赵玉田

  • 2019-04-01
  • 发表了主题帖: 设计太精致,维修两行泪:iFixit 发布 AirPods 2 的拆解报告 可修复性零分

    随着 AirPods 2 的正式发售,知名拆解团队 iFixit 发表了对这款真无线耳机的拆解报告。iFixit 为 AirPods 2 打出了零分的可修复性评分,这意味着该耳机无法正常工作的话,无法通过拆解维修来解决问题。AirPods 2的耳机重量与前代保持一致均为4g,其配套的支持无线充电的收纳盒相比前代增加了2.3g,可苹果并未给新款收纳盒增加内置电池的容量,依然保持了与前代相同的398mAh。除以上的不同外,新款收纳盒也更换了内部的设计。其内置的逻辑板的集成度比前代更高,并增加了对无线充电的支持。让人意外的是,苹果还为这块逻辑板镀上了防水涂层。如此设计配合上收纳盒大量使用胶水固定的方式,使得AirPods 2具备一定的生活防水能力。至于AirPods 2耳机的内部构架设计与前代基本一致,也是使用大量胶水来固定动圈单元、天线、电池和麦克风。耳机部分的电池容量也与前代相同,均为93mAh。在AirPods 2的拆解全部完成后,iFixit表示该耳机在有着与前代较为接近的内部结构设计的同时,也继承下需要暴力破坏才能完全拆开的“传统”。考虑到新款收纳盒大量使用胶水固定并为内置的逻辑板进行了防水处理,因此可以在下雨天中放心使用。 文章来源:知客数码

  • 2019-01-23
  • 回复了主题帖: 库源电气Allegro视频培训

    最近下班一直在偷偷看大学堂里的视频学习,受益匪浅!

  • 2018-12-30
  • 发表了主题帖: [转]拆一个某东6块钱买的暖手宝充电宝

    天气冷了,就想着买个暖手宝,正好前两天看某东上有搞活动买了个暖手宝,据介绍说这个暖手宝可以当充电宝3600毫安。 等了大约1个星期到货了,收到以后估计因为快递颠簸就裂开了,退货就不去退了,然后就有了下面的拆机图。 http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_7b0d06f426aa7a5.jpg?328 [tr][td]http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_014ea53f4c4821d.jpg?352http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_5d9e52d34b8b6ea.jpg?376http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_45b9c6b7c6b54ce.jpg?364http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_47a3ddd950d2c12.jpg?394http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_3b7971b86c67631.jpg?357http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_2da134c85868b45.jpg?327http://img.mydigit.net/Mon_1812/88_870998_3c4b53150751ef5.jpg?301

  • 2018-11-13
  • 发表了主题帖: 【转】华为Mate 20 Pro拆解报告:如何实现无线比有线更快?

