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  • 2022-04-27
  • 发表了主题帖: 氮化镓有哪些关键要点儿?你都了解吗?

    Qorvo最近总结了氮化镓有哪些关键要点儿?一起来看一下吧,这些关键要点儿,你们都了解吗? » 氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体,就像砷化镓 (GaAs) 一样。化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。   » GaN 可为射频应用带来独特的优势。GaN 独特的材料属性可为射频系统提供高功率附加效率 (PAE)、高功率输出、小巧外形、宽带宽、热优势和坚固耐用等优势。    » 许多商业、国防和航空系统都使用 GaN。GaN 独特的优势支持许多新的和现有的应用,包括雷达、卫星通信、商业无线网络和有线电视。    » GaN 对 5G 至关重要。为满足 5G 对数千兆网速和超低延迟性能的要求,设备制造商开始在大规模多路输入 / 多路输出 (MIMO) 系统中部署高功率 GaN。    » GaN 可用于整个射频前端。GaN 最初用于制造功率放大器 (PA),但现在用于低噪声放大器 (LNA)、高功率开关和混频器。   » 多种 GaN 工艺和封装选项支持不同的应用。GaN 半导体制造商已经开发了多种工艺和封装选项,使系统设计人员能够更轻松地找到适合其特定应用的分立元件、单芯片微波集成电路 (MMIC) 或模块。   » GaN 极其可靠,即使在恶劣的环境下亦是如此。GaN 在 200℃温度条件下,平均无故障时间 (MTTF) 超过 1000 万小时 ;在 225℃ 温度条件下,MTTF 超过 100 万小时,比其他半导体技术更加可靠。   » GaN 可用于大批量生产应用。美国国防部 (DOD) 将 GaN 归类为最高级别制造成熟度 (MRL)(即 MRL 10)的工艺,这意味着全速生产和精益生产实践已经就绪。   » GaN 正在开拓新市场。由于其独特的性能,GaN 开始扩展到许多新的领域,包括汽车、医疗系统和先进的科学应用。   » GaN 技术将继续发展。未来 GaN 技术和封装方面的创新将支持更高的频率、更高的电压,甚至更宽的带宽,从而进一步推动 GaN 的普及。

  • 发表了主题帖: 专家带你来谈 UWB

    近日,Qorvo UWB 事业部高级销售经理 Jessica Zhou 接受了《中国电子报》记者采访。在采访中,她分享了 Qorvo 公司对 UWB 的一些分享,现我们摘录如下:   正如文章所说,相比蓝牙等定位技术,UWB 具有超宽带宽、定位精度高、抗干扰能力强等特性。目前,UWB 技术已经应用于消费电子和工业领域。在消费电子领域,UWB 可用于寻物定位以及数字车钥匙、无感门禁、无感支付、智能家居等。工业应用包括智能制造、电力能源、煤矿、隧道等场景下的工业资产定位、仓库库存管理、关键场合人员定位、AGV(自动导引运输车)室内导航等。在相关厂商的推动下,车载领域也正在成为 UWB 的热点市场。   Qorvo UWB 事业部高级销售经理 Jessica Zhou 也指出,与手机相关的功能是 UWB 真正起量的应用,其中最刚需的功能是以手机作为数字钥匙实现汽车的安全解锁,这是 UWB 技术配合手机实现的一个刚需应用。“基于蓝牙传输到耳机的音乐是压缩过的,我们在构想基于 UWB 更高的传输速率,可以向耳机传输高保真无损的音乐,这是未来努力的一个方向。”Jessica Zhou 补充说。   据 JessicaZhou 介绍,UWB 芯片是一款短距离通信收发芯片,Qorvo 也有把收发芯片集成为带有 MCU 的 SoC。在金融支付等对安全等级要求较高的场景,可以搭配安全 SE(安全模块)去做格外的保证。她同时强调,在产品设计中,客户需要软硬件等各方面的支持,因此会看重全套参考设计的成熟度,以缩短产品的设计周期。     《中国电子报》记者在文章中说到,作为一项正在提升市场认知度的技术,UWB 的产业化发展和规模化应用,还需要产业链的完善和产业生态的强化。在生态构建方面,UWB 相关组织和企业已经开展部署,例如 fira 联盟的成立就是因应上述需求而生的。   Jessica Zhou 也认可上述观点,在她看来,生态联盟的建立能够更好地定义互联互通上的部分标准以及相应的应用案例,为厂商提供标准和流程参考。而基于智能手机的 UWB 生态构建和推广,是 UWB 规模化的基础。智能手机的普及加上外围配套企业的协同,以及具备实用价值的应用案例推广,才能更有效地推动 UWB 的规模化应用。   “目前芯片在硬件上面是比较成熟的,软件生态的建立则是一个比较长期的过程,我们希望与更多的外围厂家协同构建一个更大的互联互通市场,用更多的应用案例去触发用户使用 UWB 的功能。” Jessica Zhou 告诉《中国电子报》的记者。   对于芯片功能,Jessica Zhou 表示,Qorvo 的第二代 UWB 芯片已经面市,也在做第三代芯片的研发,会持续优化灵敏度等硬件性能并长期促进软件发展,推动 UWB 芯片实现更大的应用体量和更优的性价比。

  • 发表了主题帖: SiC FET 在未来的需求会增加吗?

