shaorc

  • 2019-05-24
  • 回复了主题帖: 芯片驱动功率和负载大小的问题

    maychang 发表于 2019-5-24 12:37 在负载为4欧姆的情况下,左边图  怎么供电电压只到了14V不到,是不能继续加压了吗?而在8欧姆负载下,电压 ...
    输出功率根据 P=U2/R 变形成为U=√P*R,如果假设输出功率不变(首贴说明的是单通道40W) 然而负载在8Ω和4Ω两种情况下 后者的电压确实要小于前者的电压 这也证明了图3的供电电压,为什么是25V(8Ω),14V(4Ω)了。 是这么解释?

  • 发表了主题帖: 芯片驱动功率和负载大小的问题

    如图1,数字功放芯片TPA3106的使用说明中,明确写道25V供电的情况下,对于8Ω的负载可以输出单通道40W的功率。 但是图1右边,却说道,IC可以驱动双通道最小4Ω的扬声器负载。 【1】结合图2可知,该IC只支持单通道,那么图1右边所说的stereo speakers是指在图2的输出,是由多个扬声器并联而成,而并联后阻抗最低为4Ω,同时也可以达到40W的输出功率吗? 【2】如果是这样,为什么还要单独说单通道8Ω的工况呢?      图1 图2 【3】如图3,在负载为4欧姆的情况下,左边图 怎么供电电压只到了14V不到,是不能继续加压了吗?而在8欧姆负载下,电压可以到25V 而且TI公司TPA系列下的功放芯片datasheet中,都是2欧姆、3欧姆、4欧姆、8欧姆的负载来绘制电气性能曲线图(比如供电电压和输出功率之间的关系图) 除此之外的负载大小(比如5欧姆)就只能通过试验来测量输出功率了? 图3

  • 2019-05-23
  • 回复了主题帖: 铝电解电容的选取问题

    maychang 发表于 2019-5-23 12:23 “说到关于输入电源的滤波电容选型,是根据RC时间常数近似等于3-5倍的电源半周期进行计算” 那是对工频 ...
    “对开关电源整流滤波,尤其是反激开关电源,整流滤波的电容量更大。” 我记得是要根据 功率P 和 输入电压U 来进行初步的选择,通过电源输出功率和效率算出输入功率, 再通过一个系数,忘记是多少uF/W来进行初步选择 不知道对不对

  • 回复了主题帖: 铝电解电容的选取问题

    chunyang 发表于 2019-5-23 12:27 直流供电的滤波主要是考虑纹波参数,满足后级要求即可。如果是做短时后备电源,需要根据掉电后的工作时间和 ...
    “直流供电的滤波主要是考虑纹波参数,满足后级要求即可。楼主的电路中电容的工作电压还谈不上什么容量衰减,可以不必关心。” 我现在的贴图正是直流供电,不涉及到短时后备电源的功能,那就是主要考虑纹波的参数了?但是芯片也没有提及关于供电的纹波的参数,估计是没有过多要求。 而且铝电解电容的容值是如何选择(比如470/680/820uF),看到的选择方式很多,对于这种很低电压等级的来说,是不是要根据经验值,没有固定?

  • 发表了主题帖: 铝电解电容的选取问题

    常用铝电解电容给电源电压做滤波、储能用但是无论对于交流输入还是直流输入的电压源,铝电解电容的容值如何选择呢? 自己查阅的设计资料 说到关于输入电源的滤波电容选型,是根据RC时间常数近似等于3-5倍的电源半周期进行计算 而对于芯片直接供电的直流电压,没有什么大量资料,看到过的推荐电路和实际电路,常见的选型容值就是470uF,680uF,820uF等 唯一不同的就是选用的数量。 【1】对于给芯片供电的电源的滤波、储能电容,容值选择是有计算方法吗,还是依靠经验多一些 【2】对于铝电解电容当做滤波储能用,是不是还要考虑它的 DC Bias ,即加在电容的电压越大,电容容值会有衰减。(这也是为什么有时要选择多个大电容并联,并不仅仅是因为并联扩容,而是因为当加在电容上的电压达到一定数值时,电容容值达不到它铭牌上的容值。) 【3】图示中的芯片有六个引脚需要外部电源供电,这是不是也是需要增加铝电解电容数量的一个因素?