    著名的拆解网站iFixit日前公布了华为 Mate 20 Pro 的拆解报告。对比起 Mate 10 Pro,Mate 20 Pro 最大的改变似乎就是正面的屏幕,屏下有实现结构光面部解锁所需的模块,还有屏下指纹识别模块。背面呢,有三摄模块和15W无线快充模块…… 距离华为 Mate 20 系列开售已经有一段时间了,不少用户都已经收到了新机。按照传统,著名的拆解网站iFixit也是时候对其进行“肢解”了。果不其然,日前他们就公布了华为 Mate 20 Pro 的拆解报告。那么,现在就让我们跟随 iFixit 的视角来看看对于这款“拳打苹果,脚踢三星”的华为新旗舰还有哪些新发现吧。按照惯例,拆解前,把 Mate 20 Pro 和该系列的“前辈”Mate 10 Pro 作一番外观上的比较。对比起 Mate 10 Pro,Mate 20 Pro 最大的改变似乎就是正面的屏幕。在进一步“全面屏”化,提高屏占比的同时,为了塞下实现结构光面部解锁所需的传感器,Mate 20 Pro 采用了双曲面刘海全面屏。 来到背面,Mate 20 Pro 的摄像头从双摄升级到了三摄,背部的指纹识别模块也因屏下指纹以及面部结构光解锁的加入而消失了。 Mate 20 Pro 的底部扬声器集成在了 USB-C 接口中,所以对比 Mate 10 Pro,你会发现位于底部左侧的几个扬声器开孔消失了,取而代之的则是内部经过全新设计的 SIM Card/NM Card 卡槽。 对比结束后,就要正式开拆了。与拆解 iPhone 不同的是,iFixit 选择从背面开始对 Mate 20 Pro 进行拆解。经过热风枪、撬棒以及吸盘的轮番上阵后,Mate 20 Pro 的玻璃背板被打开。与拆解 Mate 10 Pro 不同的是,由于背部指纹识别模块的移除,故在开启后盖时不再需要担心会扯断排线(这应该也是选择从背壳开始拆的原因)。 移除背盖后,首先看到的就是 Mate 20 Pro 的双向无线充电线圈。华为之前一直没有在自家的产品中加入无线充电功能。而在 Mate 20 Pro 上,华为不仅直接来了个 15W 功率的无线充,实现了“无线比有些有线更快”,还加入了反向无线充功能。 主板通过 9 条排线与其他组件相连接。卸下后发现,Mate 20 Pro 和 P20 Pro 一样,都是通过使用相对更小的主板来换取更多空间以塞下更大的电池。 从主板中进一步卸下 Mate 20 Pro 的三个后置摄像头 右上:4000 万像素 F1.8 等效 27mm 广角摄像头 右下:2000 万像素 F2.2 等效 16mm 超广角摄像头 左下:800 万像素 F2.4 等效 80mm 5 倍光学变焦摄像头把摄像头模组从主板上卸下之后,我们也可以更清晰地看到主板上的内容: 红色:东芝 THGAF8T0T43BAIR 128 GB 通用闪存橙色:海思 Hi6421电源管理 IC黄色:Skyworks 78130-21 WCDMA / LTE 频段前端模块 8/12/13/20/26/27绿色:Skyworks 78132-52 WCDMA / LTE 频段 7/30/40/41 前端模块蓝色:Skyworks 78131-21 WCDMA / LTE 频段 1/2/3/4/25/34/39 前端模块深蓝色:Skyworks 7360-2A 04115.1 1821 MX 射频模块紫色:HiSilicon Hi6422 包络跟踪器 翻过主板的背面: 红色:海力士 H9HKNNNEBMBUDR-NEH LPDDR4(麒麟 980 可能就在这下面)橙色:恩智浦 80T37(可能是 NFC 控制器)黄色:海思 Hi1103 Wi-Fi 芯片组绿色:海思 Hi6363 射频收发器 正如开头与 Mate 10 Pro 的对比中所谈到的一样,由于加入了结构光面部识别功能,Mate 20 Pro 采用了刘海屏的设计。由于面部结构光识别模组的加入,Mate 20 Pro 不仅使得手机在解锁、安全支付等方面更加安全。同时也因为可以识别立体特征的特性,配合 NPU,Mate 20 Pro 还能实现物体的实时建模。 ▲图片来自:YouTube而在拆解之后,我们也终于可以一睹这片刘海下的内容了: 红色:点阵投影仪橙色:与 P20 系列相同的 2400 万像素 F2.0 等效 26mm 前置摄像头黄色:距离传感器绿色:泛光感应元件蓝色:环境光传感器浅蓝色:红外摄像头紫色:未知 配合新的卡槽设计,华为在发布会还为大家带来了新的记忆卡标准:NM Card。NM Card 的全称“Nano Memory Card”其大小和形状与我们常用的 Nano SIM Card 一致。而 Mate 20 Pro 上全新的卡槽则可在插入一张主 Nano SIM 卡的同时,在背面再插一张 Nano SIM 卡或者一张 NM Card。另外,新的 NM Card 提供最高 95MB/s 的读取速度,并且目前仅由华为自己生产。 与 P20 Pro 一样,Mate 20 Pro 的 USB-C 接口是安装在柔性的排线上的。这就意味着一旦接口出现故障而需要更换时,维修费用会比像 Pixel 3 XL 上那些装在元件板上的要更低一些。 长续航是 Mate 系列一直以来的特点,而 Mate 20 Pro 则配备了一块 4200mAh(16.05Wh) 的大电池。对比起今年各家厂商的旗舰机型,在电池容量上,Mate 20 Pro 则保持领先的地位:iPhone XS Max:15.28Wh Galaxy Note 9:15.4Wh 剩下屏幕部分,通过热风枪加热以及使用翘片即可将屏幕与中框部分相分离。这次 Mate 20 Pro 使用的是一块 3120X1440 像素,19.5:9 像素密度为 538 ppi 的屏幕。 在AMOLED 面板的下方还发现了新加入的屏下指纹识别模块,该光学指纹传感器由 汇顶(Goodix) 提供。 最后,iFixit 为华为 Mate 20 Pro 的内部结构以及可修复性进行了一些评价:由于该手机内部的许多组件都是模块化的,这为更换带来了便利。若需要更换电池,仅需拆下面板和中框即可。如果屏幕坏了,很可能就意味着需要同时更换指纹识别模块,反之亦然。至于可修复性得分,iFixit 给出了 4 分。(10 分满分,分数越高越容易修复,iPhone XS 系列为 6 分。)

