SRAM001

  • 2018-07-13
  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧? 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

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    没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧? 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧? 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低

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    没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧?

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    没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧?

  • 2018-07-12
  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    maychang 发表于 2018-7-12 13:55 详见10楼。
    看最新 回复。

  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    SRAM001 发表于 2018-7-12 14:43 好的
    CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串接   给电容充电的是 V+和GND 为36v 最开始是 模拟搭 建个简易电路 mos管栅极没有串接10R的电阻 直接接12v测试的  瞬间mos管 源级漏级击穿  现在接上串接10R电阻 到目前还没有烧管 不知道啥原因  mos管是工作在低频上的 对10R的串接电阻应该没影响啊。

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    maychang 发表于 2018-7-12 13:55 详见10楼。
    :)好的

  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    maychang 发表于 2018-7-12 10:15 想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。
    我加了栅极的限流电阻  到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k  现在就不烧了 不知道为什么  难道是栅极电流过大 瞬间?

  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    maychang 发表于 2018-7-12 10:19 “ 后边是吧俩组电容分开充电 串联放电” 看不出电容如何“分开充电,串联放电”。
    通过 单片机控制  P   串联是俩个电容本身就在一起串联 通过mos管  进行释放电压

  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    maychang 发表于 2018-7-12 10:15 想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。
    时间不长  应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连  释放不掉 mos G级和s之间的电压

  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    maychang 发表于 2018-7-12 10:18 看不出你的“超级电容”在哪里。C13和C16标注为有极性电容,但数值仅100pF,不知道那是什么东西。
    画图的时候  只是个图标 数值并没有改  

  • 回复了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    现在是 我已给mos管栅极12v 他就直接导通 烧掉管子 短路了

  • 发表了主题帖: 这样可以正常驱动mos管吗/

    光耦驱动mos管打开 给线圈通过2组超级电容 放电从电容正极通过线圈到mos管d级到s级回到电容负极   mos管栅极通过外加12v电源到s级 通过二极回到系统gnd    现在是可以打开无法关断  不知道这样可以用吗  超级电容一个电源  外部控制栅极电压一个电源 怎么改进下  后边是吧俩组电容分开充电 串联放电

  • 2018-07-10
  • 加入了学习《一种简单可靠的超级电容充电方案:可以自动限制输入电流幅值》,观看 一种简单可靠的超级电容充电方案:可以自动限制输入电流幅值

  • 2018-04-25
  • 回复了主题帖: C8051F351

    恩  这些都看了 晶振震荡正常 小数据量通讯没问题的 大数据量就出现通讯中断的情况 这是使用外部晶振 使用内部晶振就不会出先这个问题 所以不存在不起振 或者外部电路不正常的情况  想不明白啊

  • 回复了主题帖: C8051F351

    huaiqiao 发表于 2018-4-24 17:27 一般的单片机来说,都是内部时钟,也支持外部时钟。最常见的都是先倍频后分频。利用外部时钟和内部时钟, ...
    2400 也够用了  使用内部晶振做2400 就没有问题 当使用外部38.4分频得到2400的时候就出现小数据能通信大数据通信不正常的情况  单片机直接和电脑串口通信 用内部晶振做系统时钟和外部波特率没有问题 用内部晶振做系统时钟 用外部晶振做波特率2400 就出问题  用大频率外部晶振做系统时钟 和波特率2400也没有问题 现在就卡在这了

  • 2018-04-24
  • 发表了主题帖: C8051F351

    故障情况:     F351使用外部晶振38.4khz做为外部接口波特率2400    系统时钟为内部时钟分频得到3m   串口小数据量勉强可以通信 大数量通信基本断开     如果使用内部时钟作波特率2400 则通信正常 外部晶振没有问题 考虑351  系统时钟为内部时钟分频得到  外部接口波特率为外部38.4khz晶振分频得到   是否是两个频率之间的问题  求解答 如何解决

