轻舞飞扬2016

  • 2020-12-31
  • 发表了主题帖: SK810-ASEMI​小贴片肖特基二极管8A 100V

    编辑:L SK810-ASEMI​小贴片肖特基二极管8A 100V 型号:SK810 品牌:ASEMI 封装:SMC 特性:贴片、肖特基 正向电流:8A 反向耐压:100V 芯片个数:1 芯片尺寸:95MIL 引脚数量:2 浪涌电流:200A 漏电流:1ua 工作温度:-40°C~150°C 包装方式:3000/盘 肖特基的缺点: 肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大,像使用硅及金属为材料的肖特基二极体,其反向偏压额定耐压最高只到 50V,而反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题,肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步,其反向偏压的额定值最大可以到200V。​

  • 2020-12-30
  • 发表了主题帖: SBT20100VDC-ASEMI低压降贴片肖特基二极管

    编辑-L SBT20100VDC-ASEMI低压降贴片肖特基二极管 型号:SBT20100VDC 品牌:ASEMI 封装:TO-263 特性:低压降肖特基 正向电流:20A 反向耐压:100V 芯片数量:2 芯片大小:87MIL 漏电流:10ua 引脚数量:3 工作温度:-40℃~150℃ 产品概述: SBT20100VDC的电性参数:最大正向平均电流20A;最大反向峰值电压100V SBT20100VDC的包装方式:50/管,1K/盒,5K/箱 肖特基二极管被广泛适用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用。

  • 发表了主题帖: MBR20100DC-ASEMI​贴片肖特基二极管20A 100V

    编辑-L MBR20100DC-ASEMI贴片肖特基二极管20A 100V 型号:MBR20100DC 品牌:ASEMI 封装:TO-263 特性:贴片肖特基二极管 正向电流:20A 反向耐压:100V 正向电压:0.82V 芯片个数:2 芯片尺寸:102MIL 漏电流:20ua 产品概述: 肖特基二极管MBR20100DC参数规格: 肖特基二极管MBR20100DC电流:20A ; 肖特基二极管MBR20100DC电压:100V; 肖特基二极管MBR20100DC管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。 MBR20100DC广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,

  • 2020-12-29
  • 发表了主题帖: SB40100LFCT-ASEMI高压肖特基二极管40A 100V

    编辑-L SB40100LFCT-ASEMI高压肖特基二极管40A 100V 型号:SB40100LFCT 品牌:ASEMI 封装:ITO-220AB 正向​电流:40A 正向电压:0.40V~0.66V 反向耐压:100V 芯片个数:2 芯片大小:120MIL 漏电流:20uA 特性:超低压降 低功耗 工作温度:-40℃~170℃ 产品概述: SB40100LFCT的电性参数:最大正向平均电流40A;最大反向峰值电压100V SB40100LFCT的包装方式:50/管,1K/盒,5K/箱 低压降二极管被广泛适用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用​。

  • 发表了主题帖: MBR40200PT-ASEMI肖特基二极管40A 200V​

    编辑-L MBR40200PT-ASEMI肖特基二极管40A 200V​ 型号:MBR40200PT 品牌:ASEMI 封装:TO-247 正向电流:40A 正向电压:0.83V 反向耐压:200V 芯片个数:2 芯片大小:130MIL 引脚数量:3 浪涌电流:400A 特性:肖特基二极管 工作温度:-55°C~150°C 肖特基二极管MBR40200PT参数规格: 肖特基二极管MBR40200PT电流:40A; 肖特基二极管MBR40200PT电压:200V; 肖特基二极管MBR40200PT管装:30/管;盒装:360PCS/盒。​ MBR40200PT肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,​