    最近,qorvo在一篇文章中提到了,国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍,受汽车应用的强劲推动,尤其是在 EV 主逆变器方面的需求,SiC 市场将迎来高速增长。 报告指出,继特斯拉采用 SiC 后,2020 年和 2021 年又有多款新发布的 EV 使用SiC。此外,特斯拉创纪录的出货量帮助 SiC 器件在 2021 年达到 10 亿美元的规模。他们指出,为了满足长续航的需求,800V EV 是实现快速直流充电的解决方案,这也就是 1200V SiC 器件发挥重要作用的地方。   Yole 在报告中表示,除汽车外,工业和能源应用市场将成为 SiC 营收增长超过 20% 的市场。为此 Yole 预测,预计到 2027 年,SiC 器件市场将从 2021 年的 10 亿美元业务增长到 60 亿美元以上。       iC FET 通常用于功率转换、电路保护和电机驱动。据 UnitedSiC 的研究,所述众多应用的一个特点就是,栅极驱动器特性与其他器件(如 MOSFET 和 IGBT)兼容,这样就可以轻松地将其集成到现有设计中。   大家怎么看呢,一起来讨论一下吧。

  • 发表了主题帖: 一文了解GaN应用领域

    随着技术进步,GaN 越来越受工程师的青睐。今天就带大家了解一下GaN具体的应用领域。 军事和航天领域的应用 军事卫星 由于 GaN 比其他半导体技术更可靠、功率更高且更坚固耐用,随着制造商开始从行波管放大器 (TWTA) 和 GaAs 技术转向 GaN 技术,GaN 在这些系统中发挥着越来越重要的作用。 随着功率密度的增加,GaN 使固态单芯片微波集成电路 (MMIC) 的组合达到了以前只有 TWTA 才能实现的功率水平。例如 Qorvo 的 Spatium,它采用已获专利的空间组合技术来提高射频功率、高效率和宽带工作频率。 Spatium 采用宽带对极鳍线天线向 / 从超大的同轴波导发射,分裂成多个微带电路。 雷达 卫星网络中的射频前端 (RFFE) 将越来越多地利用 GaN 等高功率固态宽带技术。GaN 性能的持续提高有助于在 AESA 系统中提供高功率输出的解决方案。 GaN 技术的主要优势可以归结为包括线性度、功率、效率、可靠性、尺寸和重量在内的几个属性。在 AESE 系统中,可靠性极其重要,GaN 能够在更高信道温度条件下可靠运行。 GaN MMIC 的高 PAE 意味着,在特定输出功率下功耗更低,散热要求更低,运行成本更低。 此外,在雷达平台中使用高增益、高 PEA GaN MMIC 可缩减整个系统的尺寸和成本。这有助于满足新型 AESA 雷达系统更严格的尺寸、重量、功率和成本 (SWaP-C) 要求。在必须实现重量和尺寸最小化的航空航天系统中,满足 SWaP-C 要求极其重要。 电子战 EW 应用需要采用具有宽带功率和效率、小尺寸和最小重量的电子元件。这些系统还必须在较高工作温度条件下运行,具有较高可靠性,并且能够在极其恶劣的环境下工作。因此,像 GaN 和 GaAs 这样的技术被广泛使用,而且在 EW 领域,我们继续见证了基于管的系统向固态 GaN 和 GaAs 技术过渡的过程。 结合 GaN MMIC 技术和 GaN 封装的进步,进一步加速了解决方案的交付,这些解决方案可提高带宽,缩小外形尺寸,提高散热性能,并为 EW 应用提供低成本塑料封装。随着承包商寻求开发更小巧、更宽带宽、更高容量、更低成本和更强大的 EW 解决方案,GaN 成为新技术的首选。 商业应用中的用途 5G 基础设施 5G 迅速采用 GaN 的原因主要有三个 :满足增加功率输出、更高工作频率和更低功耗的需求。由于 PA 在 5G RFFE 中消耗的能量最多,系统设计人员将重点放在提高放大器效率上。幸运的是,效率是 GaN 的关键属性之一。 GaN 可将许多基础设施应用的能效提升至新高度。GaN 可降低系统功耗,从而节省运营商成本,使系统更“环保”。 对于 FWA 来说,要达到其目标千兆速度,则必须实现非常高的输出功率。如图 4-2 中所示,高效 GaN Doherty PA 能够轻松满足 65 dBm 全向性辐射功率 (EIRP) 要求。     图 4-2 :天线阵列元件数量和 RFFE 工艺技术之间的权衡。 GaN 具有较高的天线增益和较低的噪声系数,因为这些参数由波形成型增益确定。为了使用均匀矩形阵列实现 65 dBm EIRP,每个通道的 PA 功率输出将随着元件数量的增加而减少,如图 4-2 中所示。由于 GaN 每个信道的功率大于硅,所以使用 GaN 技术,天线阵列能够用更少的有源元件实现所需的功率输出。 有线宽带应用 选择 HFC 放大器时,线性度和效率是主要考虑因素,这就是为什么 GaN 是主要的技术选择。GaN 的高效性能可以实现更高的线性输出功率和较低的 DC 功耗。这样一来,有线电视设计人员就可以实现更宽的带宽和更高的数据速率,同时延长放大器之间的距离,并最大限度地提高可靠性。 商业卫星 GaN 和 GaAs 为实现各种各样的商用卫星通信应用提供支持,例如 5G 回程、超高清电视传输、移动卫星通信、飞机乘客互联网接入,以及单人可携带的(便携式)终端。 这些趋势就是制造商从基于管的系统向支持更高数据吞吐量和更小尺寸的固态设备(如 GaN)转变的原因所在。在商业卫星通信应用领域,GaN 具备显著的高功率放大优势。此外,GaN 支持卫星通信中使用的高频波段,如 X、Ku、K 和 Ka 波段。 正如军用和航空航天卫星应用开始放弃使用 TWTA 一样,商业卫星解决方案也正在经历同样的转变。这种转变是由 MMIC 或空间组合产品(如 Qorvo 的 Spatium)中使用的固态 GaN 驱动的,这些产品具有即时导通能力、所需的低电压轨、更低的噪声系数和更高的可靠性。 在5G 世代中,GaN 已经是不可缺少的重要原料,随着 GaN 技术的不断发展,其市场增长将继续加速。想进一步了解GaN 的美好未来的工程师朋友可以点击阅读原文。