  • 2019-05-22
  • 回复了主题帖: PNP三极管be极间电阻的作用分析

    maychang 发表于 2019-5-22 09:41 “其次,R2与R3分压(Vin-VT1)的电压 R3值要比R2大还是小?” 列方程求解,因为双极型三极管输入电流 ...
    恩,我按照这个来做做

  • 回复了主题帖: MOSFET漏源极之间的RC电路设计问题

    maychang 发表于 2019-5-22 09:45 “如果是这样的话,那么8楼的贴图中,RC电路(3.3Ω+10nF),不是应该LC电路之前(第一个绿色箭头处)更 ...
    我也不明白8楼图中 1nF(红色框)电容存在的必要,觉得可以去掉 那么10uH与1uF组成LC低通滤波 再加上10nF和3.3R组成的RC吸收电路 这样倒是可以理解通 但是RC电路要起作用,也应该放在LC之前,即电路输出后先接入RC电路才对

  • 回复了主题帖: MOSFET漏源极之间的RC电路设计问题

    maychang 发表于 2019-5-21 19:28 “针对自己的PCB板来说,在输出端(OUT)测量输出波形的频率,这个输出端应该是选在LC滤波之后(第二个绿 ...
    嗯,的确是在第一个箭头处进行波形频率测量 这样的话还要预留出一个外接电容的位置 结合文献中的这句话,看起来LC低通滤波是降低了振铃和电压过冲等问题 但是RC电路主要还是要减小电压对MOS管的冲击。 如果是这样的话,那么8楼的贴图中,RC电路(3.3Ω+10nF),不是应该LC电路之前(第一个绿色箭头处)更好吗?怎么接到了LC之后靠近负载扬声器的地方?

  • 回复了主题帖: PNP三极管be极间电阻的作用分析

    maychang 发表于 2019-5-21 18:08 “那么让R2直接与V1发射结串联,就是不要R3,没看出这样的不好之处在哪儿?” 没有R3(开路),那么流过 ...
    嗯,知道R3的作用了 对于R3的取值,有哪些计算条件?我能想到以下的条件 首先,R3与PNP的发射结并联,要使得R3上电压大于0.7V才可以导通PNP 其次,R2与R3分压(Vin-VT1)的电压 R3值要比R2大还是小?

  • 2019-05-21
  • 回复了主题帖: MOSFET漏源极之间的RC电路设计问题

    maychang 发表于 2019-5-21 11:57 是的。事先我们很难知道这些分布参数的数值,也很难知道元器件在电路板上布局变化对分布参数有多大影响。
    对了,针对我首贴在如下这段话 “【2】再在图1下管MOS的漏源极之间接一个外接电容Cext(图中未画出) 由此再计算出一个谐振频率f1。根据图3中的公式,计算出寄生电容Coss。” 见过两篇设计资料发现外接电容似乎是按照经验值选取了1nF, 【1】而且看到功放芯片的推荐电路中,如图下,也有这个1nF电容(红色框所示), 不知道这里的1nF是不是就是为了计算出后面得RC(3.3Ω和10nF) 【2】针对自己的PCB板来说,在输出端(OUT)测量输出波形的频率,这个输出端应该是选在LC滤波之后(第二个绿色箭头处)的吧,而不是LC滤波前(第一个绿色箭头处)?

  • 回复了主题帖: PNP三极管be极间电阻的作用分析

    cruelfox 发表于 2019-5-21 16:40 R3, R2 串联起来已经起到 R1 的功能了
    哈哈 是啊 才发现了

  • 回复了主题帖: PNP三极管be极间电阻的作用分析

    maychang 发表于 2019-5-21 16:49 如果没有R3(开路),那么R2与V1发射结串联,流经R2的电流也完全流入V1基极,继而产生V1集电极电流(扩大V1的 ...
    那您的意思是在R2上的基极电流不大时,PNP是不导通的,因为R3的电阻小于此时V1发射结的电阻 而是R2上电流达到一定数值,才会导通PNP,减少Q1的电流,最终实现过压关断的目的 那么让R2直接与V1发射结串联,就是不要R3,没看出这样的不好之处在哪儿?

  • 回复了主题帖: PNP三极管be极间电阻的作用分析

    cruelfox 发表于 2019-5-21 16:29 这是要做超压关断保护吗? R2, R3是分压,不能省掉R3. 倒是 R1可以不用。 PNP管子并非是饱和/截止两种状 ...
    是做过压关断保护用的 R3不能省略这个明白 但是R1也不能不要,它是稳压二极管VT1的限流电阻

  • 发表了主题帖: PNP三极管be极间电阻的作用分析

    如图下, 如果没有电阻R3,则A点电压(即Vin)大于(VT1+Vbe)时,PNP就导通 如果现在加入电阻R3,则R3上的电压等于PNP管Vbe电压。 则有计算式,Ur3=Vbe=(R3/(R2+R3))*(Vin-VT1),说明加入R3可以影响到PNP的导通。 【1】是必须要加入R3吗? 【2】R3还可以防止PNP的漏电流,即当基极没有电流输出入时,PNP管可能也有少量的电流流过,而让这个漏电流消耗在R3上?

