压芯片电动车控制器芯片集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。   PN6005 DC-DC降压芯片电动车控制器专用芯片内置200V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护,另外PN6005的降频调制技术有助于改善EMI特性。   PN6005 DC-DC降压芯片产品特征: ■ 内置200V高雪崩能力智能功率MOSFET ■ 内置高压启动和自供电电路 ■ 适用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多种架构 ■ 输出电压固定为5V ■ SOP-7半封闭式稳态输出电流300mA @36VDC ■ 改善EMI的降频调制技术 ■ 优异的负载调整率和工作效率 ■ 全面的保护功能 ² 过载保护(OLP) ² 过温保护(OTP) ² 欠压保护(UVLO)  一个好的电动车,在于它的核心“芯片”是否用的好,选择骊微电子PN6005 DC-DC降压芯片电动车控制器芯片,内置200V高压启动与自供电模块,具有高效率,高集成度,高可靠性等特性,能大大降低整体控制器的温度,使整个系统能够更可靠工作,降低生产成本,减少外围成本,无需电压调整电阻,固定输出,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能,PN6005 DC-DC降压芯片电动车控制器专用芯片非常适合高压直流应用场合应用。

  • 2019-07-23
  • 发表了主题帖: 5v3a同步整流电源芯片方案

    PN8306M/H同步整流电源芯片,与PN8370、PN8386配合使用,轻松实现5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。 PN8306M 5v同步整流降压芯片特性: 1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器,效率提高3%以上; 2、内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET,典型应用5V2.4A/3.4A;/3、Smart控制算法实现零直通炸机风险; 4、VIN耐压高达24V,抗冲击能力强; 5、内置高压供电模块,同步控制不受输出电压波动影响,更可靠; 6、高精度次级电流检测,同步整流关断点精准,提高转换效率,避免倒灌电流; 7、超强HBM ESD设计, VIN、VDET无需外串电阻,可满足15kV空气/8kV接触ESD标准; 8、最小导通时间可通过RT电阻调整以匹配变压器设计,避免同步整流干扰PSR采样; 9、ESOP8裸铜散热封装,温升更低; 10、VIN欠压保护/过压钳位。 PN8370M+PN8306M 内置mos同步整流芯片六级能效方案亮点 :   外围简洁(节省8颗元件):PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M独特控制技术可实现零外围工作,节省传统SR方案的供电RC滤波,SW侦测电阻,RT电阻,RC吸收等6颗元件。 高可靠性:a.方案三道防线,实现SR与PSR零直通风险;b.芯片HBM ESD大于4kV,latchup电流大于400mA,显著提高系统安规能力,接触静电高达15kV; c.PSR与SR匹配工作,彻底避免小载采样冲突,异常工况下,SR做好配角,PSR主导所有异常保护。 低待机功耗:PN8370M内置高压启动,可轻松实现50mW待机功耗。 PN8306内置mos同步整流芯片因外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,骊微电子广泛于5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。

