回复了主题帖： 第三代非隔离LED恒流驱动技术

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回复了主题帖： 关于GD32F303的IAP程序在keil5下使用CMSIS-DAP烧录后运行不来的问题

卧槽，设置好512k后，烧录后能正常工作。然后我重新选了一遍option-device的芯片，再选择CMSIS-DAP仿真器，里面的flash download里面就又给我初始化了64k大小！！！？

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传说中的路过 发表于 2023-8-30 11:18 读出来试试 对比一下 感觉没烧进去

    开头第一个字节就不一样。   从 0x8010000开始就没有数据。     等等，为啥他会默认限制大小？？？

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以前调试GD32F303都是用ST-LINK的，也能用。 今天找不到ST-LINK，找了一个CMSIS-DAP，先下载了boot程序，再下载了应用程序。 结果boot能运行，跳到应用程序里面，SystemInit()系统时钟初始化的时候运行了一会儿就卡住了。 一开始以为自己程序写错了，后来以为电脑坏了。 最后换了st-link，烧同样的程序结果能正常运行。 有人遇到过这种情况吗？

发表了主题帖： 关于N-MOS管的V（BR）DSS的耐压问题

在看N-MOS管的手册，IRFP250N，看到 V (BR)DSS ，Drain-to-Source Breakdown Voltage，漏极源极击穿电压的时候， 这一项的条件是当Vgs = 0V，Id=250uA。Min最小值200V。典型值与最大值是横杠--。 如果实际使用中，在Vgs之间施加负电压，这个耐压值V (BR)DSS是不是会增加？

回复了主题帖： 问题都是被搞出来再去解决的

这种做法，人工成本一下子就上来了

回复了主题帖： 单片机系统的3.3V与GND短路会烧单片机吗？

Aguilera 发表于 2023-3-13 11:36 不去掉单片机，有什么好方法

把管脚上锡膏，用刀头烙铁再刮几遍，特别是VDD与GND管脚附近。如果还是短路的话，就吹了吧。

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把芯片吹下来，用万用表短路档测一下单片机VDD与GND是否短路。此时短路肯定是烧了。

加入了学习《隔离拓扑简介》，观看 隔离拓扑简介

回复了主题帖： 关于GD32F303的内部带隙基准的问题

castle66 发表于 2023-2-20 15:50 数据手册有说明，内部参考电压采样时间也是不要低于17.1us（见附图）   另外，https://www.gd3 ...

谢谢您，真的是帮上大忙了。

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GD32F303的ADC0通道17连接到一个内部的带隙基准，手册里面只是稍微提了一下，没有具体参数，与使用方法。 我试着配置成规则扫描，DMA触发，用了其他3通道+通道17内部参考。ADC时钟30M，采样周期 28.5(+12.5)。 然后发现一个神奇的现象，就是其他通道输入值会把这个内部参考采样到的值改变。 平时这个值测出来是1.2V，温飘是真的小，肯定小于80ppm，实测效果比我外接的一个80ppm的电压基准好。用来反推外部参考电压3.3V还是挺好用的。 就是其他ADC通道输入电压值，就会改变这个值，会减小到1V以下。 后来不是官方有个例程，里面是把它和内部温度一起配置的，配置成注入组的，采样周期是239.5(+12.5)。 我试着将它的采样周期单独改成239.5(+12.5)，好像就好了，也不会受到影响。 71.5(+12.5)，55.5(+12.5)也行。 41.5(+12.5)开始就不行了，就会受到其他通道的影响。 55.5(+12.5)/30 = 2.2667us。 (41.5 + 12.5) / 30 = 1.8us。 随后，我把主频从120M降到100M。ADC频率即变成25M。 (41.5 + 12.5) / 25 = 2.16us。 这时候也不会受到影响。 手册里面倒是有提到内部温度采样时间不要低于17.1us。 所以我想问问，内部基准是不是也有这种说法。  

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PDS的缩进不太好用