  • 2020-12-28
  • 发表了主题帖: BD20100CS-ASEMI贴片肖特基二极管20A 100V

    编辑-L BD20100CS-ASEMI贴片肖特基二极管20A 100V 型号:BD20100CS 品牌:ASEMI 封装:TO-252 正向电流:20A 正向电压:0.82V 反向耐压:100V 浪涌电流:150A 芯片个数:2 芯片大小:102MIL 特性:肖特基二极管 工作温度:-55°C~150°C 产品描述: 肖特基二极管BD20100CS参数规格: 肖特基二极管BD20100CS电流:20A ; 肖特基二极管BD20100CS电压:100V; 肖特基二极管BD20100CS盘装:1000PCS/盘。​ BD20100CS肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用​。

  • 发表了主题帖: 10V45/PS1045L-ASEMI手机充电器快充二极管

    编辑-L 10V45/PS1045L-ASEMI手机充电器快充二极管 型号:10V45 品牌:ASEMI 封装:TO-277 正向电流:10A 反向耐压:45V 浪涌电流:275A 芯片个数:1个 芯片大小:110MIL 漏电流:10uA 工作温度:-55°C~150°C 特性:贴片肖特、low VF值 肖特基二极管10V45(PS1045L)满足了电子产品薄,低,小,效率的特性,使10V45越来越多的应用在各类电子数码产品当中,强元芯为你介绍10V45的特性。​ 肖特基二极管10V45参数规格: 肖特基二极管10V45电流:10A ; 肖特基二极管10V45电压:45V; 肖特基二极管10V45盘装:3000PCS/盘​ 10V45的封装方式TO-277,大小只有普通人小指指甲大小的1/3,厚度是1.25mm,可见其薄,10V45整流电流可以达到10A,反向耐压45V,10V45相比于同类别的肖特基二极管除了体积小,薄之外,其特点就是正向压变低,普通的肖特基二极管MBR1045其正向压降是0.54V,而10V45只有0.42V,因此它的转化效率之高,是现代工业重要一方面——资源节约,同时10V45的另一方面体现在在塑封黑胶采用树脂,其铅,铬等重金属,及溴,苯的含量均符合行业标准,然后不得不提肖特基二极管其主要的特性,超快的反向恢复时间,肖特基二极管的反向恢复时间在5个纳秒以内即1秒钟内可承受2亿次电流交替,反应速度之快。​

  • 2020-12-26
  • 发表了主题帖: SBT30100VFCT-ASEMI低压降肖特基二极管

    编辑-L SBT30100VFCT-ASEMI低压降肖特基二极管 ​型号:SBT30100VFCT 品牌:ASEMI 封装:ITO-220AB ​正向电流:30A 反向耐压:100V 特性:肖特基二极管 工作温度:-55°C~150°C SBT30100VFCT肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。​

  • 发表了主题帖: SB3045LFCT-ASEMI_lowVF值肖特基二极管​

    编辑-L SB3045LFCT-ASEMI_lowVF值肖特基二极管​ 型号:SB3045LFCT 品牌:ASEMI 封装:ITO-220AB 正向电流:30A 反向耐压:45V 特性:低压降肖特基二极管 漏电流:10uA 恢复时间:5ns 产品描述: 肖特基二极管SB3045LFCT参数规格: 肖特基二极管SB3045LFCT电流:30A ; 肖特基二极管SB3045LFCT电压:45V; 肖特基二极管SB3045LFCT盘装:1000PCS/盒。​

  • 2020-12-25
  • 发表了主题帖: MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管30A 100V

    编辑-L MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管30A 100V 型号:MBR30100CT 丝印:MBR30100CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 特性:肖特基二极管 正向电流:30A 反向耐压:100V 浪涌电流:200A 漏电流:20uA 工作温度:工作温度:-55~+150℃ 产品描述: 本体长度:10.16mm 本体高度:15.0mm 引脚长度:13.6mm 引脚宽度:0.81mm 肖特基二极管MBR30100CT管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。