  • 2019-06-19
  • 发表了日志: 高效率低功耗芯片 PN8680M

  • 发表了主题帖: PN8680M低功耗电源芯片 12V1A充电器方案

    PN8680M低功耗电源芯片是一款高性能的原边反馈控制器。PN8680M工作在原边检测和调整模式,可省略系统的光耦和TL431。PN8680M低功耗电源芯片拥有恒压恒流控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,以满足大部分充电器和适配器需求。PN8680M内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。   高压启动控制:PN8680M低功耗电源芯片在启动阶段,采用高压启动技术,芯片启动前2.0mA电流源为内部偏置电路供电并给外部VDD电容充电,快速启动。当VDD电压达到VDDon,芯片开始工作的同时高压启动电路关断;只要VDD电压不低于VDDoff,芯片维持正常工作。启动后,偏置电路通过辅助源供电,同时启动电路只有一路极小的电流,实现低损耗。   CC 工作模式:在CC工作状态,高效率电源芯片PN8680M采样FB引脚的信号(由辅助绕组信号通过电阻分压),辅助绕组信号脉宽决定振荡频率。输出电压越高,脉宽越小,同时振荡频率越高,这样可获得恒定的输出电流。   CV 工作模式:在CV工作状态,高效率电源芯片PN8680M使用脉冲采样VFB电压,并保持到下个采样点。将采样的电压和VREF_CV基准比较,并放大误差。这个误差值代表负载情况,通过控制开关信号,调节输出电压,使得输出恒定。      4.电流检测和前沿消隐:PN8680M低功耗电源芯片提供逐周期电流检测功能。芯片通过CS引脚的电阻检测功率管电流,CC 模式设置点和最大输出功率都通过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压,内部前沿消隐电路可防止误触发而不需要额外的RC滤波电路。   可编程线缆补偿功能:线缆补偿模块通过FB引脚输出一路补偿电流,流入分压电阻,如图3所示,改变电压反馈值,可以使输出线损压降得到补偿。当负载从满载减小到空载时,线损压降也同样减小。PN8680M低功耗电源芯片通过设置FB电阻的阻值可以调整线补偿的幅度。   基准负温度补偿:高效率电源芯片PN8680M的VREF_CV电压基准采用负温度补偿技术,常温下,VREF_CV电压基准为2.5V;芯片温度上升时,VREF_CV电压基准值随着温度上升而变小,可以使△V随着温度上升而变小得到补偿,让输出电压Vo在全温度范围内恒定,提高了恒压输出精度。   保护控制:PN8680M低功耗电源芯片含有丰富的保护功能,包括:逐周期过流保护、过压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护、CS电阻开/短路保护、VDD欠压锁定保护功能,并且这些保护具有自恢复模式。 PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,可省略光耦和TL431,常用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源,如果需要PN8680M高效率低功耗电源芯片PN8680M产品的详细手册或其他资料,请向我们申请。>>

  • 2019-06-05
  • 发表了日志: 开关电源12v充电管理芯片方案,总有一款适合你

  • 2019-05-21
  • 发表了日志: 5v2a电源适配器芯片方案

  • 发表了主题帖: 5v2a电源适配器ic芯片方案

    5v2a电源适配器ic芯片方案亮点 :        1、外围简洁(节省8颗元件):PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M独特控制技术可实现零外围工作,节省传统SR方案的供电RC滤波,SW侦测电阻,RT电阻,RC吸收等6颗元件。2、高可靠性:a.方案三道防线,实现SR与PSR零直通风险;b.芯片HBM ESD大于4kV,latchup电流大于400mA,显著提高系统安规能力,接触静电高达15kV; c.PSR与SR匹配工作,彻底避免小载采样冲突,异常工况下,SR做好配角,PSR主导所有异常保护。3、低待机功耗:PN8370M内置高压启动,可轻松实现50mW待机功耗。 深圳市骊微电子科技以电源方案服务中小功率电源厂家,有着5V 1A、5V 2A、12V 2A等一系类电源方案,为广大客户提供优质的方案服务,你可以搜索骊微电子进一步了解5v2a电源适配器芯片方案。