  • 2022-04-20
  • 加入了学习《简化智能家居设计——QPG6100应用范例》,观看 简化智能家居设计——QPG6100应用范例

  • 2022-04-18
  • 回复了主题帖: 微带电路(清华大学)

    给力的分享,必须顶一下吧。

  • 回复了主题帖: 宽带匹配网络_黄香馥《扫描版的》

    下载看看。  

  • 回复了主题帖: 一种新型微波射频开关_4_2_的设计与应用

    学习学习,谢谢分享。

  • 发表了主题帖: 支持Matter1.0标准的设备即将闪亮登场

      随着 Matter SDK 取得了巨大进步,开发人员现在主要关注代码质量、稳定性和清理。这包括规范的几个关键领域的工作,例如访问控制功能、设备证明和安全性(与 Distributed Compliance Ledger 和 Public Key Infrastructure 相关)以及设备交互功能。此外,还加大了对超过 16 个开发平台(操作系统和芯片组)的构建和验证的力度,以便 Matter 推出一个健康的兼容平台供应链,以支持新的 Matter 设备、应用程序和生态系统。   紧随其后的最后一关,即 Matter 规范验证活动 (Specification Validation Event :SVE),现在计划在夏季举行。此次验证活动将是联盟有史以来最复杂、规模最大的一次,预计将看到来自 50 多家成员公司的 130 多台设备,代表了 15 种设备和传感器类型。与常规测试活动不同,SVE 产生正式的合规性结果,对于首批产品的认证、验证最终规范以及让测试实验室为启动正式认证计划做好准备至关重要。   下一步是什么? 秋季 Matter 1.0 将发布。之后,正式的认证计划将向所有希望对 Matter 设备进行认证的公司开放。随后会针对支持 Matter 软件升级的新产品和产品发布更多公告和发布计划。   世界上最大的品牌与来自 240 多家成员公司的同事一起,继续在 Matter 上投入无数时间。   在进行的工作实际上取决于质量、稳定性和验证——这意味着Matter 1.0处于最后阶段。为了能够拆除物联网中的围墙花园、加速增长并改善客户和消费者的体验,确信再多几个月的等待是值得的。   以上内容摘录自Qorvo的“Matter 1.0 标准:2022 年秋季到来”,想了解更详细技术信息的朋友点击阅读原文。

  • 2022-03-30
  • 发表了主题帖: GaN 技术详解来了

    为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。下面一起来看一下吧。   GaN :可靠的技术   GaN 是一项久经考验的化合物半导体技术。自 20 世纪 80 年代以来,化合物半导体一直都是高性能应用中的主导微波集成电路 (IC) 技术。这是因为与简单的硅基半导体器件相比,它们可实现卓越的速度和功率组合。   化合物半导体由元素周期表中的两个或两个以上不同元素族组成,而简单的半导体器件则由硅 (Si) 等单元素组成。如图 2-1 所示,GaN 是其中一种化合物半导体,它将元素周期表的第三列和第五列元素组合在一起,因此被称为 III-V 化合物半导体。   图 2-1 :简单半导体与 III-V 化合物半导体   这些 III-V 半导体可用于各种应用。在过去的四十年,砷化镓 (GaAs) 应用最为广泛,全球运行着数十亿个 GaAs IC。与 GaAs 相比,GaN 可实现更出色的速度和功率处理组合。在晶体管速度给定的情况下,GaN 具有出色的功率性能,因此能够在频率范围广泛的数千个应用中取代其他技术。   GaN 单芯片微波集成电路 (MMIC) 和分立式晶体管于 2000 年代后期首次投入生产,主要针对最高功率水平的固态应用。在毫米波 (mmWave) 应用中,GaN 已在更高的功率水平方面取代了 GaAs,与竞争技术中 MMIC 提供的功率水平相比,GaN 可在 Ka 频段实现数十瓦的功率。在较低的频率下(如 L 频段),GaN 晶体管可实现超过 1,000 瓦的功率!   正如我们在第 1 章中提到的,GaN 可以使用多种基板材料,如硅、碳化硅 (SiC)、GaN 和金刚石。GaN 可与高热导率基板(如 SiC)兼容,从而增强了其在高功率应用中的优越性。   体管 GaN 固有的材料属性如何创造卓越的射频晶   从概念上讲,使用 GaN 构建的场效应晶体管 (FET) 与使用其他半导体材料(如 GaAs、磷化铟 (InP) 或 Si)构建的使用栅极触点或节点的晶体管类似。如果为 GaN 射频 (RF) 器件,其实现通常是耗尽型高电子迁移率晶体管 (HEMT)。   耗尽型 HEMT 对栅电极施加负偏压。这样就切断了漏极和源极之间的电流。当施加的栅电压为零时,耗尽型 FET 设计为处于开启状态 ;可通过将栅极拉大阈值电压以下将其关闭。   GaN 器件由纵向材料结构和横向结构组成,前者定义了许多固有属性,后者实现了与材料结构的接触并电荷流的控制(参见图 2-2)。与其他 FET 一样,横向结构包括源极、漏极和栅极触点。通常,附近还有其他结构提供磁场控制,如图 2-2 中所示的源场板。   GaN 工艺选项解密   通过在晶体管速度、电流能力、击穿电压、效率和可靠性之间进行权衡, 可针对目标应用对 FET 进行优化。为满足不同 GaN 应用的需求,制造商 提供了频率和功率水平范围广泛的多种工艺技术。有了多个 GaN 工艺可供 选择,电路设计人员可以将特定的 GaN 工艺技术与应用进行最优匹配,从 而简化并加快设计。图 2-3 展示了 Qorvo 的系列 GaN 工艺技术,这些技 术旨在适应多个市场领域的各种应用。   图 2-3 :AB 类性能的 Qorvo GaN 工艺技术选项。   例如,功率非常高的应用(如工作频率为 2 GHz 的 1 kW 晶体管)将受益于具有较高击穿电压的 GaN 工艺,因为它提高了工作电压和射频功率密度。工作电压的提高也会提高输出效率。这是提高接入电阻和降低晶体管速度之间的权衡。Qorov GaN50 工艺能够在 65 V 的电压条件下运行,同时也具有这些优势。   毫米波功率放大器 (PA) 应用(如工作频率为 30 GHz 的 20 W MMIC)要求使用能够在高频率条件下提供较高增益的高速器件。器件设计的权衡将有利于缩短栅极长度,最小化接入电阻,以及最大限度地提高电流容量。从而可以降低击穿电压和功率密度。Qorov GaN15 工艺能够在最高 28 V 的电压条件下运行,同时也具有这些优势。   在这两个示例中,GaN 器件提供了比其他技术更高的工作电压,从而展示了该技术固有的速度和电压优势。较高工作电压的优势不仅仅局限于 PA 电路,它还可以为整个系统带来好处。   例如 :相位阵天线系统(GaN PA 的常见应用)可能需要数百或数千个单独的功率放大器。   这些天线阵列系统中的直流配电一直都是一大难题,因为电源会占据空间,增加重量,并引起直流电源损耗。但 GaN 具有较高的工作电压,可实现更低的直流电流和出色的尺寸、重量、功率和成本 (SWaP-C) 性能,以应对这些系统所面临的直流配电挑战。   好了,这里就给大家分享最基本的内容吧,应该够大家使用了,但是想看更多详细资料的朋友点击深入了解 GaN 技术。

