kingsabbit

  • 2018-11-08
  • 回复了主题帖: 东芝光继电器TLP3547的评估板有奖评测活动颁奖

    群主,你好 由于工作原因以及仪器设备未能及时购回导致取消购买延误测评深感抱歉 http://bbs.eeworld.com.cn/forum. ... p;extra=#pid2816657

  • 发表了主题帖: TLP3547评测--光MOS开关内阻大小验证

    本帖最后由 kingsabbit 于 2018-11-8 21:19 编辑       收到TLP3547开发板已经有一段时间了,由于出差的原因及安捷伦B2902A SMU一直未能正常收到 本来希望通过SMU更好的进行量测,结果只能使用现在的条件进行测量 测试设备: 固纬台式电源 PSM-3004  1台 是德6位半万用表  KS34401A  2台ITECH艾德克斯可编程直流电子负载 IT8512A 1台 TLP3547引脚如下 从图中可以看出 a.输入: 1-2脚是一个发光二极管 b.输出: 应用比较自由,可分别把7-8脚和5-6当作一个P-MOS使用或者5-8脚看作一个开关使用 手册标称的正向导通电流和压降如下 正向导通电流: 从手册可以看出正向导通电流典型值为5mA 经过实测电流如下: 测试条件: 在开发板的输入脚正向加入如上图中的5V直流稳压电源,在电源和开发板的输入端串入电流表 经过测试,在提供5V的输入供电情况下电流为2.312mA 反向漏电流测试 手册中标称的参数 IR最大为10uA 通过实验把输入5V电压反接串入电流表测量如下 用DMM测量电流为0-0.1uA跳动,由于DMM的限制跳动是仪器仪表造成的, 实际值应该比它更小,有条件的可用SMU进行测量 光电压极管正向压降测试 根据手册中显示Vf约为1.5-1.8之间,通过万用表直接量测器件的2-3脚 测量值为1.515V(IF=2mA,输入5V的条件下) 输出MOS导通电阻验证测量验证 接线方法 按A的进行量测 输入: 按图中所示接入5V的直流电源 输出: DC5V 正极->TLP3547 5-8 switch->DMM 电流档-> E-Load-> DC5V 负极 测量过程 1.输出按上图所示接入回路,输入不通电如图中所示电线断开 电流表无电流显示,说明输出的光MOS开关完全断开,漏电流无法被DMM识别 2.给输入供电,设置输出恒定电流10mA 实测电流:9.3778mA 光MOS 5-8脚电压降:0.677mV 导通电阻计算:Ron=0.677mV/9.3778mA=72.19mR 3.给输入供电,设置输出恒定电流20mA 实测电流:19.409mA 光MOS 5-8脚电压降:1.337mV 导通电阻计算:Ron=1.337mV/19.409mA=68.89mR 4.给输入供电,设置输出恒定电流50mA 实测电流:49.454mA 光MOS 5-8脚电压降:3.411mV 导通电阻计算:Ron=3.411mV/49.454mA=68.85mR 5.给输入供电,设置输出恒定电流100mA 实测电流:99.316mA 光MOS 5-8脚电压降:6.859mV 导通电阻计算:Ron=6.859mV/99.316mA=69.06mR 6.给输入供电,设置输出恒定电流200mA 实测电流:199.39mA 光MOS 5-8脚电压降:13.779mV 导通电阻计算:Ron=13.779mV/199.39mA=69.11mR 7.给输入供电,设置输出恒定电流500mA 实测电流:499.80mA 光MOS 5-8脚电压降:34.585mV 导通电阻计算:Ron=34.585mV/499.80mA=69.20mR 8.给输入供电,设置输出恒定电流1A 实测电流:1.0003A 光MOS 5-8脚电压降:69.652mV 导通电阻计算:Ron=69.652mV/1.0003A=69.63mR 9.给输入供电,设置输出恒定电流1.5A 实测电流:1.5001A 光MOS 5-8脚电压降:106.192mV 导通电阻计算:Ron=106.192mV/1.5001A=70.79mR 10.给输入供电,设置输出恒定电流2A 实测电流:2.0009A 光MOS 5-8脚电压降:144.91mV 导通电阻计算:Ron=144.91mV/2.0009A=72.42mR 11.给输入供电,设置输出恒定电流2.5A 实测电流:2.5011A 光MOS 5-8脚电压降:180.17mV 导通电阻计算:Ron=180.17mV/2.5011A=72.04mR 12.给输入供电,设置输出恒定电流2.9A 实测电流:2.9012A 光MOS 5-8脚电压降:210.26mV 导通电阻计算:Ron=210.26mV/2.9012A=72.47mR 13.其它条件下的电流 受DMM的3A条件和开发板直接使用端子连接限制,所以无法做更详细的验证 14.测量总结 a.测量结果总结如下: 电流从10mA-2.9A变化,光MOS的通阻基本上在68-72mR之间变化,随着电流的增加 内阻有小许的增大 b.转化为曲线图后如下: 对比手册 受限于实验的测试条件的限制测量与手册有所不同,但已能满足使用条件 对于本次测评的光耦,建议如下: 1.体积有点偏大,如能改进优化体积更好 2.5A的最大电流可以满足常规应用 3.价格

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