PowerAnts

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  • 2019-09-12
  • 回复了主题帖: 再谈谈RCD的计算

    先设C1=0

  • 回复了主题帖: 再谈谈RCD的计算

    两边的RC比例并不影响左边R对励磁能量的消耗吧

  • 回复了主题帖: 再谈谈RCD的计算

    有源钳位很好地解决了效率,应力和占空比的矛盾,最大占空比轻松上0.7

  • 2019-09-11
  • 回复了主题帖: DC_DC电源电感计算

    有效电流Irms:通常指是电感表面温度上升到40度时的等效电流值。   “上升到40度”应为温升40度

  • 回复了主题帖: 再谈谈RCD的计算

    细虚线框的部份是反激变压器的最简模型,LR为漏感,LM为励磁电感,右边为理想变压器。 如果有办法将漏感部份产生的电动势提取出来,用虚线1加到RCD上,没错,确实可以实现RCD只消耗LR的能量。 然而现实中,虚线1不能实现,只能连接虚线2,RCD中的C的充电电压,是漏感电动势与励磁电感电动势的叠加,而励磁电感是与理想变压器的初级并联的。

  • 2019-09-08
  • 回复了主题帖: 开关电源主要元件安规温度标准

    月经贴

  • 回复了主题帖: 电容的安秒积和电感的伏秒积

    写得很到位!学习了,以前没想过二者的对偶性

  • 发表了主题帖: 招聘:电源研发技术员(助理、学徒)

    招聘:电源研发技术员(助理、学徒) 学历:高中、中专(学历往上的要么坐不住,坐得住肯拿这点工资的能力和悟性肯定很差) 能力要求:能看懂基本的电源原理图、识别元件器材、会用基本的仪器;     会基本的PCB软件操作、掌握风枪吹焊、0402阻容器件手焊 公司产品:专业研发、生产、销售高效率的电源模块 工作内容:协助进行电源产品方案的研发(焊板、测试、BOM维护、简易PCB的Layout) 适宜对象:上进的生产维修工、基层电子工程技术人员 待遇:月薪5-6K,社保(后期薪水视工作能力调整) 有意者请发邮件给我:1150726724@qq.com 工作地点:深圳市光明新区华发北路灿博工业园 深圳市易稳科技有限公司

  • 2019-09-07
  • 回复了主题帖: buck高边驱动(PMOS)

    maychang 发表于 2019-9-7 11:21 这个结论,建立在输入PWM幅度为3.3V稳定不变的基础上。10楼第二幅图,Q3关断自不用说,导通时是线性工作 ...
    中午回复你的18楼,结果当时不亦心改主贴让整个贴子处于审核状态,无法回贴。只好就18楼的问题另起了一贴: http://bbs.eeworld.com.cn/thread-1089566-1-1.html

  • 回复了主题帖: 一种P-MOS驱动电路

    maychang 发表于 2019-9-7 14:06 “C取值与CISS相当,假如等效为3nF……” 还要考虑C值若是大了些,会不会使Q2门 ...
    C过大肯定有风险,宜偏小此,确保在2倍时间常数渡过密勒平台进入可变电阻区即可(MOSFET的开过程,实际上主要在密肋平台这一小段

  • 回复了主题帖: 用半桥谐振做无线充电发射拓扑

    不亦心 发表于 2019-9-7 12:48 这个论坛有毒, 转图,没贴原帖地址不太好,我就重新编辑了一下,把原帖链接贴上了, 结果就需要审 ...
    发外链历来是各论坛之大忌,不过,我倒是理解。过去我弄那个小坛时,谁敢跑过去发外链,我连ID都给他删了,嘿嘿。。。

  • 发表了主题帖: 关于脉冲的”沿“

    对于正脉冲产生时的沿,一般都称为上升沿,结束时的沿则称为下降沿。 那么,对于P-MOSFET的驱动信号来说,脉冲开始的沿确是该点电位的下降,还称作上升沿似乎有些不恬当。 以后本人改一下习惯,无论正负脉冲,均把开始的沿称为脉冲前沿、结束的沿称为脉冲后沿