  • 2018-11-02
  • 发表了主题帖: 高手支招:教你利用裸露焊盘为芯片散热

    Q: 应用裸露焊盘有什么要留意?关键词:裸露焊盘/散热 在一些芯片应用中,例如稳压器,当器件正在工作时,高发热量是不可避免的。使用裸露焊盘(ExposedPad)可以提高芯片的散热性能,还有助于优化产品空间并降低成本。那么,应用裸露焊盘有什么要注意的地方吗? 裸露焊盘是芯片封装上的暴露金属板。以下有关裸露焊盘的应用有助于您的设计: 1. 设计焊盘的大小须符合数据手册上的要求当裸焊盘连接到较大的表面 (符合数据手册上要求尺寸) 时,有助于增加芯片的散热性能。 2. 注意裸露焊盘的电气连接应用时遵循数据手册中有关裸露焊盘电气连接的说明,非常重要。有些焊盘必须连地,有些焊盘必须断开电源,有些焊盘可以兼容这两种方法。 3. 善用散热过孔(ThermalVias)从裸露焊盘的焊盘区域到PCB的另一侧添加散热过孔,可以有效地散热。散热过孔的数量及尺寸,取决于应用的情况、芯片封装的功耗大小以及电导率要求。 https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_png/4uXLf4TOmvY3B75WiaX9W1kqEEMH4vYlkHDb6A9kpwhEauNxA0hJlicpx2ricUry0QiaohIGOnVvAnkex7DH5NoYuw/640推荐阅读

  • 2018-10-31
  • 发表了主题帖: [转]运算放大器为什么不能用作比较器?