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    1. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-13
      没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧? 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低
    2. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-13
      没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧? 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低
    3. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-13
      没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧? 单片机有电压检测电路 负责控制充电电压  高低
    4. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-13
      没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧?
    5. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-13
      没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗?应该属于俩个不同的电源了吧?
    6. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      maychang 发表于 2018-7-12 13:55 详见10楼。
      看最新 回复。
    7. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      SRAM001 发表于 2018-7-12 14:43 好的
      CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串接   给电容充电的是 V+和GND 为36v 最开始是 模拟搭 建个简易电路 mos管栅极没有串接10R的电阻 直接接12v测试的  瞬间mos管 源级漏级击穿  现在接上串接10R电阻 到目前还没有烧管 不知道啥原因  mos管是工作在低频上的 对10R的串接电阻应该没影响啊。
    8. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      maychang 发表于 2018-7-12 13:55 详见10楼。
      :)好的
    9. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      maychang 发表于 2018-7-12 10:15 想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。
      我加了栅极的限流电阻  到50k 同时把栅极的下拉电阻也加到100k  现在就不烧了 不知道为什么  难道是栅极电流过大 瞬间?
    10. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      maychang 发表于 2018-7-12 10:19 “ 后边是吧俩组电容分开充电 串联放电” 看不出电容如何“分开充电,串联放电”。
      通过 单片机控制  P   串联是俩个电容本身就在一起串联 通过mos管  进行释放电压
    11. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      maychang 发表于 2018-7-12 10:15 想必是你给出到MOS管门极12V的持续时间太长,而L2或者L3直流电阻又相当小,导致电流过大而烧毁管子。
      时间不长  应该是 门限电压12v的电源 与超级电容产生的电源不是同一个地 俩个地之间有个二极管相连  释放不掉 mos G级和s之间的电压
    12. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      maychang 发表于 2018-7-12 10:18 看不出你的“超级电容”在哪里。C13和C16标注为有极性电容,但数值仅100pF,不知道那是什么东西。
      画图的时候  只是个图标 数值并没有改  
    13. 这样可以正常驱动mos管吗/ 26/3968 模拟电子 2018-07-12
      现在是 我已给mos管栅极12v 他就直接导通 烧掉管子 短路了
    14. C8051F351 5/456 【51单片机】 2018-04-25
      恩  这些都看了 晶振震荡正常 小数据量通讯没问题的 大数据量就出现通讯中断的情况 这是使用外部晶振 使用内部晶振就不会出先这个问题 所以不存在不起振 或者外部电路不正常的情况  想不明白啊
    15. C8051F351 5/456 【51单片机】 2018-04-25
      huaiqiao 发表于 2018-4-24 17:27 一般的单片机来说,都是内部时钟,也支持外部时钟。最常见的都是先倍频后分频。利用外部时钟和内部时钟, ...
      2400 也够用了  使用内部晶振做2400 就没有问题 当使用外部38.4分频得到2400的时候就出现小数据能通信大数据通信不正常的情况  单片机直接和电脑串口通信 用内部晶振做系统时钟和外部波特率没有问题 用内部晶振做系统时钟 用外部晶振做波特率2400 就出问题  用大频率外部晶振做系统时钟 和波特率2400也没有问题 现在就卡在这了
    16. chunyang 发表于 2018-1-2 15:38 电路设计错误,不能用射随器,可以直接驱动开启电压满足驱动电压的N沟道MOS管,这样功耗也是最低的。
      mos管驱动电压12v  用单片机驱动0-5  中间加三极管  待机时通过三极管导通释放掉分压电阻上的12v 这样的电流有点大 大约在2.89ma  无论怎么改都必须有一个三极管处于导通状态  用npn发射机得接地 用pnp也是一个道理 除非用小电压的mos管驱动大电压的mos管
    17. killingspring 发表于 2018-1-2 12:40 不可行,R1和R2形成分压,会抬高Q2发射极电压,Q2基极电压是CPU提供的,我想你的CPU的GPIO输出来的电压应该 ...
      :victory:谢谢   你看会不会造成这种现象  在电路第一次输入信号时  三级发射级电压为0  集极输入正向信号导通电阻分压 发射级 12v左右 mos导通  三极管截止 发射级电压经由电阻消耗将至为0 ,继电器会动作吗?
    18. killingspring 发表于 2018-1-2 12:40 不可行,R1和R2形成分压,会抬高Q2发射极电压,Q2基极电压是CPU提供的,我想你的CPU的GPIO输出来的电压应该 ...
      :victory:谢谢
    19. 学习
    20. maychang 发表于 2017-12-25 14:48 “大功率mos管做开关控制继电器大家帮看看这样可以吗?” 原理上没有什么问题。 R3不必由千欧这么小吧? ...
      哦  哦  收到
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