  • 发表了主题帖: 3D Touch未来会火吗?

    最近看到QORVO在一篇文章中提到,主流的 3D Touch 的实现方式有两种。第一种是“电容触控 + force sensor”模式,在这种模式下,电容触控负责 XY 量,force 负责 Z 量;第二种模式则全部用 force sensor 实现的“force sensor only”方案。在这种方案下,通过多颗 sensor+ 算法实现 XYZ 量的识别。这两种模式各有各的优缺点,如前者用的 force sensor 数量少,所以成本相对便宜,但适用的场景有限;后者需要成本较高,但理论上可以适应包括金属,厚手套和带水操作等多个场景,这是前者所不能做到的。 早期 3D Touch 方案的硬件成本以及其给生产和结构设计带来的新挑战和要求也阻碍了该技术的发展。以当年首次实现 3D touch 的智能手机苹果 iPhone 6S 为例。据了解,为了实现该方案,苹果不得不给手机带来一个坚实的背板来承载电容传感阵列。同时,考虑到结构变形可能会让其灵敏度发生明显变化,厂商也许就必须从结构上做更多的投入和思考。更重要的是,3D Touch 的投入会带来更高的成本,这就让不少厂商望而却步。 iPhone 6S 的 3D Touch 电容式触摸传感器   具体到组件上,如上图所示,iPhone 6S 的方案除了拥有一个传感器外,还需要一个额外的控制器。关于苹果这个设计,除此以外,笔者并没有获取到太多的信息。但有行业人士指出,市面上有一些采用“传感器 +MCU”的设计不但需要搭配多块的长条形的 FPC 模组,还要在中框开大孔,不利于散热,其功耗和成本也高。更有甚者,相关模组是开发人员根据项目需求定制的尺寸,通用性差。而其压感材料印刷易导致微裂缝,一致性、良率不如硅材质。   正是在上述种种因素的影响下,3D Touch 不如预期已成为意料之中。   然而,进入最近几年,手游市场的逐渐火热,又给了这个技术一次机会。数据分析平台 Sensor Tower 于 1 月 11 日发布的预估数据显示,2021 年全球手游市场(包括 App Store 和 Google Play 双渠道,下同)内购收入将达 896 亿,未来的增长速度也是喜人。因此如何抓住这个机遇,就成为了手机厂商工作的一个重点。这也是 3D Touch 重新被关照的原因。因为和普通应用不一样,在游戏操作上,一点点操作延迟带来的结果是完全不同,而这正是 3D Touch 所能带来的优势。   除了手机市场以外,智能汽车的兴起,也给这种技术带来了新的机会。作为近年来的全球热点之一,这个变革给汽车的设计带来了翻天覆地的变化,无论是摄像头、激光雷达,还是车联网、车内大屏,这些前所未有的变革正在给汽车使用者带来了全新体验。于是,和之前的智能手机一样。我们正在从传统汽车向智能汽车迈进,智能表面作为汽车智能化的产物之一,也引起越来越多汽车厂商的重视。   众所周知,在过往的汽车设计中,无论是因为安全还是保守,大多数汽车内部的控制几乎都是都是使用机械按键来控制的。但这在最近几年新兴造车势力的倒逼下,发生了新的变化。从中控屏开始,到智能后视镜,再到多功能方向盘以及座椅控制,汽车开始引入越来越多的智能表面产品,其中需要的关键产品就有 force sensor,以及更多更大的显示屏,电容触控,振动反馈,各种新材料等等。同样的转变也发生再电动自行车和摩托车行业,就给相应的参与者带来了机会。   站在这个“新风口”的供应商,尤其是面向手机 3D Touch 的供应商能否取得成功,就在于他们的人机接口(HMI)传感解决方案能否取得突破性的进展,这成为了这项技术能否回到主舞台的原因。   正如前文所说,之前的 3D Touch 方案创存在重重困难。而被 Qorvo 收购的 NextInput 最近表示,通过其极具竞争性的方案,能给行业带来新助力。   资料显示,NextInput 成立于 2012 年,为移动应用、真正无线立体声 (TWS)、消费、汽车、物联网、机器人、医疗和工业市场提供基于微电子机械系统 (MEMS) 的传感器解决方案。NextInput 的 MEMS 力度传感器和红外 (IR) 检测传感器以其出色的性能取代了按钮和电容式触摸解决方案,打造了新的用户接口可能性。   2021 年 5 月,Qorvo 宣布完成对 NextInput 的收购。按照他们的说法,通过这个收购,Qorvo 的 MEMS 技术产品组合得到进一步扩充,公司也能够利用基于 MEMS 的传感器加快力度感测解决方案的部署。   Qorvo移动产品事业部总裁 Eric Creviston 更是直言:“NextInput 团队为 Qorvo 的移动产品业务带来了新生力量,可为现有和新市场上的客户提供基于 MEMS 传感器的创新型产品。NextInput 不但巩固了 Qorvo 在技术和产品方面的领先地位,还为下一代人机接口解决方案带来了新的机遇。”   如面向手机市场,他们就提供了拥有多方面优势的解决方案,主要就是依赖于其 QM98000 芯片。   据介绍,这是一颗使用 MEMS 工艺打造的标准 IC,拥有线性度,一致性和可靠性高等特点拥有自动补偿校准、超低功耗以及内置温度传感器和温度补偿逻辑等特性和功能;其采样频率也最高可到 1KHz 的超快响应。值得一提的是,这颗芯片不但集成了传感器和模拟前端,无需 MCU;还拥有极其出色的灵敏度,可以只用单颗 Sensor 的信号就能覆盖半屏。再叠加 1.33 x 1.43 x 0.22mm 的业界最小尺寸封装,Qorvo 这颗芯片在 3D Touch 市场极具话题度。   Qorvo 也指出,基于这个芯片长条形模组直接替代市场上的现有方案。其提供的 Standoff 设计更是能将器件保护在中间,能够防止极端情况下碰撞。又因为中框开孔仅露出 QM98000 芯片,考虑到该芯片的小尺寸,这就使得该方案拥有开孔小,利于散热等特性。加上其信号强度支持单芯片覆盖半屏,因此该模组距上边框仅有 15mm,符合新一代手机压感设计要求。   能拥有这样优越的产品表现,这与 NextInput 过往的经历有关。据了解,他们是 3D Touch 游戏手机应用的开创者,而在客户服务方面,除了硬件以外,他们还提供包括软件、结构、算法和产测在内的全方位支持。在这样的方案加持下,Qorvo 的产品已经被广泛应用到多个品牌的智能手机上。   说了,这么一大堆,大家怎么看这个 3D Touch,它会再次火起来吗?一起来讨论一下吧。

