辰达行电子

  • 2021-01-28
  • 发表了主题帖: 二极管稳定电压温度系数

    ​温度的变化将使VZ改变,在稳压管中,当|VZ| >7 V时,VZ具有正温度系数,反向击穿是雪崩击穿。 当|VZ|<4V时,VZ具有负温度系数,反向击穿是齐纳击穿。 当4V<|VZ|<7V时,稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。  稳压二极管规格书下载:

  • 发表了主题帖: 如何判断整流桥的正负极?

       整流桥错误的测试方法:用电表的电阻档来测二极管的通断,电表的红表笔是负电压,黑表笔是正电压,这种情况下会把测试结果为:二极管的正极是负的而负极是正的。    整流桥正确判断二极管的正负方法:有黑环一端为负,或引线短的一端为负。    整流桥要想进一步测试正负极的话,可以接上电源用电压档来测定整流桥输出的正负。    整流电路中,二极管的负极输出正电压。    注意事项:电容要按照二极管真正的极性连接。 整流桥规格书下载:

  • 2021-01-27
  • 发表了主题帖: 如何处理电路中快恢复二极管击穿问题

    ​   快恢复二极管电路容易击穿是常见的问题,当快恢复二极管电路出现击穿现象的时候应该怎么去做呢?  [attachimg]attachimg_37251[/attachimg]    快恢复二极管电路中,击穿是因为耐压值不够高所致,烧毁是因为额定电流小所致。建议替换成耐压值较高,额定电流适中的快恢复二极管型号。    在二极管电路中,二极管参数是决定型号的条件,二极管规格是应比实际应用中要更加的严谨。 快恢复二极管规格书下载:

  • 2021-01-25
  • 发表了主题帖: 二极管正向特性-If/Vf/△Vf影响因素

       二极管正向特征的影响因素一共分为五点:    1.晶粒面积大的,If大,Vf小    2.电压高的材料, If小,Vf大    3.Trr小的材料, Vf大    4.器件内部不同的结构, △Vf值不一样    5.二极管器件内部焊接不良, △Vf大 二极管规格书下载:

  • 2021-01-22
  • 发表了主题帖: 二极管正向电流与正向电阻关系的应用

       当二极管的正向电流变化时,其正向电阻也在发生微小的变化,正向电流愈大,正向电阻愈小,反之则大。在一些控制电路中,在利用这一特性实现电路的控制功能。    在电子开关电路中,利用二极管正向电阻和反向电阻相差很大的特性,可以将二极管作为电子开关器件,即所谓的开关二极管:二极管导通时,其内阻很小,相当于开关接通;二极管截止时两引脚之间的电阻很大,相当于开关的断开。在电路中可以起到通与断的控制作用。      二极管规格书下载:

  • 2021-01-20
  • 发表了主题帖: 整流二极管能用稳压二极管替代吗

       整流二极管不能用稳压二极管替代,可以从整流二极管的电流和反向耐压进行测试。    1、整流二极管通过电流的能力比稳压管大得多,而且能长期在大电流下稳定工作,这一特性稳压管没有。    2、整流二极管的反向耐压比稳压管大得多,用稳压管做整流很容易引起反向击穿。   整流二极管规格书下载:

  • 2021-01-19
  • 发表了主题帖: 二极管特性曲线的简单讲解

    ​   二极管在不同温度环境下的变化产品的实际应用均为动态,在不同的环境条件下使用。    曲线图中标注的温度:200℃, 100 ℃,25 ℃,-75 ℃  [attachimg]attachimg_36946[/attachimg] 二极管规格书下载:

  • 2021-01-18
  • 发表了主题帖: 二极管正向压降不变特性

       二极管正向导通后的管压降基本上保持不变,但下列因素会使管压降有微小变化:    当温度升高时管压降会有略有下降;温度降低时管压降会略微增大一点。    正向电流发生很大变化时,正向压降会有微小的变化。即当正向电压有一个微小的变化时,将引起正向电流一个很大的变化。    利用二极管管压降随温度微小变化的特征可以设计成温度补偿电路,在分析温度补偿电路时不了解二极管的这种特性,电路的工作原理就无法分析。   二极管规格书下载: ​

  • 2021-01-14
  • 发表了主题帖: 如何避免二极管过载损坏?

       耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。是某一时刻电网元件或者全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。在线性条件下,导通的耗散功率计算比较简单,PD=I2R,或者PD=U2/R;而在开关状态下,计算相对比较复杂。    二极管的耗散功率与允许的节温有关,硅二极管允许的最大节温是150℃,而锗允许最大节温85℃。半导体工作温度是有限的,当实际的功率增大是,其节温也将变大,当节温达到150℃是,此时的功率就是最大的耗散功率。当然,耗散功率与封装大小也有一定的关系,通常封装大点的器件,其最大耗散功率也相对大些,最常见的就是大功率器件拥有大体积,大面积的散热金属面。    一个具体型号的二极管其耗散功率与测试条件有关,比如测试环境温度和散热条件。通常情况下,测试出来的最大耗散功率是在25℃下。随着环境温度的升高,其最大的耗散功率将减少,因为该条件下的导热温差变小,比如说在25℃下,某款二极管耗散功率能达到1W,在75℃情况下,耗散功率可能变成0.4W。允许最大耗散功率与散热条件有关,散热条件越好,耗散功率越高,在同一环境温度下,耗散功率为1W,加了散热片之后,耗散功率可能变为1.7W。     表征散热措施的一个参数是热阻。热阻反映阻止热量传递能力的综合参量。热阻跟电子学里的电阻类似,都是反映“阻止能力”大小的参考量。热阻越小,传热能力越强;反之,热阻越大,传热能力越小。从类比的角度来看,热量相当于电流,温差相当于电压,热阻相当于电阻。其中,热阻Rja:芯片的热源结到周围冷却空气的总热阻,其单位是℃/W,表示在1W下,导热两端的温差。    以MDD 1N4448WS为例,查看其规格书,可知其热特性如下:    从中可知,其耗散功率PD=400mW,热阻为250℃/W,其中这两个量是环境温度25℃,焊在FR-4材质 PCB条件下测试的。耗散功率与环境温度有关,温度越大,耗散功率越小,1N4448WS耗散功率与环境温度关系如下:    在0~50℃时,耗散功率恒为400mW,在50~150℃时,线性递减,到达150℃,耗散功率为0,在这个温度,硅管已经不能工作了。从这个表中,可以计算出热阻,其线性部分斜率倒数:    |1/k|=Rja=(150-50)/0.4=250℃/W    根据这个表,可得:    PD=-1/250(TA-50)+0.4,(TA-≥50)    根据上述这个公式,我们可计算出1N4148WS开关管在不同环境温度下最大的耗散功率。    在实际电路设计过程中,大多数研发工程师更关注器件工作时的温度,以确保在安全的工作范围。以MDD 1N4448WS为例,在环境温度为50℃情况下,实际功率为200mW时,其温度为50+250*0.2=100℃,其能正常工作;当实际功率为400mW时,其温度为50+250*0.4=150℃,这时候已经达到节温的最大温度了,比较危险,应当避免。    二极管的传热方面,主要考虑PD和热阻Rja,前者是最大耗散功率,实际工作不能超过这个数值,后者是传热阻力参量,放映不同二极管的传热能力。在使用二极管时,不但要考虑正向电流、反向耐压和开关时间,还应该考虑到耗散功率。    科学的使用二极管,让电路更加的智能化,专业的规格书是要比现实所需更要严格得多。 二极管规格书下载:

  • 2021-01-13
  • 发表了主题帖: 二极管的特性及其串联不均压因素分析

       1.二极管特性    二极管属于电力电子器件,也是应用较多较为普遍的器件。一般越熟悉的器件越容易遗漏其关键参数指标,一般情况下只是关心宏观上的参数指标,诸如反向耐压、通态电流、反向漏电流等。一般隋况下,二极管的结电容、关断和开通特眭图等等容易被忽视。    2.二极管串联不均压因素分析    二极管串联不均压主要原因来自自身和外部两类。自身原因主要由加工工艺造成的,外因主要是由外部电路造成的。同一批次生产出来二极管的伏安特性不一致,造成二极管的静态不均压;反向恢复时间及开通状态的不一致造成二极管的动态不均压目。外部电路设计会造成杂散电感和电容,在高压高频环境中会造成不均压问题。 二极管规格书下载:

  • 2021-01-08
  • 发表了主题帖: TVS二极管是否可以用稳压二极管替代?

       一、二者的相同点    TVS是在稳压管工艺基础上发展起来的新产品,是一种新型的高效电路保护器件之一,具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力;稳压二极管(又名齐纳二极管),是利用PN结反向击穿状态,能在电流变化大变化范围内,而保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。    从定义上来看,它们的共同点:    (1)在一定条件情况下,均可以限制两端的电压    (2)长时间工作中,耐电流值几乎一样,均跟体积功耗相关联    二、二者的不同点    (1)工作原理    TVS二极管:雪崩效应,在高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立马降低到很低的导通值,允许最大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而避免电路中的精密元器件免受损坏。    稳压管:齐纳隧道效应,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定。    (2)用途    TVS二极管:用于瞬态电压保护;在电压精度方面,在一定范围;在通流能力方面,能达到几百安;在稳压值当方面,TVS管6.8v-550V;    稳压二极管:对漏极和源极进行钳位保护;在电压精度方面,稳压管比较精准;在通流能力方面,稳压管的耐涌电流很小;在稳压值方面,稳压管3.3v-75V;    通过这么一通明确的对比之后,发现,很多情况下瞬态抑制二极管和稳压二极管是不能相互替代的,各有优劣。   TVS二极管规格书下载:

  • 2021-01-06
  • 发表了主题帖: 低压降肖特基二极管对比普通肖特基二极管的优势

       低压降肖特基二极管是在肖特基二极管的基础上研发的,最大的优点就是低压降二极管的VF值更低,满足客户对压降的需求。    MDD辰达行电子生产的20100的低压降肖特基二极管(SBT20L100)与普通的肖特基二极管(MBR20100)对比一下。    参数如下:    SBT20V100    MBR20100    普通的肖特基二极管(MBR20100)的压降为0.75V,而低压降的肖特基二极管(SBT20V100)的压降只有0.61V,这样就大大的提升了工作效率,所以低压降肖特基二极管能广泛的应用于有六级能效要求的方案中。    另外,低压降肖特基二极管的反向恢复时间可以小到几纳秒,而且它的整流电流可以达到几千安,适用于低电压、大电流的条件下工作。 肖特基二极管规格书下载:

  • 2020-12-29
  • 发表了主题帖: 单向TVS二极管与双向TVS二极管的区别

       单向TVS二极管的一端有一个细细的彩色环,并与正极连接;双向TVS二级管中间标有两个环,或无标志,无极性。双向TVS管可在正负方向吸收瞬时高脉冲功率,并将电压箝位到预定的电平。双向TVs管适用于交流电路,单向TVs管一般用于直流电路。    在反向工作中,在规定的脉冲条件下,允许器件通过的最大脉冲峰值电流。iPP与最大箝位电压VC (max)的乘积为瞬态脉冲功率的最大值。单向TVS晶体管的正向特性与普通齐纳二极管相同。    反向击穿拐点近似为“直角”,是一种硬击穿,是典型的PN结雪崩器件。从击穿点到VC值的曲线可以看出,当有瞬时过电压脉冲时,设备电流突然增加,而反向电压上升到钳位电压值,并保持在这个水平。    TVS在使用中应正确选择,使额定瞬态脉冲功率PPR大于被保护设备或线路中可能出现的最大瞬态浪涌功率。在击穿发生的区域,在规定的测试电流I (BR)下,在器件两端测量的电压称为击穿电压。在这个区域,二极管成为一个低阻抗路径。 TVS二极管规格书下载:

  • 2020-12-28
  • 发表了主题帖: 为什么TVS二极管的正极要接电路中的负极?