  • 回复了主题帖: MOSFET漏源极之间的RC电路设计问题

    maychang 发表于 2019-5-21 11:57 是的。事先我们很难知道这些分布参数的数值,也很难知道元器件在电路板上布局变化对分布参数有多大影响。
    明白,谢谢

  • 回复了主题帖: MOSFET漏源极之间的RC电路设计问题

    maychang 发表于 2019-5-21 09:40 “难道就是这样测出了首贴中的f0和f1等参数,然后带入计算?” 就是这样。 “带入”应为“代入”。
    原来是这样操作 那岂不是要在PCB板上先预留出RC电路器件的焊接位置(按照经验估计封装大小) 再通过勾波形的方法,反算出RC的参数?

  • 回复了主题帖: MOSFET漏源极之间的RC电路设计问题

    maychang 发表于 2019-5-20 19:58 “但是如何测试出寄生电感电容的谐振频率f0” 非寄生的电感或电容,你会测量了么?
    后来看了算例,发现也无需测量电感电容    图1 如图1,是首贴资料中给出的一个算例 这时算例中测量到的out的输出波形,此时未加RC吸收电路 此时电路输出明显有超调,振铃等现象 同时也测量出了波形的频率为111.1MHz。    图2 再在输出out端对地接一个1nF的电容,再次测量出输出波形的频率(45MHz) 难道就是这样测出了首贴中的f0和f1等参数,然后带入计算? 而且也有说法是RC电路在桥式输出拓扑中不需要加入 难道RC吸收电路并不是必须的?

  • 2019-05-20
  • 发表了主题帖: MOSFET漏源极之间的RC电路设计问题

      图1 如图1,在class-D amplifier 的输出级长采用推挽输出。为了减少由于上管MOS的体二极管的反向恢复过程,而带来的高频振荡冲击,常在下管MOS的漏源极之间加入RC吸收电路 在一篇设计RC吸收电路的资料中,看到了这样的方法 其理念是先计算出下管MOS的寄生电容Coss和寄生电感Lp(Lp的大小未有说明是哪些电感之和)的大小 然后再计算出RC电路中的电阻、电容值。 具体如下 【1】首先计算出寄生电感电容的谐振频率f0,如图2   图2 【2】再在图1下管MOS的漏源极之间接一个外接电容Cext(图中未画出) 由此再计算出一个谐振频率f1。根据图3中的公式,计算出寄生电容Coss。     图3 【3】由于Coss计算出来了,根据图2的公式反推出寄生电感Lp。 【4】由图4所示,根据寄生电容、电感计算出阻尼因数(damping factor),且根据阻尼因数取1时为最佳来计算Rsn,即RC吸收电路中的电阻值。   图4 【5】最后,根据经验值,采用寄生电容Coss的三倍的容值,为RC吸收电路的电容。 图5 文档的最后结论处说明了,此电路依靠了很多实际经验来设计。 但是如何测试出寄生电感电容的谐振频率f0 而且外接的电容Cext的大小是任意选择吗?同样如何测试出外接电容后的谐振频率f1?

  • 2019-05-19
  • 发表了主题帖: RC snubber circuit 设计原理

    本帖最后由 shaorc 于 2019-5-19 18:17 编辑 如图,为了减少音频信号接入扬声器负载时,电压突波对负载的冲击,以及振铃效应 要加入RC snubber circuit RC吸收电路(红框),或者茹贝尔电路 看过几个案例设计的拓扑,电阻的阻值很小,只有几Ω,而且电阻功率稍微大一点点 而电容基本是十几nF 现在想知道设计吸收电路的设计原理

  • 2019-05-16
  • 发表了主题帖: AD2018原理图连线的颜色改变

    如图上,是AD2018中两种不同颜色的wire连线 (只看两种蓝色的线) 我想把下面线的颜色改为和上面的线的颜色一样,上面的线颜色是系统默认色,想用它。   图1 图1 就是系统默认颜色,也是我想用的颜色,只能找到它的颜色ID号码,箭头所指数字 而图2是我现在所用的颜色,也只能找到颜色ID号码 我怎么把连线wire颜色改变成图1的颜色呢?   图2

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