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个性签名:存储芯片/MCU/SRAM/PSRAM/DDR/FLASH/MRAM。web.www.sramsun.com  QQ3161422826 TEL:13751192923

  • 2019-03-12
  • 回复了主题帖: 如何选择低功耗非易失性存储器应用在智能电表

    MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比,铁电存储器(FRAM)可降低系统成本,提高系统效率,降低复杂性,而且大大降低功耗。

  • 回复了主题帖: 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM

    针对物联网来说,数据数据传速速率较高时还可以选用DDR SPI SRAM,此种产品仅需要13 I/O,实现400MB/s或者3.2Gbps的数据吞吐速率。 Ramsun可以依据客户不同方案,推供不同性价比的16Mb,32Mb,64Mb SPI/QPI 和DDR SPI SRAM. 同时Ramsun也提供并行的SRAM和PSRAM供STM32F1xxx系列MCU外扩选择用。

  • 回复了主题帖: MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案

    对于数据传速速率较高的应用场合,Ramsun可以提供DDR SPI SRAM,此种产品仅需要13 I/O,实现400MB/s或者3.2Gbps的数据吞吐速率。 Ramsun可以依据客户不同方案,推供不同性价比的16Mb,32Mb,64Mb SPI/QPI 和DDR SPI SRAM. 同时Ramsun也提供并行的SRAM和PSRAM供STM32F1xxx系列MCU外扩选择用。

  • 回复了主题帖: 0-10V调光电源的单芯片解决方案

    学习学习~~感谢楼主分享~~{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}

  • 回复了主题帖: LCD1602动态显示--基于MSP430F149单片机

    感谢分享,学习学习~~{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}

  • 回复了主题帖: 315——聊聊你在购物过程中是如何“踩坑”和“避坑”的?

    找正规代理商购买或者在有授权的大品牌平台购买都是有保障的,不然产品出问题了~后续问题一大堆~

  • 回复了主题帖: 《新概念模拟电路》——信号处理电路,杨建国新书

    感觉还不错~下载来学习一下^_^谢谢楼主分享~~{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}

  • 2019-03-11
  • 回复了主题帖: 特斯拉在中国大幅调价,这时候我们更应该了解一些知识!

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  • 回复了主题帖: MSP430单片机的LCD液晶模块详解:LCD、LCD_A、LCD_B、LCD_C、LCD_E

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  • 回复了主题帖: 国外经典电子图书推荐---电路基础(第3版)

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  • 回复了主题帖: 新型非易失性存储器FRAM与MRAM的简介

    Everspin推出一款4Mb的MRAM存储器具有35奈秒的读写周期和无限长的耐久时间。该产品比闪存更快,但密度稍低。它更容易整合(在整个制程中仅需5个光罩层),不必像使用闪存那样在晶体管级进行重新设计。在设计中采用的所有其它核心技术都可以保持不变,并以相同的方式工作。” MRAM比闪存更容易缩小尺寸,MRAM位单元可以缩小到65纳米节点,而且很可能可以进一步缩小。”

  • 回复了主题帖: Thinkpad 高级扩展坞40A80045CN拆解 & 小改造(2)

    厉害了,{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}{:1_103:}

  • 回复了主题帖: iTOP-iMX6开发板-Android-can测试例程介绍

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  • 回复了主题帖: 学习TI E2E 工业设计资料抢楼有礼

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  • 回复了主题帖: 免费申请:DCM产品评估样品等你来拿!

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  • 回复了主题帖: 有奖直播开拓IoT社会 尼吉康的新蓄电装置

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  • 回复了主题帖: 语音合成芯片与语音芯片对比

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  • 发表了主题帖: 新型非易失性存储器FRAM与MRAM的简介

    FRAM铁电存储器FRAM使用铁晶体管材料(通常是氧化物),其特点是无需借助外部电场就可以永久切换电偶极子力矩(代表极性分子的极性大小)。因而,这种内存是非挥发性的。大量的铁电材料会自然形成纳米级偶极子。Celis半导体、Hynix、Macronix、英飞凌、Ramtron、三星、三洋、TI和东芝公司都在进行FRAM研究。理论上,使用量子点作为储存单元的FRAM具有潜力创造出令人难以置信的储存密度。 “我们已经在进行量产,每季出货量也达到了数百万片,但我们所针对的主要是那些需要闪存无法提供的特殊性能应用。”Ramtron公司副总裁Mike Alwais说,“这些新技术所面临的制造挑战被低估了,它其实是比看起来要困难得多。” 为了生存,Ramtron公司找到了一个小型市场以使其研发努力能够维持下去。目前,该公司提供的大部份产品直接替代SRAM被应用于安装有后备电池的数据撷取设备。Ramtron公司的最新芯片是一款1Mb的FRAM,它能够以插件方式替代类似尺寸的SRAM。该组件的设计尺寸已经缩小到0.13微米节点, 该公司对FRAM的长期成功寄予了很高的希望,甚至超过闪存。“由于它不需要使用非常薄的氧化物或高电压,我们的客户相信FRAM在先进的节点(65纳米或更小)上能够比闪存更容易缩小尺寸,”Alwais说。 嵌入式FRAM在需要低功率非挥发性内存的场合具有重要意义,它能够以一种更直接的方式嵌入于芯片中,而且具有比其它任何替代品更好的性能。MRAM除FRAM之外,另一种有前途的技术是MRAM。MRAM在三明治结构的磁阻中储存位,这种三明治结构包含一个固定磁层、一个氧化物磁阻和一个自由磁层。两个金属电极使自由层在两个磁极状态间进行切换。状态是透过检测阻值的变化来读取。 Everspin推出一款4Mb的MRAM存储器具有35奈秒的读写周期和无限长的耐久时间。该产品比闪存更快,但密度稍低。它更容易整合(在整个制程中仅需5个光罩层),不必像使用闪存那样在晶体管级进行重新设计。在设计中采用的所有其它核心技术都可以保持不变,并以相同的方式工作。” MRAM比闪存更容易缩小尺寸,MRAM位单元可以缩小到65纳米节点,而且很可能可以进一步缩小。” 此内容由EEWORLD论坛网友英尚微电子原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处

  • 发表了日志: 新型非易失性存储器FRAM与MRAM的简介

  • 回复了主题帖: 非易失性MRAM存储是否适合用于ADAS 安全系统存储

    MRAM可以支持100亿次写操作,远远超过 EEPROM 的 100万次以及闪存的10万次。因此,MRAM 可以用作追踪数据记录器,可以不断写入数据。此外,MRAM的写入和读取的消耗功率非常低(例如,1 Mhz 时为 300 微安),因此非常适用于事故引起断电时需要使用低功率备用电源或通过电容写入数据的 ADAS。与其他非易失性存储器相比, MRAM 的待机电流也低得多(通常为 100 微安)。

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