  • 回复了主题帖: 变压器隔离驱动电路疑问

    大小家伙好 发表于 2019-9-6 22:23 主要是半桥侧没有辅助电源,只能用变压器驱动的方式驱动,改版考虑改用SG3525A或者同样功能的芯片去驱动 ...
    PWM是用MCU产生的话,一颗双低侧驱动IC就搞定了,比如TI的UCC27324,前几年还挺贵的,现在被国产兼容驱动打的找不到牙,活生生拉到1块多钱

  • 回复了主题帖: 用半桥谐振做无线充电发射拓扑

    不亦心 发表于 2019-9-7 12:31 伟林电源 发表于 2019-9-6 23:38 上图怎么有大小波? 接收线圈耦合过来的2KHz的ASK通信数据包,响应 ...
    你发的那啥驱动贴子咋不见了?亏我码了一段文回不了,只好再起一贴,哈哈

  • 回复了主题帖: 一种P-MOS驱动电路

    时间常数15.6nS,脉冲边沿一般定义为从0.1升至0.9,故上升沿取2倍时间常数

  • 发表了主题帖: 一种P-MOS驱动电路

    R6两端的脉冲电压幅值= (PWM电压幅值-Vbe)*R6/RE R4=(PWM电压幅值-Vbe)/(IO允许电流*hFE) C取值与CISS相当,假如等效为3nF, 再设hFE=100, IO允许电流5mA,则Q2栅源极间的脉冲上升沿约30nS 

  • 回复了主题帖: buck高边驱动(PMOS)

    maychang 发表于 2019-9-7 09:51 10楼PowerAnts给出的图,缺点是PWM输入信号幅度要求相当大,这就要求PWM施加到该电路之前先行放大。
    3.3V的PWM电平就够了,R6两端的电压=(3.3-0.65)*R6/Re=12V

  • 回复了主题帖: buck高边驱动(PMOS)

    maychang 发表于 2019-9-7 08:38 此图原意是Q4饱和导通时,Q2门极电位不能太低(低于源极20V以上可能击穿),所以利用Q3来实现箝位。 但是 ...
    10楼画了一半,去车间转一圈,回来撞车了,咱们想到一块儿去了

  • 回复了主题帖: buck高边驱动(PMOS)

    主贴的图,Q3的偏置等效为27V电压源串750R电阻,以Q4临介饱合计,偏置电路最大可输出电流=(27-0.7-0.7)/ 750= 34(mA), 不小,不过也不大。 假设,需要在R6上产生12V的压降,Q3和Q4的Ic必须为12mA, 由于Q3在线性区无电流放大能力,故Q4的基极电流、hFE离散性和温飘成了决定Q2驱动电平的主要因素,稍有不慎,Q2不是驱动不足发热,就是驱动电压过大被击穿。这个电路根本不稳定,毫无实用价值,画那图的人“喜欢摆弄”三极管,但是还没入门。 要解决此问题,必须将Q3和Q4变成脉冲电流源,比如:   设PWM为3.3V电压脉冲,Q3提供12mA幅值的脉冲电流源,则RE=(3.3-0.7)/0.012=216.7欧,刚好,E24系列中取220R就OK了,不管上面36V如何变(上限由器件耐压决定),Q3的hFE(但必须>10) 和温度(在允许结温范围)如何变,Q2的驱动电平都比较稳定。

  • 回复了主题帖: 同步整流电路,下桥臂反串联一个NMOS有何作用?

    2只MOFSET栅源极分别并联,两个漏极各向同性,成为交流开关。在类似的应用中不需要过多的调试,算是傻瓜电路吧,我倒是第一次见到,除了阻断Q9的体二极管电流之外,别无其它用途,估计是专利技术

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Jesse__S 2018-11-8
前辈您好,想请教您一个交流螺线管的问题,我在测量绕制的螺线管的磁场时发现在高频下会出现共振现象,表现为磁场增加,磁场信号和交流源信号相角反转180°,请问这种共振是什么原因呢?非常感谢,您也可以在这个帖子里回复我。http://bbs.eeworld.com.cn/thread-1058398-1-1.html
renshuang 2018-11-1
你好,之前你在一个帖子里说的一款2毛钱的表贴压电蜂鸣器,宽电压3-15V,电流才2mA ,有具体型号吗?方便的话给个链接,谢了!
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