    比较器是一种带有反相和同相两个输入端以及一个输出端的器件,该输出端的输出电压范围一般在供电的轨到轨之间。运算放大器同样如此。乍看似乎可以互换,实际上,两者之间还是存在一些重要差异…… 比较器用于开环系统,旨在从其输出端驱动逻辑电路,以及在高速条件下工作,通常比较稳定。 运算放大器过驱时可能会饱和,使得恢复速度相对较慢。施加较大差分电压时,很多运算放大器的输入级都会出现异常表现,实际上,运算放大器的差分输入电压范围通常存在限制。运算放大器输出也很少兼容逻辑电路。 但是仍有很多人试图将运算放大器用作比较器。这种做法在低速和低分辨率时或许可行,但是大多数情况下结果并不理想。今天小编就给大家说说这“结果并不理想”的原因~
    速度不同
    大多数比较器速度都很快,不过很多运算放大器速度也很快。为什么将运算放大器用作比较器时会造成低速度呢? 比较器用于大差分输入电压,而运算放大器工作时,差分输入电压一般会在负反馈的作用下降至最低。当运算放大器过驱时,有时仅几毫伏也可能导致过载,其中有些放大级可能发生饱和。这种情况下,器件需要相对较长的时间从饱和中恢复,因此,如果发生饱和,其速度将比始终不饱和时慢得多(参见图1)。图1:放大器用作比较器时的放大器速度饱和效应 过驱运算放大器的饱和恢复时间很可能远远超过放大器的正常群延迟,并且通常取决于过驱量。由于仅有少数运算放大器明确规定从不同程度过驱状态恢复所需的时间,因此,一般说来,有必要根据特定应用的具体过驱情况,通过实验确定放大器的特性。 对这类实验的结果应持谨慎态度,通过比较器(运算放大器)的传播延迟值(用于最差条件下的设计计算)应至少为所有实验中最差值的两倍。
    输出作用不同
    比较器的输出端用于驱动特定逻辑电路系列,运算放大器的输出端则用于在供电轨之间摆动。 通常,运算放大器比较器驱动的逻辑电路不会共用运算放大器的电源,运算放大器轨到轨摆动可能会超出逻辑供电轨,很可能会破坏逻辑电路,引起短路后还可能会破坏运算放大器。 有三种逻辑电路必须考虑,即ECL、TTL和CMOS—— ❶ECL是一种极快的电流导引逻辑系列。基于上述原因,当应用中涉及ECL的最高速度时,运算放大器不太可能会用作比较器,因此,通常只需注意从运算放大器的信号摆幅驱动 ECL逻辑电平,因杂散电容造成的额外速度损失并不重要。只需采用三个电阻即可,如图 2所示。图2:驱动ECL逻辑电路的运算放大器比较器 图中选用了R1、R2和R3,当运算放大器输出为正值时,栅级电平为–0.8 V,当输出较低 时,栅级电平为–1.6 V。ECL有时候采用正电源而不是负电源(即另外一个供电轨接地),采用的基本接口电路相同,但是数值必须重新计算。 ❷❸虽然CMOS和TTL输入结构、逻辑电平和电流差别很大(尽管有些CMOS明确规定可以采用 TTL输入电平工作),但由于这两种逻辑电路都在逻辑0(接近0 V)和逻辑1(接近5 V)时工作,因此非常适合采用相同的接口电路。 图3:驱动TTL或CMOS逻辑电路的运算放大器比较器 最简单的接口采用单个N沟道MOS晶体管和一个上拉电阻RL,如图3所示。用NPN晶体管、RL ,外加一个晶体管和二极管也可以组成类似的电路。这些电路简单、廉价且可靠,还可以连接多个并联晶体管和一个RL ,实现“线或”功能,但是0-1转换的速度取决于RL 值和输出节点的杂散电容。RL 值越低,速度越快,但是功耗也会随之增加。通过采用两个 MOS器件、一个P沟道和一个N沟道,可以组成一个只需两个器件的CMOS/TTL接口,每种状态下都没有静态功耗(参见图4)。图4:内置CMOS驱动器的运算放大器比较器 此外,只需改变器件的位置,就可以设置成反相或同相。但是,当两个器件同时打开时,开关过程中势必会产生较大的浪涌电流,除非采用集成高通道电阻的MOS器件,否则就可能需要使用限流电阻来减小浪涌电流的影响。该图和图3中的应用所采用的MOS器件栅源击穿电压VBGS在每个方向都必须大于比较器的输出电压。MOS器件中常见的栅源击穿电压值VBGS > ±25 V,这一数值通常绰绰有余,但是很多MOS器件内置栅级保护二极管,会减小这一数值,所以这些器件不应采用。
    输入考虑因素
    对于用作比较器的运算放大器,还需考虑与其输入相关的多种影响因素。工程师对所有运算放大器和比较器做出的第一级假设是:它们具有无穷大的输入阻抗,并且可视为开路(电流反馈(跨导)运算放大器除外,这种运算放大器同相输入端具有高阻抗,但反相输入端只有几十欧姆的低阻抗)。 但是很多运算放大器(尤其是偏置补偿型运算放大器,如OP-07及其很多后继产品)都内置保护电路,以防止大电压损坏输入器件。 其它运算放大器则内置更复杂的输入电路,在施加的差分电压小于几十毫伏时只具有高阻抗,或者在差分电压大于几十伏时可能会损坏。因此,将运算放大器用作比较器时,如果施加大差分电压,必须仔细研究数据手册,才能确定输入电路的工作方式。(采用集成电路时,务必研究数据手册,确保其非理想特性(每个集成电路都存在一些非理想特性)兼容推荐的应用——本文中这点尤为重要。)图5所示为内置防止大差分电压输入二极管的运算放大器。图5:具有保护功能的运算放大器输入结构 当然,有一些比较器应用不存在大差分电压,即使存在,比较器输入阻抗相对而言也不太重要。这种情况适合将运算放大器用作比较器,其输入电路表现为非线性,但是涉及的问题必须考虑,不能忽视。 对BIFET运算放大器而言,如果其输入接近其中一个电源(通常为负电源),几乎都会表现异常。其反相和同相输入可以互换。如果运算放大器用作比较器时发生这种情况,涉及的系统相位将会反转,造成极大不便。要解决这一问题,还是必须仔细阅读数据手册,确定合适的共模范围。 而且,没有负反馈意味着与运算放大器电路不同,输入阻抗不必乘以开环增益。因此,输入电流会随着比较器开关而变化。因此,驱动阻抗和寄生反馈对影响电路稳定性起着重要作用。负反馈往往会使放大器保持在线性区域内,正反馈则会使其饱和。
    运算放大器设计的目的不是用作比较器,因此,不太建议这种做法。尽管如此,在某些应用中,将运算放大器用作比较器却是正确的设计决策,关键是要慎重考虑后再做出决策,并确保所选运算放大器能达到预期的性能。因此,必须仔细阅读数据手册,认真考虑非理想运算放大器性能的影响,并计算出运算放大器参数对应用的影响。由于运算放大器以非标准方式使用,可能还必须进行某些实验——实验所用的放大器不一定具有典型性,因此,解读实验结果时不宜过于乐观。

  • 发表了主题帖: [转]乘法 DAC 如何用于 DAC 以外的应用?