  • 发表了主题帖: 氮化镓知多少?快来了解一下吧。

    神奇的氮化镓,,你了解吗? 没有时间? 那就从这里开始吧! 这个快速列表带起飞了解它。 » 氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。 GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体,就像砷化镓 (GaAs) 一样。 化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。 » GaN 可为射频应用带来独特的优势。 GaN 独特的材料属性可为射频系统提供高功率附加效率 (PAE)、高功率输出、小巧外形、宽带宽、热优势和坚固耐用等优势。 » 许多商业、国防和航空系统都使用 GaN。 GaN 独特的优势支持许多新的和现有的应用,包括雷达、卫星通信、商业无线网络和有线电视。 » GaN 对 5G 至关重要。 为满足 5G 对数千兆网速和超低延迟性能的要求,设备制造商开始在大规模多路输入 / 多路输出 (MIMO) 系统中部署高功率 GaN。 » GaN 可用于整个射频前端。 GaN 最初用于制造功率放大器 (PA),但现在用于低噪声放大器 (LNA)、高功率开关和混频器。 » 多种 GaN 工艺和封装选项支持不同的应用。 GaN 半导体制造商已经开发了多种工艺和封装选项,使系统设计人员能够更轻松地找到适合其特定应用的分立元件、单芯片微波集成电路 (MMIC) 或模块。 » GaN 极其可靠,即使在恶劣的环境下亦是如此。 GaN 在 200℃温度条件下,平均无故障时间 (MTTF) 超过 1000 万小时 ;在 225℃ 温度条件下,MTTF 超过 100 万小时,比其他半导体技术更加可靠。 » GaN 可用于大批量生产应用。 美国国防部 (DOD) 将 GaN 归类为最高级别制造成熟度 (MRL)(即 MRL 10)的工艺,这意味着全速生产和精益生产实践已经就绪。 » GaN 正在开拓新市场。 由于其独特的性能,GaN 开始扩展到许多新的领域,包括汽车、医疗系统和先进的科学应用。 » GaN 技术将继续发展。 未来 GaN 技术和封装方面的创新将支持更高的频率、更高的电压,甚至更宽的带宽,从而进一步推动 GaN 的普及。 想了解更多内容的点击氮化镓的十大关键要点,,了解学习吧。