  • 发表了主题帖: MBR30200FCT​-ASEMI肖特基二极管30A 200V

    编辑-L MBR30200FCT​-ASEMI肖特基二极管30A 200V 型号:MBR30200FCT 丝印:MBR30200FCT 封装:ITO-220AB 正向电流:30A 反向耐压:200V 特性:肖特基二极管 芯片个数:2 芯片大小:122MIL 漏电流:10uA 工作温度:-55~+150℃​ 产品描述: 肖特基二极管MBR30200FCT电流:30A 肖特基二极管MBR30200FCT电压:200V ​肖特基二极管MBR30200FCT管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。 应用范围:肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。​

  • 2020-12-24
  • 发表了主题帖: MBR10100FCT-ASEMI高压肖特基二极管10A 100V

    编辑-L MBR10100FCT-ASEMI高压肖特基二极管10A 100V 型号:MBR10100FCT 丝印:MBR10100FCT 品牌:ASEMI 封装:ITO-220AB 正向电流:10A 反向耐压:100V 工作温度:-55~+150℃​ 参数介绍: 肖特基二极管MBR10100FCT参数规格: 肖特基二极管MBR10100FCT电流:10A ; 肖特基二极管MBR10100FCT电压:40V; 肖特基二极管MBR10100FCT管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。​ MBR10100FCT广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。​

  • 发表了主题帖: MBR60100PT/MBR60200PT-ASEMI大功率肖特基​

    编辑-L MBR60100PT/MBR60200PT-ASEMI大功率肖特基 型号:MBR60100PT       品牌:ASEMI 封装:TO-247/3P 特性:肖特基二极管 正向电流(Io):60A 芯片个数:2 正向电压(VF):0.78V 芯片尺寸:150MIL 浪涌电流Ifsm:500A 漏电流(Ir):10UA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):<5nS 产品描述: 肖特基二极管MBR60100PT参数规格: 肖特基二极管MBR60100PT电流:60A ; 肖特基二极管MBR60100PT电压:100V; 肖特基二极管MBR60100PT管装:30/管;盒装:360PCS/盒。​ MBR60100PT肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。​

  • 2020-12-23
  • 发表了主题帖: MBR10200FCT-ASEMI高压肖特基二极管10A 200V

    编辑-LL MBR10200FCT-ASEMI高压肖特基二极管10A 200V 型号:MBR10200FCT 丝印:MBR10200FCT 品牌:ASEMI 封装:ITO-220AB ​正向电流:10A 反向耐压:200V 芯片大小:86MIL 反向恢复电流:10uA  特性:肖特基二极管 工作温度:-40°C~150°C 产品描述: 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。​ MBR10200FCT常用于开关电源的后端整流,ASEMI半导体健鼎一体化高速设备,同时检测产品12项参数,保障产品出厂合格,当然,ASEMI在封装工艺,原材料,物流配送,等等方面均水平,​肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路。

  • 发表了主题帖: MBR20100FCT/MBR20200FCT-ASEMI高压肖特基二极管

    编辑-LL MBR20100FCT/MBR20200FCT-ASEMI高压肖特基二极管 型号:MBR20100FCT 品牌:ASEMI 封装:ITO-220AB 正向电流:20A 反向耐压:100~200V 浪涌电流:200A 芯片个数:2 芯片尺寸:102MIL 工作温度:-65°C~175°C 特性:插件、大电流 产品描述:​ 肖特基二极管MBR20100FCT参数规格: 肖特基二极管MBR20100FCT电流:20A ; 肖特基二极管MBR20100FCT电压:100V; 肖特基二极管MBR20100FCT管装:50/管;盒装:1000PCS/盒。 肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询 取样测试。​

  • 2020-12-18
  • 发表了主题帖: MB10S-ASEMI大芯片桥堆1A 1000V

    编辑-LL MB10S-ASEMI大芯片桥堆1A 1000V ​型号:MB10S 品牌:ASEMI 封装:MBS-4 正向电流:1A 反向耐压:1000V ​漏电流:5ua 工作温度:-55°C~150°C 芯片个数:4 芯片大小:50MIL 特性:贴片桥堆 产品描述:MB10S  MBS-4封装里采用的4个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款薄插件整流桥。它的浪涌电流Ifsm为50A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成。 MB10S参数介绍它的电性参数是:正向电流(Io)为1.0A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.1V,恢复时间(Trr)达到500ns,其中有4条引线。MB10S插件封装系列,小方桥。它的本体宽度为4.0mm,整体宽度为7.0mm,长度为4.7mm,高度为2.5mm,脚间距为2.5mm,脚宽度为0.65mm,脚位距离为7.0mm