    你也许知道,某些DAC包含可在输出端生成基准电压的R2R网络。这些电阻都是精密电阻。它们通常用来根据发送到DAC的数字值切换电流,从而在输出放大器端产生一个电压。采用乘法DAC时,并未集成输出放大器。这就有可能实现某些非常规应用,并将R2R网络用作一个电阻。 感兴趣吗?今天就有请ADI 医疗健康行业客户的现场应用工程师经理Thomas Tzscheetzsch 为您讲解“乘法 DAC 如何用于 DAC 以外的应用”。 大多数 DAC 采用固定的正基准电压工作,输出电压或电流与基准电压和设定的数字码的乘积成比例。而对于所谓的乘法数模转换器(MDAC),情况并非如此,其基准电压可以变化,变化范围通常是±10V。因此,通过基准电压和数字码可以影响模拟输出(在这两种情况下都是动态的)。                        应用 借助相应的接线,模块可以输出放大、衰减或反转的信号(相对于基准信号而言)。因此,其应用领域包括波形发生器、可编程滤波器和 PGA(可编程增益放大器),以及其他必须调整失调或增益的很多应用。 图1. 具有可变增益的电路(PGA) 图1显示了一个带下游放大器的 14 位 MDAC AD5453 ,放大器可根据DAC 的编程数字码放大或削弱信号。               电路计算 该电路的输出电压 (VOUT) 计算如下: 除了增益和 DAC 的设定数字码 D 之外,输出电压还受运算放大器电源电压的影响或限制。在所示情况下, ADA4637-1 放大器的电源电压为±15 V 电压,应输出 ±12V 的最大电压,因此其控制范围足够大。增益由电阻 R2 和 R3 确定: 所有电阻(R1至R3)应具有相同的电阻温度系数 (TCR),但不一定要与DAC 内部电阻的 TCR 相同。电阻 R1 用于根据 R 2和 R3 及以下关系调整 DAC 内部电阻 (RFB): 选择电阻时,必须确保运算放大器在最大输入电压时仍处于工作范围内( DAC 可以在 VREF 下处理 ±10 V)。还应注意,放大器的输入偏置电流 (IBIAS) 会被电阻( RFB + R2|| R3)放大,这对失调电压有相当大的影响。选择具有超低输入偏置电流和超低输入失调电压(依据数据手册)的运算放大器 ADA4637-1 正是基于这个原因。为了防止闭环控制系统不稳定或所谓的响铃振荡,在 IOUT 和 RFB 之间插入 4.7 pF 电容;特别推荐将这一做法用于快速放大器。 如前所述,放大器的失调电压会被闭环增益放大。当设置增益的外部电阻发生改变,变化值对应于数字步长时,此值会增加到期望值上,产生微分非线性误差。如果它足够大,可能会导致DAC行为非单调。为避免这种效应,有必要选择低失调电压和低输入偏置电流的放大器。            相比其他电路的优势原则上,如果允许使用外部基准电压源,那么也可以使用标准 DAC,不过标准 DAC 与 MDAC 之间有一些重大区别。标准 DAC 的基准输入只能处理幅度有限的单极性电压。除幅度外,基准输入带宽也非常有限。这在数据手册中用乘法带宽值表示。以 AD5664 16位 DAC 为例,该值为 340 kHz。乘法 DAC 的基准输入可以使用双极性电压,其也可以高于电源电压。带宽同样高得多—— AD5453 的典型带宽为 12 MHz。                   结语乘法数模转换器的使用不是那么广泛,但其提供了许多可能性。除了高带宽的自制 PGA 以外,移动应用也是非常合适的应用,因为其功耗要求低于 50 μW。