  • 发表了主题帖: 一文了解增强式 eCall 汽车设计

    汽车应用领域的 eCall 设计对于很多工程师来说还是比较复杂的,今天就聊聊增强式 eCall 汽车如何设计更加最简单,分享一些射频设计专业知识和集成解决方案,帮助应对 eCall 应用中一些严苛的产品挑战。 什么是 eCall? e-Call 是欧洲的一种车辆紧急呼叫系统,可在交通事故中提供快速援助。其目标是保障生命安全、减轻伤害以及减少财产损失。 工作原理:当发生事故时,它会通过车辆的传感器自动激活紧急呼叫或 eCall。然后,该系统会自动打电话给欧洲急救服务112呼叫中心。将会有一条电话线接通急救中心,通过全球定位系统发送事故确切位置的详细信息。接下来,紧急调度中心会向该地点提供适当的援助。   自 2018 年起,在欧盟销售的所有汽车和货车都必须安装 eCall 系统。其基本理念就是缩短应急响应时间,以减少伤亡等事故。 从可靠性角度来看,eCall 系统必须具有灵活性,因为当事故发生时,电池的电源线可能会被切断,电子设备可能会断开连接或损坏。因此,需要小型电池之类的备用电源,以便 eCall 系统能够在恶劣环境条件下有效运行。 传统的紧急呼叫方法 传统的 eCall 系统传统设计方法面临的一些挑战: FR4-PC 板材料要求精心匹配,从而会增加插入损耗,降低性能。 额外的匹配和电源电路会提高系统的散热温度,从而限制系统的整体性能。 当针对不同的天线配置来配置开关阵列时,设计灵活性就会受到限制。 与非双卡双通 (DSDA) 相比,在实现更高端设计模型的通用布局方面,DSDA 的能力比较有限。 解决方案通过集成应对挑战 通过在一些射频路径上实现简单集成,可轻松地解决复杂性问题。虽然这种方法明显减少了一些复杂性、路径损耗和匹配挑战,但对您的设计改进没有多大的帮助。如图 1中所示,集成一些开关确实有助于减少匹配,无需使用许多 GPIO 控制,用更少的 MIPI(MIPI — 移动产业处理器接口)控制来代替,并减少开关的数量。这种方法还可以节省成本,尽管与完全集成的方法相比,实现的成本节省非常少。     图 1:具有一定集成度的 eCall 开关架构示例。 如图 2 和 3 中所示,采用完全集成的方法可实现图 2 所示集成无法实现的更多改进。图2 采用 DSDA 开关选项架构,减少了前端匹配和射频损耗,使用一个 RFFE MIPI 控制,将所有分频器集成在一个封装内,并减少了材料成本和设计时间。   图 2:完全集成的 eCall 开关架构示例 — 使用引脚兼容的可选 DSDA (QPC1252Q)。 图 3 所示设计与图 2 类似,但未集成 DSDA 开关选项架构。然而,它仍需要少量的射频前端匹配,以提供图 2 中所示的所有优势。     图 3:完全集成的 eCall 开关架构示例 — 使用非 DSDA (QPC1251Q) 路由开关。 Qorvo 扩大汽车 eCall 解决方案组合,以改善紧急通信 Qorvo 面向紧急呼叫 (eCall) 的高性能宽带天线开关有助于确保在事故发生后与救生服务保持连接。利用这些开关,车辆的主蜂窝信号能够自动中继(或热切换)至未受损的汽车天线,以寻求帮助。 Qorvo 汽车系列产品新增了 QPC1220Q 高线性度宽带双刀四掷 (DP4T) 天线路由开关,它的工作范围完全符合 AEC-Q100 2 级汽车认证要求。它具有高达 +34 dBm 的热切换能力,非常适用于所有远程通信控制单元 (TCU) eCall 和天线路由配置。此外,它还可以减少高达 1 dB 的插入损耗,从而尽可能提高传递到外部 eCall 天线阵列的有效功率,即使在信号覆盖受限的区域,也可以实现更好的蜂窝和 5G 连接。 灵从电子角度来说,我们的汽车越来越复杂,基本上成为一种新型移动设备。随着射频连接基础设施日益普及,我们的汽车将更加安全,彼此之间以及与我们现有无线生态系统之间的连接也更加紧密。利用集成式 eCall 开关系统解决方案就介绍这么多吧,想了解更详细的设计细节的朋友请点击阅读原文。

  • 加入了学习《解决5G射频设计带来的挑战》,观看 解决5G射频设计带来的挑战

  • 加入了学习《未来属于UWB》,观看 未来属于UWB

  • 2022-03-19
  • 发表了主题帖: GaN 技术可以创造卓越的射频晶吗?

