轻舞飞扬2016

  • 2020-09-21
  • 发表了日志: GBP810-ASEMI快充整流桥8A 1000V

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    编辑-LL GBP810-ASEMI电源充电专用整流桥 型号:GBP810 品牌:ASEMI 封装:GBP-4 电性参数:8A 1000V 芯片材质:GPP 正向电流:8A 反向耐压:1000V 正向耐压:1.1V 特性:5mm短脚整流桥 GBP806 GBP808 电源专用整流桥 应用范围:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用 强元芯电子(广东)有限公司,成立于2008年4月,作为ASEMI公司在大陆工厂位于青岛市城阳区河套进出口加工区第二工业区。工厂引进台湾设备和技术,总投资6000万美元。工厂占地200余亩,拥有整流桥堆、肖特基二极管快恢复二极管生产厂房、汽车专用整流二极管厂房,六英寸晶圆标准化生产厂房各一栋,建筑总面积达20000多平米。

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    编辑-LL GBP610 ASEMI品牌电源专用整流桥 型号:GBP610 品牌:ASEMI 电性参数:6A 1000V 正向电流:6A 反向耐压:1000V 芯片材质:GPP 引脚数量:4 特性:5mm短脚整流桥 GBP606 GBP608 电源专用整流桥 应用范围:电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用 ASEMI品牌GBP610,系列产品GBP606、GBP608,供应GBP610,波峰GPP芯片,可靠稳定性高,产品离散性高度一致。 本产品原装,质量保证高稳定性和可靠性,欢迎咨询 取样测试。

  • 2020-09-19
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    编辑-LL WRMSB40M-ASEMI充电软桥 型号:WRMSB40M 品牌:ASEMI 封装:MSB-4 电性参数:4A 1000V 正向电流:4A 反向耐压:1000V 正向压降:1.25V 漏电流:5uA 浪涌电流:110A 芯片材质:快恢复芯片 工作温度:-55~+175 特性:快恢复软桥 ASEMI半导体大陆工厂拥有一支具有高水平研究开发和生产制造实践的人才团队,其中电子、机械、工程管理各类专业工程师及管理人才27人,他们将自己研发的20多项专利技术应用于肖特基二极管、桥式整流器和硅晶片生产线中取得良好效果。深圳ASEMI销售团队也蒸蒸日上,产品远销海外。

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    编辑-LL WRMSB30M_ASEMI快恢复软桥3A 1000V 型号:WRMSB30M 品牌:ASEMI 封装:MSB-4 电性参数:3A 1000V 正向电流:3A 反向耐压:1000V 芯片材质:快恢复芯片 浪涌电流: 引脚数量:4 特性:快恢复软桥 强元芯电子致力于显示器,适配器,电源,电磁炉,DVD,通信PC等相关产业技术方案的推广和器件配套业务,并被越来越多的国内外企业所了解和熟识。

  • 2020-09-18
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    编辑-LL MSB30M-ASEMI快恢复软桥 型号:MSB30M 品牌:ASEMI 封装:MSB-4 电性参数:3A 1000V 芯片材质:快恢复芯片 特性:贴片整流桥、快恢复软桥 快充整流桥相比传统充电器,它有哪些优势? 1、充电。氮化的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。

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    编辑-LL MSB310_ASEMI快充专用贴片整流桥 型号:MSB310 品牌:ASEMI 封装:MSB-4 电性参数:3A 1000V 特性:贴片快充整流桥 芯片材质:快恢复芯片 产品描述:快恢复软桥/恢复整流桥 快充整流桥体积小。氮化材料本身优异的性能,使得做出来的氮化比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小,同时由于更耐高压,大电流,氮化芯片功率密度更大,因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化芯片还减少了周边的其他元件的使用,电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多,也进一步缩小了体积。

  • 2020-09-17
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    编辑-LL SGBJ5016-ASEMI大功率三相整流桥​ 型号:SGBJ5016 品牌:ASEMI 封装:SGBJ-5 电性参数:50A 1600V 正向电流:50A 反向耐压:1600V 芯片材质:GPP 引脚个数:5 产品描述:三相整流桥/大功率整流桥 电机专用三相桥 强元芯电子(广东)有限公司成立于2008年,是一家集科研、开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。自主品牌ASEMI,专营整流桥、二极管、电源IC、车用二极管、整流模块等。 整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接,两只的为半桥,四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成,大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封,增强散热性能。

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    编辑-LL SGBJ3516-ASEMI电机专用三相整流桥 型号:SGBJ3516 品牌:ASEMI 封装:SGBJ-5 电性参数:35A 1600V 芯片材质:GPP 引脚数量:5 产品描述:三相整流桥/大功率整流桥 电机专用三相桥 全桥是由6只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,全桥的正向电流有5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(反向电压)有50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、700V、800V、900V、1000V、1100V、1200V、1300V、1400V、1500V、1600V、等多种规格。

  • 2020-09-16
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    编辑-LL D50XT160/D50XT120_ASEMI充电桩整流桥​ 型号:D45XT160 品牌:ASEMI 封装:DXT-5 电性参数:45A 1600V 芯片材质:GPP 产品描述:三相整流桥/大功率整流桥/台半 日本新电元同性能参数/电机专用 三相整流桥分为三相全波整流桥(全桥)和三相半波整流桥(半桥)两种。 三相全波整流桥。 全桥是将连接好的桥式整流电路的6个整流二极管(和一个电容器)封装在一起,组成一个桥式、全波整流电 一种三相全波整流桥路。三相全波整流桥不需要输入电源的零线(中性线)。

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    编辑-LL D50XT80/D50XT100_ASEMI三相整流桥 型号:D50XT80 品牌:ASEMI 封装:DXT-5 电性参数:50A 800V 芯片材质:GPP 引脚数量:5 包装方式:250/盒;2000/箱 产品描述:三相整流桥/大功率整流桥/替代台半 日本新电元同性能参数/电机专用 三相整流桥分为三相全波整流桥(全桥)和三相半波整流桥(半桥)两种。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。对输出电压要求高的整流电路需要装电容器,对输出电压要求不高的整流电路的电容器可装可不装。 D50XT80采用玻封GPP工艺芯片,密封性可靠性好,防止电性出现衰降情况 采用镭射激光打标,不易褪色防止翻新;环氧塑脂塑封稳定性好 采用无氧铜框架引脚,镀亮锡防止氧化不上锡、内阻小导电性好 采用5层大瓦楞牛皮纸箱,4道禁锢带保护,耐压耐磨可重复利用 内盒采用防潮塑膜保护,方便仓库长期存贮,上机易上锡易焊接

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