  • 2018-09-11
  • 回复了主题帖: 教师节竞拍[第五场]:WIZwiki-W7500

    suoma 发表于 2018-9-11 11:59 4200
    真的假的,这也算,那我也有 昨天教师节,随便搜一个朋友圈到处都能搜到这种照片吧

  • 2018-08-31
  • 发表了主题帖: 听说认真看完这两百个问题的人,面试都成功了

    1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点? 答:频率特性好、体积小、功耗小,便于电路的集成化产品的袖珍化,此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出;但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。 2、什么是本征半导体和杂质半导体? 答:纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。 3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗? 答:不是,但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电量的电子会沿其反方向运动。 4、制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂? 答:按百万分之一数量级的比例掺入。 5、什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象? 答:多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。反之,多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。P型半导体与N型半导体接合后 便会形成P-N结。 6、PN结最主要的物理特性是什么? 答:单向导电能力和较为敏感的温度特性。 7、PN结还有那些名称? 答:空间电荷区、阻挡层、耗尽层等。 8、PN结上所加端电压与电流是线性的吗?它为什么具有单向导电性? 答:不是线性的,加上正向电压时,P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象,导致阻挡层变薄,正向电流随电压的增长按指数规律增长,宏观上呈现导通状态,而加上反向电压时,情况与前述正好相反,阻挡层变厚,电流几乎完全为零,宏观上呈现截止状态。这就是PN结的单向导电特性。 9、在PN结加反向电压时果真没有电流吗? 答:并不是完全没有电流,少数载流子在反向电压的作用下产生极小的反向漏电流。 10、二极管最基本的技术参数是什么? 答:最大整流电流 11、二极管主要用途有哪些? 答:整流、检波、稳压等。 12、晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的? 答:通过电流分配关系。 13、能否用两只二极管相互反接来组成三极管?为什么? 答:否;两只二极管相互反接是通过金属电极相接,并没有形成三极管所需要的基区。 14、什么是三极管的穿透电流?它对放大器有什么影响? 答:当基极开路时,集电极和发射极之间的电流就是穿透电流: ,其中 是集电极-基极反向漏电流, 和 都是由少数载流子的运动产生的,所以对温度非常敏感,当温度升高时二者都将急剧增大。从而对放大器产生不利影响。因此在实际工作中要求它们越小越好。 15、三极管的门电压一般是多少? 答:硅管一般为0.5伏.锗管约为0.2伏. 16、放大电路放大电信号与放大镜放大物体的意义相同吗? 答:不相同。 17、在三极管组成的放大器中,基本偏置条件是什么? 答:发射结正偏;集电结反偏。 18、三极管输入输出特性曲线一般分为几个什么区域? 答:一般分为放大区、饱和区和截止区。 19、放大电路的基本组态有几种?它们分别是什么? 答:三种,分别是共发射极、共基极和共集电极。 20、在共发射极放大电路中,一般有那几种偏置电路? 答:有上基偏、分压式和集-基反馈式。 21、静态工作点的确定对放大器有什么意义? 答:正确地确定静态工作点能够使放大器有最小的截止失真和饱和失真,同时还可以获得最大的动态范围,提高三极管的使用效率。 22、放大器的静态工作点一般应该处于三极管输入输出特性曲线的什么区域? 答:通常应该处于三极管输入输出特性曲线的放大区中央。 23、在绘制放大器的直流通路时对电源和电容器应该任何对待? 答:电容器应该视为开路,电源视为理想电源。 24、放大器的图解法适合哪些放大器? 答:一般适合共射式上基偏单管放大器和推挽式功率放大器。 25、放大器的图解法中的直流负载线和交流负载线各有什么意义? 答:直流负载线确定静态时的直流通路参数。交流负载线的意义在于有交流信号时分析放大器输出的最大有效幅值及波形失真等问题。 26、如何评价放大电路的性能?有哪些主要指标? 答:放大电路的性能好坏一般由如下几项指标确定:增益、输入输出电阻、通频带、失真度、信噪比。 27、为什么放大器的电压增益的单位常常使用分贝?它和倍数之间有什么关系? 答:放大器的电压增益的单位常常使用分贝的原因:(1)数值变小,读写方便。(2)运算方便。(3)符合听感,估算方便。二者之间的关系是: 28、放大器的通频带是否越宽越好?为什么? 答:不!放大器通频带的宽度并不是越宽越好,关键是应该看放大器对所处理的信号频率有无特别的要求!例如选频放大器要求通频带就应该很窄,而一般的音频放大器的通频带则比较宽。 29、放大器的输入输出电阻对放大器有什么影响? 答:放大器的输入电阻应该越高越好,这样可以提高输入信号源的有效输出,将信号源的内阻上所消耗的有效信号降低到最小的范围。而输出电阻则应该越低越好,这样可以提高负载上的有效输出信号比例。 30、设计放大器时,对输入输出电阻来说,其取值原则是什么? 答:高入低出。 31、放大器的失真一般分为几类? 答:单管交流小信号放大器一般有饱和失真、截止失真和非线性失真三类、推挽功率放大器还可能存在交越失真。 32、放大器的工作点过高会引起什么样的失真?工作点过低呢? 答:饱和失真、截止失真 33、放大器的非线性失真一般是哪些原因引起的? 