    从概念上讲,使用 GaN 构建的场效应晶体管 (FET) 与使用其他半导体材料(如 GaAs、磷化铟 (InP) 或 Si)构建的使用栅极触点或节点的晶体管类似。如果为 GaN 射频 (RF) 器件,其实现通常是耗尽型高电子迁移率晶体管 (HEMT)。   耗尽型 HEMT 对栅电极施加负偏压。这样就切断了漏极和源极之间的电流。当施加的栅电压为零时,耗尽型 FET 设计为处于开启状态 ;可通过将栅极拉大阈值电压以下将其关闭。   GaN 器件由纵向材料结构和横向结构组成,前者定义了许多固有属性,后者实现了与材料结构的接触并电荷流的控制(参见图 2-2)。与其他 FET 一样,横向结构包括源极、漏极和栅极触点。通常,附近还有其他结构提供磁场控制,如图 2-2 中所示的源场板。   静观其变 Qorvo 制作了一个非常有用的视频,解释如何正确地打开或关闭 GaN HEMT 晶体管。欲查看“如何偏置 GaN 晶体管 :入门教程”,请访问 : www.qorvo.com/design-hub/videos/how-to-bias-gantransistors-an-introduction-tutorial。   图 2-2 :基本的 GaN FET 几何结构。   下面为图 2-2 所示内容 :  » 屏障提供了两个关键功能 :实现栅极和信道之间的隔离,以及支持电子流动的电荷容量。它通常由氮化镓铝 (AlGaN) 制成。   » 信道为纯 GaN。它可以为漏极触点和源极触点之间的电流提供传导路径。GaN 的高饱和速度和迁移率可实现器件漏极和源极之间的高速传输和电流电平。   » 缓冲用于限制信道内的电荷流,以避免泄漏到基板,并保证晶体管器件之间的隔离。   » 基板决定了器件的机械和散热性能。功耗较高的器件可受益于具有较高热导率的基板。SiC 基板材料使用便捷,可提供出色的散热性能,同时兼容 GaN 材料生长和 MMIC 制备。 以下是横向结构的重要功能 :  » 器件的栅极控制从漏极到源极触点且流经器件的电流。栅极的 长度决定了器件的速度和电子流经控制区域的时间。   » 源极和漏极触点提供本征器件的低阻接入。栅极与这些触点之 间的隔离不仅会产生不必要的寄生接入电阻,而且还会增加支 持预期操作所需的击穿电压。   GaN 工艺选项解密   通过在晶体管速度、电流能力、击穿电压、效率和可靠性之间进行权衡, 可针对目标应用对 FET 进行优化。为满足不同 GaN 应用的需求,制造商 提供了频率和功率水平范围广泛的多种工艺技术。有了多个 GaN 工艺可供 选择,电路设计人员可以将特定的 GaN 工艺技术与应用进行最优匹配,从 而简化并加快设计。图 2-3 展示了 Qorvo 的系列 GaN 工艺技术,这些技 术旨在适应多个市场领域的各种应用。   图 2-3 :AB 类性能的 Qorvo GaN 工艺技术选项。   例如,功率非常高的应用(如工作频率为 2 GHz 的 1 kW 晶体管)将受益于具有较高击穿电压的 GaN 工艺,因为它提高了工作电压和射频功率密度。工作电压的提高也会提高输出效率。这是提高接入电阻和降低晶体管速度之间的权衡。Qorov GaN50 工艺能够在 65 V 的电压条件下运行,同时也具有这些优势。   毫米波功率放大器 (PA) 应用(如工作频率为 30 GHz 的 20 W MMIC)要求使用能够在高频率条件下提供较高增益的高速器件。器件设计的权衡将有利于缩短栅极长度,最小化接入电阻,以及最大限度地提高电流容量。从而可以降低击穿电压和功率密度。Qorov GaN15 工艺能够在最高 28 V 的电压条件下运行,同时也具有这些优势。   在这两个示例中,GaN 器件提供了比其他技术更高的工作电压,从而展示了该技术固有的速度和电压优势。较高工作电压的优势不仅仅局限于 PA 电路,它还可以为整个系统带来好处。   例如 :相位阵天线系统(GaN PA 的常见应用)可能需要数百或数千个单独的功率放大器。   这些天线阵列系统中的直流配电一直都是一大难题,因为电源会占据空间,增加重量,并引起直流电源损耗。但 GaN 具有较高的工作电压,可实现更低的直流电流和出色的尺寸、重量、功率和成本 (SWaP-C) 性能,以应对这些系统所面临的直流配电挑战。 怎么样,清楚GaN 技术如何创造卓越的射频晶吗?以上内容来自Qorvo的深入了解 GaN 技术,大家一起来讨论一下吧,这项技术能否创造出卓越的射频晶吗?

  • 发表了主题帖: UWB推动组织你了解吗?它们又是如何介绍UWB的呢?

    UWB推动组织——Fira联盟,给大家介绍一下,为了将UWB推广全球,2019年8月,由恩智浦、三星、博世、索尼等公司组建了FiRa联盟(fine ranging,发音为“fee-rah”),参与厂商涵盖UWB芯片、设备和应用解决方案商,此联盟旨在利用UWB技术推动用户无缝体验,发展UWB生态系统。 下面来介绍一下,Fira联盟对这个技术技术的科普。以下内容摘录自什么是UWB ? 在例如停车场、医院、机场和高密度场馆等具有挑战性的应用环境中,UWB技术在准确性、功耗、无线连接的可靠性和安全性方面远远优于其他技术。 换而言之,UWB 能够安全地以非常高的准确度确定设备的相对位置,并且可以在高达 200 米的视线范围内运行。与窄带无线技术相比,高带宽的使用意味着 UWB 提供了非常稳定的连接,几乎没有干扰,并提供高度精确的定位,即使在拥挤的多路径信号环境中也是如此。     通过计算精确位置,基于 UWB 的精细测距是一种更安全的关闭和打开锁的方法,无论这些锁安装在车门、仓库入口、会议室还是您的前门。 在以前,UWB是一种用于高数据速率通信的技术,因此与 Wi-Fi 直接竞争。但从那时开始,UWB经历了几次转变: UWB 从基于 OFDM 的数据通信发展为 IEEE 802.15.4a(2ns 脉冲宽度)规定的脉冲无线电技术; IEEE 802.15.4z(在 PHY/MAC 级别)中指定了安全扩展,使其成为一种独特且安全的精细测距技术; 从数据通信转向安全测距允许各种应用程序利用空间上下文功能,包括免提(hands-free)访问控制、基于位置的服务和设备到设备(peer-to-peer)服务。 UWB 技术的起点是 IEEE 标准 802.15.4 和IEEE802.15.4z-2020 Amendment 1。 Amendment 1是低速率无线网络的 IEEE 标准,涵盖增强的超宽带 (UWB) 物理层 (PHY) 和相关测距技术。802.15.4 标准广泛用于各种使用测距功能的应用中,例如高速 PHY (HRP) 和低速 PHY (LRP)。一般来说,IEEE 802.15.4 标准定义了 PHY、MAC 和子层,重点是低数据速率无线连接和精确测距。为在不同地理区域以各种免许可品牌运行的设备定义了不同的 PHY。 2018 年 1 月,为响应增强操作的需求,成立了 802.15.4z 任务组,为 HRP 和 LRP 定义 PHY 和 MAC 层。 IEEE802.15.4z 专注于额外的编码和前导选项(preamble options),以及对现有调制的改进,以提高测距测量的完整性和准确性,无线电的典型范围可达 200 米。支持附加信息的元素的定义将有助于测距信息的交换。 FiRa 联盟的目标是在 IEEE 已经为 HRP 建立的基础上再接再厉。这意味着使用可互操作的 HRP 标准支持 IEEE 的工作,该标准包括性能要求、测试方法和程序,以及基于 IEEE 配置特征的认证计划。 它还意味着定义超出 IEEE 标准范围的机制,包括应用层——发现 UWB 设备和服务并以可互操作的方式配置它们。我们还在开展许多其他活动,例如为多个垂直行业开发服务特定协议,并为一系列应用程序定义必要的参数,包括物理访问控制、基于位置的服务、设备到设备服务等。   UWB如何工作以及UWB技术的比较,感兴趣的朋友可以点击原文了解。  