  • 发表了主题帖: DB107S​-ASEMI_50MIL贴片桥堆1A 1000V

    编辑-LL DB107S​-ASEMI_50MIL贴片桥堆1A 1000V 型号:DB107S 丝印:DB107S 品牌:ASEMI 封装:DBS-4 正向电流:1A 反向耐压:1000V 漏电流:5ua 芯片个数:4 芯片大小:50MIL 特性:贴片、小电流 运用范围:小功率开关电源,充电器,电源适配器,LED灯整流器等相关电器产品。 整流桥DB107S是很常见的一款桥堆,主要应用于小功率开关电源,充电器,电源适配器,LED灯整流器等相关电器产品做的人也很多,品质也不同!今天主要介绍ASEMI旗下50MIL大芯片DB107S! ​DB107S采用玻峰GPP 50MIL, 能够保证DB107S的输出电流和反向耐压持续稳定;同时ASEMI采用健鼎与冠魁检测DB107S的内部4颗芯片的离散型,提高4颗芯片的一致性和高可靠性,能够持续长时间工作不发热。

  • 2020-12-17
  • 发表了主题帖: ES1J-ASEMI​高速恢复贴片二极管1A 1000V

    编辑-LL ES1J-ASEMI​高速恢复贴片二极管1A 1000V 型号:ES1J 丝印:ES1J 品牌:ASEMI 封装:SMA 正向电流:1A 反向耐压:1000V ​特性:贴片、小电流 恢复时间:35ns 浪涌电流:30A 工作温度:-65°C-150°C ES1J的电性参数:大正向平均电流1A;大反向峰值电压600V。 ES1J的包装方式:10K/盒,100K/箱。 快恢复二极管被广泛适用于:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用。

  • 2020-12-15
  • 发表了主题帖: US1M/US1G_ASEMI高速恢复二极管​​1A 1000V

    编辑-LL US1M/US1G_ASEMI高速恢复二极管1A 1000V 型号:US1M​ 丝印:US1M 品牌:ASEMI 正向电流:1A 反向耐压:1000V 芯片个数:1 恢复时间:100ns 特性:贴片、小电流 产品描述:高速快恢复贴片二极管 恢复二极管US1M/US1G/US1MB/US1MBF 参数规格: 恢复二极管US1M/US1MF/US1MB/US1MBF 电流:1A; 恢复二极管US1M/US1MF/US1MB/US1MBF 电压:1000V; 强元芯12年生产恢复二极管US1M/US1MF/US1MB/US1MBF,拥有170人研发团队和8500㎡恢复二极管生产厂房,恢复二极管US1M/US1MF/US1MB/US1MBF,28条台湾健鼎测试线,确保US1M/US1MF/US1MB/US1MBF的可靠性。 恢复二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。欢迎咨询 取样测试。 ASEMI整流桥制造商品牌,208人精英团队12年专研电子元器件,值得您关注。

  • 发表了主题帖: RS1M-ASEMI高效贴片恢复二极管​1A 1000V

    编辑-LL RS1M-ASEMI高效贴片恢复二极管​1A 1000V 型号:RS1M 品牌:ASEMI         封装:SMA 特性:小电流、贴片 电性参数:1A  1000V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.3V 芯片尺寸: 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-40~+150℃ 恢复时间(Trr):500us 引线数量:2 快速恢复二极管RS1MBF/RS1MB/RS1M/RS1MF 参数规格: 快速恢复二极管RS1MBF/RS1MB/RS1M/RS1MF 电流:1A; 快速恢复二极管RS1MBF/RS1MB/RS1M/RS1MF 电压:1000V; 快速恢复二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

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