答:工作点落在输入特性曲线的非线性区、而输入信号的极小值还没有为零时会导致非线性失真。 34、微变等效电路分析法与图解法在放大器的分析方面有什么区别? 答:可以比较方便准确地计算出放大器的输入输出电阻、电压增益等。而图解法则可以比较直观地分析出放大器的工作点是否设置得适当,是否会产生什么样的失真以及动态范围等。 35、用微变等效电路分析法分析放大电路的一般步骤是什么? 答:1)计算出Q点中的 ;2)根据公式 计算出三极管的 。3)用微变等效电路绘出放大器的交流通路。4)根据3)和相应的公式分别计算放大器的输入输出电阻、电压增益等. 36、微变等效电路分析法的适用范围是什么? 答:适合于分析任何简单或复杂的电路。只要其中的放大器件基本工作在线性范围内。 37、微变等效电路分析法有什么局限性? 答:只能解决交流分量的计算问题,不能用来确定Q点,也不能用以分析非线性失真及最大输出幅度等问题。 38、影响放大器的工作点的稳定性的主要因素有哪些? 答:元器件参数的温度漂移、电源的波动等。 39、在共发射极放大电路中一般采用什么方法稳定工作点? 答:引入电流串联式负反馈。 40、单管放大电路为什么不能满足多方面性能的要求? 答:放大能力有限;在输入输出电阻方面不能同时兼顾放大器与外界的良好匹配。 41、耦合电路的基本目的是什么? 答:让有用的交流信号顺利地在前后两级放大器之间通过,同时在静态方面起到良好地隔离。 42、多级放大电路的级间耦合一般有几种方式? 答:一般有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合几种方式 43、多级放大电路的总电压增益等于什么? 答:等于各级增益之乘积。 44、多级放大电路输入输出电阻等于什么? 答:分别等于第一级的输入电阻和末级的输出电阻。 45、直接耦合放大电路的特殊问题是什么?如何解决? 答:零点漂移是直接耦合放大电路最大的问题。最根本的解决方法是用差分放大器。 46、为什么放大电路以三级为最常见? 答:级数太少放大能力不足,太多又难以解决零点漂移等问题。 47、什么是零点漂移?引起它的主要原因有那些因素?其中最根本的是什么? 答:放大器的输入信号为零时其输出端仍旧有变化缓慢且无规律的输出信号的现象。生产这种现象的主要原因是因为电路元器件参数受温度影响而发生波动从而导致Q点的不稳定,在多级放大器中由于采用直接耦合方式,会使Q点的波动逐级传递和放大。 48、什么是反馈?什么是直流反馈和交流反馈?什么是正反馈和负反馈? 答:输出信号通过一定的途径又送回到输入端被放大器重新处理的现象叫反馈。如果信号是直流则称为直流反馈;是交流则称为交流反馈,经过再次处理之后使放大器的最后输出比引入反馈之前更大则称为正反馈,反之,如果放大器的最后输出比引入反馈之前更小,则称为负反馈。 49、为什么要引入反馈? 答:总的说来是为了改善放大器的性能,引入正反馈是为了增强放大器对微弱信号的灵敏度或增加增益;而引入负反馈则是为了提高放大器的增益稳定性及工作点的稳定性、减小失真、改善输入输出电阻、拓宽通频带等等。 50、交流负反馈有哪四种组态? 答:分别是电流串联、电流并联、电压串联、电压并联四种组态。 51、交流负反馈放大电路的一般表达式是什么? 答: 。 52、放大电路中引入电流串联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 答:对电压增益有削弱作用、提高其增益稳定性、降低失真、提高输入电阻、提高输出电阻等。 53、放大电路中引入电压串联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 答:对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、降低输出电阻等。 54、放大电路中引入电流并联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 答:对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、提高低输出电阻等。 55、放大电路中引入电压并联负反馈后,将对性能产生什么样的影响? 答:对电压增益有削弱作用、能提高其增益稳定性、降低失真、降低输入电阻、降低低输出电阻等。 56、什么是深度负反馈?在深度负反馈条件下,如何估算放大倍数? 答:在反馈放大器中,如 中 ≫1,则 ,满足这种条件的放大器叫深度负反馈放大器,此时的放大器的闭环增益已经完全由反馈系数决定。 57、负反馈愈深愈好吗?什么是自激振荡?什么样的反馈放大电路容易产生自激振荡?如何消除自激振荡?   答:不是。当负反馈放大电路的闭环增益 中 =0,则 ,说明电路在输入量为0时就有输出,称电路产生了自激振荡。当信号频率进入低频或高频段时,由于附加相移的产生,负反馈放大电路容易产生自激振荡。要消除自激振荡,就必须破坏产生振荡的条件,改变AF的频率特性,使 。 58、放大电路中只能引入负反馈吗?放大电路引入正反馈能改善性能吗? 答:不是。能,如自举电路,在引入负反馈的同时,引入合适的正反馈,以提高输入电阻。 59、电压跟随器是一种什么组态的放大器?它能对输入的电压信号放大吗? 答:电压跟随器是一种电压串联放大器。它不能对输入的电压信号放大。 60、电压跟随器是属于什么类型的反馈放大器? 答:电压跟随器是一种电压串联反馈放大器。 61、电压跟随器主要用途在哪里? 答:电压跟随器主要用途:一般用于多级放大电路的输入级、输出级,也可连接两电路,起缓冲作用。 62、电压跟随器的输入输出特性如何? 答:电压跟随器的输入输出特性:输入电阻高,输出电阻低。 63、一般说来功率放大器分为几类? 答:按照晶体管在整个周期导通角的不同,可以分为甲类、乙类、甲乙类、丙类、丁类。按照电路结构不同,可以分为变压器耦合、无输出变压器OTL、无输出电容OCL、桥式推挽功率放大电路BTL。 64、甲、乙类功率放大器各有什么特点? 答:甲类功率放大器的特点:晶体管在信号的整个周期内均导通,功耗大,失真小;乙类功率放大器的特点:晶体管仅在信号的半个周期内导通,功耗小,失真大。 65、为什么乙类功率放大器会产生交越失真?如何克服? 答:因为晶体管b-e间有开启电压为Uon,当输入电压数值|ui|