  • 2022-03-10
  • 发表了主题帖: 带您通过Wi-Fi 联盟了解Wi-Fi 6 / 6E的未来

    Wi-Fi 技术为我们的家庭和企业打造了一条无线高速路。Wi-Fi 是一项国际标准,但其部署因地区而异。欧洲的 Wi-Fi 部署有何不同?Igor Lilicevic 考察分析了欧盟的 Wi-Fi 部署情况,以帮助工程师从容应对各种复杂难题。   1.Wi-Fi 联盟和Wi-Fi 标准的制定组织 Wi-Fi 联盟是由 Wi-Fi 生态系统中的半导体公司、运营商、终端客户以及其他组织共同组成的联盟。其目标是使用基于 Wi-Fi 标准的网络技术展开协作,共同促进和推广开放式无线通信。 电气与电子工程师学会 (IEEE) 负责制定标准,规定 Wi-Fi 必须遵守的技术规范。Wi-Fi 联盟根据这些规范制定测试计划、服务以及认证计划。这可确保 Wi-Fi 产品符合相互兼容的规范指南并提供预期的性能和功能。 在欧洲,ETSI(欧洲电信标准协会)是负责信息和通信技术 (ICT) 标准化的官方认可机构。 2. Wi-Fi 联盟在欧盟实施 Wi-Fi 技术时所面临的最大挑战 随着 Wi-Fi 不断增加频谱(捕获 5 GHz 以上的更高频率),它会逐渐侵占其他服务所使用的频谱。运输和固定卫星系统等现有服务是在欧盟实施 Wi-Fi 的最大挑战。 3. 与美国相比,欧盟的 Wi-Fi 功率水平是否不同? 在全球,不同的 Wi-Fi 无线电频段需要使用不同的监管功率限制。您购买的每台设备都不得超过相关监管域设定的任何功率限制。在欧盟,ETSI 定义了适用于 Wi-Fi 的功率限制。欧盟的功率水平实际上低于美国。这带来了射频范围的一些难题,但有利于减少欧洲碳足迹和提高网关功率效率。 4.在欧洲实现 Wi-Fi 6E 和 Wi-Fi 7 的速度和容量目标的主要障碍 在全球,只有 44% 的宽带连接速度高于 50 Mbps。但如今,英国的光纤覆盖率为 24%,西欧为 43%,因此要实现 2025 年的目标还有很多工作要做。要充分发挥 Wi-Fi 6 和 Wi-Fi 7 网关的优势,需要将光纤连接准备就绪。 6.Wi-Fi 联盟对未来的展望 Wi-Fi 联盟的一项主要职能是在整个生态系统中推广无线技术和互操作性,致力于激励创新和促进 Wi-Fi 6 / 6E 和 Wi-Fi 7 等新一代生态系统的发展。 Wi-Fi 联盟的愿景是 2022 年 Wi-Fi 6 产品出货量超过 35 亿台。Wi-Fi 联盟预计,今年将有近 20% 的 Wi-Fi 6 设备出货量支持 6 GHz,到 2025 年 Wi-Fi 6 产品出货量将达到 52 亿台,其中将有 41% 是 Wi-Fi 6E 设备。 基于 Wi-Fi 6 / 6E 标准的 Wi-Fi 6E 频率扩展实现了真正互联的智能家居,能够同时支持多个用户和互联设备以数千兆 Wi-Fi 网速进行流式传输。 总之,Wi-Fi 也追随同样的互联网趋势,因此现在对于 Wi-Fi 来说是一个激动人心的时代!所以想了解更多详细技术内容的朋友,点击阅读原文吧。  

  • 2022-03-03
  • 加入了学习《北京邮电大学804考研 :信号与系统历年真题讲解 》,观看 信号历年真题-第1节

  • 加入了学习《为何大量室内无人机定位方案会选用 Qorvo 的 UWB 技术?》,观看 Qorvo UWB 芯片的无人机空中表演。

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杨风feeling 2019-9-9
您好,最近在做无线充电的项目,请问有资料或文献推荐吗?
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