       虽然TVS管类似于稳压二极管,但是两者也不完全一样,就比如PN结,TVS二极管比稳压二极管组成的PN结面积大,因此它能承受的反向电流也就比稳压二极管的大,TVS二极管正向浪涌电流甚至能达到上百安,例如对于TVS二极管5KP54,它的最大脉冲电流可达到50A,这是稳压二极管不能比拟的,另外TVS二极管瞬时脉冲功率高达千瓦级别,而稳压二极管功率一般也就几瓦。    其实TVS是一种瞬态抑制二极管,顾名思义,就是能够瞬间抑制高能量的二极管,结合压敏电阻可能比较好理解,这种二极管是一种钳位二极管,类似于稳压管,它也起到钳位作用,它的原理就是在反向电压作用下能将高瞬态能量迅速降至最低值,将电压钳位到一定值,从而保护后级元器件或者对ESD敏感的设备。    这种钳位二极管有单向也有双向,如下图是单向和双向抑制二极管符号。一般单向TVS管用来保护直流电压,在直流场合见的较多,注意接入电路时候它的负极接在电压的正极;而双向的TVS管可以看做是由两个单向的TVS反接而成,它在电路当中可以不必考虑电压正负,因为它正向反向都能起到抑制作用,因此如果电路有可能来自两个方向冲击电压时候,需要考虑用双向TVS管,一般应用于交流场合,例如防雷、电源电压抑制等。     单向TVS和双向TVS    除了单向和双向这两种之外有些还是集成芯片形式出现,如下图是有四路的TVS二极管组成的阵列芯片,这种集成芯片集成度比单个高,这样避免放入多个单个TVS管,一般这种集成的芯片多用于各种高速信号处理电路以及数据接口电路,例如USB接口、各种差分信号接口、视频接口等。   TVS二极管规格书下载:

  • 2020-12-25
  • 发表了主题帖: 肖特基二极管两个主要优点是什么?

       肖特基二极管广泛应用于电子电路中,是一种低功率超高速的电子元器件,那么肖特基二极管最主要的两个优点包括:    (1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒,肖特基二极管的正向传导阈值电压和正向压降均低于PN结势垒,约低0.2V。    (2)由于肖特基二极管是一种大多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。   肖特基二极管规格书下载:

  • 2020-12-24
  • 发表了主题帖: 快恢复二极管在高频开关电源的作用

       高频开关整流器一般是先将交流电直接经二极管整流、滤波成直流电,再经过开关电源变换成高频交流电,通过高频变压器变压隔离后,由快速恢复二极管高频整流、电感电容滤波后输出。    快恢复二极管在功率电子技术的应用及基本电源系统中,开关电源技术均处于核心地位。传统的相控型电源非常庞大而笨重,例如逆变焊机、通讯电源、高频加热电源、激光器电源、电力操作电源。如果采用高频开关电源技术,其体积和重量都会大幅度下降,而且可较大地提高电能利用率、节省材料、降低成本。在电动汽车和交流传动中,更是离不开开关电源技术,通过开关电源改变用电频率,从而达到近乎理想的负载匹配和驱动控制。    现在,开关电源技术方兴未艾,而近年来又被大的市场需求所推动,必将带来开关电源技术的大发展。这几年,随着通信行业的发展,以开关电源技术为核心的通信电源,国内将有较大的市场需求。开关电源代替线性电源和相控电源是大势所趋,因此同样具有几十亿产值需求的电力操作电源系统的国内市场正在起动,并将很快发展起来。还有其他许多以开关电源技术为核心的专用电源、工业电源,也将得到迅速发展。 快恢复二极管规格书下载:

  • 发表了主题帖: 瞬态抑制二极管和ESD静电二极管的区别

       1.ESD静电二极管,主要功能是防静电,然而防静电要求电容值低,一般在1--3.5PF之间最好;而TVS二极管的电容值却比较高。    2.ESD保护二极管,主要应用于板级保护;TVS二极管用于初级和次级保护。    3.再选用ESD静电二极管时,更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C;而选用TVS二极管时,看的是功率和封装形式; 在实际应用中,二者通常相辅相成,紧密相连,各自发挥优势,更有效地为电路安全保驾护航! ​TVS二极管规格书下载:

  • 2020-12-23
  • 发表了主题帖: 大功率MDD肖特基二极管参数讲解

       肖特基二极管瞬态浪涌电流IFSM(A):    当电器刚接通电的瞬间,由于电容对交流或脉冲的内阻很小,在刚接通电的瞬间相当于电容加上脉冲电压,产生很大的电流,或者输入电压突变,也会产生很大的电流,瞬态浪涌电流就是这一瞬间所能承受的最大电流,超过最大IFSM,管子就会击穿失效。    正向压降VF MAX (V):    肖特基二极管(SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。这里的正向压降指根据二极管的伏安特性曲线,正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零,可视为未导通。使肖特基二极管能够导通的正向最低电压则称为二极管的正向压降。   肖特基二极管规格书下载:

  • 发表了主题帖: 稳压二极管和TVS二极管的区别

       1.符号封装    稳压二极管和TVS二极管的电路符号与稳压二极管基本相同,封装也基本相同。有时很难区分外表上的区别;    2.电路连接    稳压二极管和TVS电路中二极管连接相对地,也就是说,他们有一个临界电压反向击穿前通过反向特征和PN结雪崩效应,他们都有稳定电压反向接入电路的功能,但是它们不是相同的。稳压二极管用于固定输入电压在某一值,TVS二极管主要用于防止瞬态高压对箝位后电路;    3.响应时间    一般来说,稳压二极管不讨论响应时间,而是更关注稳压值。但对于TVS二极管来说,其特性决定了其具有不同的功能。TVS二极管具有瞬态抑制高能的功能,所以需要在短时间内吸收高能,所以这个时间非常短,达到纳秒级;    4.功率大小    稳压二极管的功率一般不是很大。常用稳压二极管包括1W、2W等,其功率由允许温升决定。事实上,它是稳定电压和电流的产物。例如稳压二极管1n4742a,其最大功率仅为1W,其稳压值为12V,因此通过它的电流一般不能超过80mA,否则管会受热严重;TVS二极管注重瞬时脉冲功率,瞬时脉冲功率很高,可达千瓦,但时间值很小。 稳压二极管规格书下载:

  • 2020-12-22
  • 发表了主题帖: ESD静电二极管应该怎么使用?

       1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。     2、防静电二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行连接分电流。     3、防静电二极管的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。     4、在规定的脉冲持续时间内,防静电二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定最大箝位电压后,其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。     5、对于数据接口电路的保护,还必须注意选取具有合适电容C的防静电二极管器件。     6、根据用途选用防静电二极管的极性及封装结构。交流电路选用双极性防静电二极管较为合理;多线保护选用防静电二极管阵列更为有利。     7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在-55~+150℃之间工作。如果需要防静电二极管在一个变化的温度工作,由于其反向漏电流ID是随增加而增大;功耗随防静电二极管结温增加而下降,从+25℃到+175℃,大约线性下降50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此,必须查阅有关产品资料,考虑温度变化对其特性的影响。     防静电二极管可分为单向防静电二极管和双向防静电二极管,单向的有正负极,双向的没有正负极。防静电二极管广泛应用于半导体及敏感零件的保护,二级电源和信号电路的保护,以及防静电等。   静电二极管规格书下载:

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