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    电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。 一、电感的分类 按 电感形式 分类:固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 二、电感线圈的主要特性参数 1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。 2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R 线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好。 三、常用线圈 1、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。 2、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈,其平面不与旋转面平行,而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周,导线来回弯折的次数,常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小,分布电容小,而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制,折点越多,分布电容越小 3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯,可增加电感量和提高线圈的品质因素。 4、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多,利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量,这种调整比较方便、耐用。 5、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器,其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。 6、阻流圈(扼流圈) 限制交流电通过的线圈称阻流圈,分高频阻流圈和低频阻流圈。 7、偏转线圈 偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载,偏转线圈要求:偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。 变压器 变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件,当初级线圈中通有交流电流时,铁芯(或磁芯)中便产生交流磁通,使次级线圈中感应出电压(或电流)。变压器由铁芯(或磁芯)和线圈组成,线圈有两个或两个以上的绕组,其中接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈。 一、分类 按冷却方式分类:干式(自冷)变压器、油浸(自冷)变压器、氟化物(蒸发冷却)变压器。 按防潮方式分类:开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。 按铁芯或线圈结构分类:芯式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、壳式变压器(插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯)、环型变压器、金属箔变压器。 按电源相数分类:单相变压器、三相变压器、多相变压器。 按用途分类:电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。 二、电源变压器的特性参数 1 工作频率 变压器铁芯损耗与频率关系很大,故应根据使用频率来设计和使用,这种频率称工作频率。 2 额定功率 在规定的频率和电压下,变压器能长期工作,而不超过规定温升的输出功率。 3 额定电压 指在变压器的线圈上所允许施加的电压,工作时不得大于规定值。 4 电压比 指变压器初级电压和次级电压的比值,有空载电压比和负载电压比的区别。 5 空载电流 变压器次级开路时,初级仍有一定的电流,这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流(产生磁通)和铁损电流(由铁芯损耗引起)组成。对于50Hz电源变压器而言,空载电流基本上等于磁化电流。 6 空载损耗:指变压器次级开路时,在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗,其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗(铜损),这部分损耗很小。 7 效率 指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大,效率就愈高。 8 绝缘电阻 表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。 三、音频变压器和高频变压器特性参数 1 频率响应 指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。 2 通频带 如果变压器在中间频率的输出电压为U0,当输出电压(输入电压保持不变)下降到0.707U0时的频率范围,称为变压器的通频带B。 3 初、次级阻抗比 变压器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,使变压器初、次级阻抗匹配,则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下,变压器工作在最佳状态,传输效率最高。 附件那本书不错,喜欢看英文资料的可以研究下

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gao3431128 2018-7-4
你好  我有问题请教一下  我现在是在ghs环境下  用D1M1H  的mcu   我想要在7寸屏上显示汉子   怎么操作  谢谢了
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