  • 2019-05-08
  • 发表了日志: 高效率电源适配器ic方案

  • 发表了主题帖: 低功耗适配器ic方案

    电源适配器IC芯片的正确选择对于适配器来说有着至关重要的作用,选择适配器电源ic不仅要满足电路性能的要求,还需要考量产品的体积、重量、使用寿命以及成本问题,关系到电源适配器的稳定性以及使用寿命,选择一款好的适配器IC可以很好的确保电子元器件的安全和稳定。 接下来我们认识一下原边反馈内置三极管电源适配器IC芯片PN8370是一款应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器高性能的原边反馈控制器。该芯片采用原边检测和调整的拓扑结构,因此在应用时无需TL431和光耦。PN8370拥有恒流恒压控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8370内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。 PN8370低功耗电源适配器ic芯片特性■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET■ 内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)■ 采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度■ 原边反馈可省光耦和TL431■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调■ 无需额外补偿电容■ 无音频噪声■ 智能保护功能过温保护 (OTP)VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)逐周期过流保护 (OCP)CS开/短路保护 (CS O/SP)开环保护 (OLP) 电源适配器ic可分为原边反馈(PSR)电源芯片和副边反馈(SSR)电源芯片。PSR电源芯片价格比SSR的较低,适配器电源ic和电源管理芯片一样起着控制适配器电路在作用,决定着电源电路里电流,电压,功率的大小控制,正确的选择电源适配器IC芯片不但可以延长产品的使用寿命,也可以减少产品的故障率,更多电源充电器ic方案,请关注我们,骊微电子的适配器ic方案具有:种类多,高性价比,低成本。

  • 2019-04-18
  • 发表了日志: SDH8594AS高精度原边控制开关电源方案

  • 发表了主题帖: SDH8594AS高精度原边控制芯片

    SDH8594AS内置高压MOS管高精度原边控制开关电源芯片是离线式开关电源集成电路,是外置线损补偿和内置峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的,骊微电子的SDH8594AS集成多种保护,有效减少额外的器件数量和尺寸。 1. 电路启动和欠压锁定:系统上电,电路由内置耗尽型MOS管对vCC管脚外置的电容充电。当VCC上升到18V,电路开始工作,关断耗尽型MOs:在电路正常工作过程中,由辅助线圈供电来维持VCC电压;当VCC下降到85V进入欠压锁定状态,耗尽型MOS管打开,对VCC电容供电,VCC上升到18V,电路启动重新工作。 2、峰值电流检测和LEB:当驱动为高电平,MOS管导通,通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流,当达到设定的电流限制值即峰值电流,MOS管关断。 3、CV控制方式:当MOS管关断,反馈电压为正,在FB为正的2/3~1/2时间点进行采样,采样得到的电压经过与恒压阈值Vc的比较、放大,产生恒压环路的关断时间ToF,从而实现输出的恒压。在轻载或者中载的时候,恒压环路产生不同的峰值电流。 4. CC控制方式:通过电路对FB为正、为负或准谐振的时间进行计算,FB为正的时间为ToF1表示变压器的次级线圈有电流,FB为负的时间为TN,FB衰减振荡的时间为ToFF2,在这两个时间内变压器的次级线圈没有电流。 5. 峰值电流补偿:由关断延迟时间导致实际检测到的峰值电流值,随着输λ交流电压的増大而増大,而峰值电流值直接反映输岀电流因此造成输出电流随输入交流电压的线性调整率会比较差。sDH8594AS利用导通时间来控制峰值电流,使不同输入电压下的峰值电流基本保持不变,改善输出电流的调整率。 6. 线损补偿:在实际的应用设计中,输岀电压在电缆线上会有不同程度的压降ⅤAB。在不同的电流情况下,输岀端的整流二极管压降VD也会发生改变,需要综合考虑,SDH8594AS通过内部一个电流源来产生带有失调的反馈电压VFB。内部电流源的大小与输出电流大小成比例关系。当负载电流从满载到空载的时候,ⅤFB的失调电压増加,增加量可以通过反馈电阻R1和R2调节。 7. 各种保护措施:芯片内部集成多个保护功能,包括过温保护、FB过压保护、VcC过压保护、输岀短路保护、限流保护、最大导通时间保护等功能,全部都是芯片自动恢复(除了限流保护),即检测到异常状态后,芯片关断输出,VCC电压开始下降到欠压点,关断内部全部模块,通过耗尽型MOS对∨CC端电容进行充电,重复一个芯片启动的过程。 8.PFM调制频率的设定:SDH8594AS在PFM调制频率范围由导通时间TN和恒压环路控制关断时间T。F所决定。因此当关断时间最长T。FFma时,系统处于最小限制频率状态,工作频率最低;当关断时间最短 ToFFmink时,系统处于最高频工作状态,工作频率达到最高。

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