qwqwqw2088

  • 2020-08-11
  • 回复了主题帖: 谁对BMS保护延时了解的?

    延时是可以测得,比如用示波器短路保护的测试 需要在电池端焊接一个毫欧电阻,用示波器测试采集示在电池正负一般习惯P+,P-,短路P+和P-用示波器探头采集电阻两端的电压,观察跳变时间。

  • 回复了主题帖: 谁对BMS保护延时了解的?

    有的芯片,比如前几年日本精工的8254系列,有的没有温度保护 带温度保护的,需要设置温度参数

  • 回复了主题帖: 谁对BMS保护延时了解的?

    好多基本知识,需要认真看一些芯片手册。 电池保护芯片有几种延时,一般是芯片手册叙述的 “否存在这六个延时参数?”一般都有,不是所有的芯片都很有        

  • 回复了主题帖: 谁对BMS保护延时了解的?

    问题提的不少,没有深度 可以说没认真看过电池保护芯片手册

  • 发表了主题帖: 基于BQ40z80的电量计电路设计原则

    1.介绍         BQ40z80是完全集成的2-7节锂离子或锂聚合物电池管理芯片,采用已获专利的Impedance Track™技术,具备电流、电压和温度等全面的可编程保护功能。其硬件电路设计主要分为三个部分:主电流回路模块、电量计模块和保护模块。 2.主电流回路         主电流回路即指在电量计的控制下对电池进行充电、放电的电流回路。当充电时,该回路的电流从PACK+开始,经过用于控制充电和放电的开关FETs、化学保险丝、电池和电流采样电阻,最终回到PACK-。 2.1充、放电FETs         充、放电的两个N-CH FETs以漏极对接的方式串联在PACK+和电池组的正极,如图2-1所示,Q2、Q3分别是充、放电FET。当进行充电或放电时,Q2和Q3同时导通;当充电停止时,Q2关断;当放电停止时,Q3关断。 图2-1 充、放、预充、预放电MOSFET电路图         在进行FETs选型时应注意以下两点:(1)FET的额定电压值必须大于电池的最大电压;(2)考虑到放电时负载端产生反电动势的情况,放电FET的额定电压值应比充电FET稍大。         其驱动信号CHG和DSG上的栅极驱动电阻典型值分别为1kΩ和4.02kΩ,该阻值不同是由引脚内部结构决定的,使FETs的开通时间在几毫秒左右;FETs栅源间电阻典型值为10MΩ, 以确保栅极开路时FETs关断,避免误导通现象。 跨接在FTEs两端的电容C1、C2起到在ESD事件中保护FETs的作用,其两端路径应本着尽可能短和宽的设计原则,同时还应注意C1和C2的额定电压都应比系统相应最大电压更大,从而达到在某一个短路时另一个仍能起到保护作用的效果。 2.2预充、预放电FETs         预充电功能指当电池因过度放电、放置过久的自放电等原因导致两端电压过低时,若直接进入正常充电模式易损坏电池或影响电池使用寿命,此时需使用预充电功能,以小电流将电池充电至正常电压范围内后再转换为正常充电模式。它通过对P-FET的控制实现,预充电流的大小通过限流电阻R2=(VCHARGER-VBAT)/R2设定,同时兼顾对电阻上的热量消耗P=(VCHARGER-VBAT)2/R2的考虑。         预放电功能是指当电池应用于较大的电容负载时,启动瞬间易产生瞬间冲击电流,需先以软起的形式进行缓慢充电,从而减小瞬间大电流。如图1-1所示,来自Pins 16、17或20的驱动信号提供一个高电平使N-CH FET Q10导通,从而将预充电P-CH FET Q8的栅极接入地,使Q8导通,预充电回路打开,其预放电速率由限流电路设定。 2.3 防反接保护 充电器反接会对系统造成极大伤害,因此需为此设计相应的保护电路,如图2-2所示。 图2-2 反接保护电路         若无此保护,当PACK+上出现一个略小的负信号,放电FET将进入线性工作区,影响电路正常工作。但加入防反接电路后,PACK+上的负信号会使栅极接地的N-FET Q9导通,使放电FET的栅源极短路,从而起到保护作用。在选型时应选择具有较低Vgs(th)的N-FET,已达到可靠及时的保护效果。 2.4电芯输入         BQ40z80可以实现2-7节锂电池的管理和保护。对于2-6节的电池,芯片内部包含已集成的电压均衡模块,只需正常进行连接,未使用的Pins短接处理,例如图2-3所示在5节串联电池的应用中需将VC6与VC5短接。同时,每节电芯的输入应设计一个RC滤波电路,在起到ESD保护作用的同时,也可实现对输入电压信号实现初步滤波。考虑到该电阻处在电压均衡回路上,阻值选取应在内部电压均衡和滤波频率间进行均衡。 图2-3 5节电芯输入连接方式   对于7节电芯的电池则需进行额外的设置将电压均衡设置在外部,其连接方式如图2-4所示,其中,Pin VC7EN使能对7P的电压测量。 图2-4 7节电芯连接方式及其外部电压均衡模块 2.5电流采样电阻         通过由采样电阻所确定的回路电流值及方向是电量计的重要输入信号。BQ40z80内部有一个用于电流检测的集成Delt-sigma ADC,可实现的测量范围是-0.1V到0.1V。通过Pins SRP、SRN检测到的采样电阻两端的压降判断流经电池的电流,一方面用于判断系统处于充电还是放电模式,当检测到VSR=V(SRP)-V(SRN)为正值时,系统处于充电状态,反之处于放电状态;另一方面通过库伦计得到的积累电荷是电量计算的关键参数之一。 BQ40z80推荐的采样电阻阻值为1mΩ-3mΩ。对于大电流的应用场合,在确保可靠的开尔文连接的前提下支持并联采样电阻的方案。为防止短路情况下的大电流使电阻两端电压值超过Pins SRP、SRN的最大绝对输入值0.3V,两个100Ω的电阻R36、R37应串联接入采样信号。 图2-5 采样电阻开尔文连接         综上,如何确保较高的测量精度是设计采样电阻时的关键。应注意以下三点:(1)连接方式应选择开尔文连接,如2-5图所示;(2)电阻选型应注意使其温漂小于50ppm,以减小因温度变化引起的测量电流的漂移;(3)设计合适的滤波电路以减小噪声干扰,详见3.1节。 3.电量计 3.1库伦计接口 为了提高采样电流精度,除了对采样电阻的处理还可对输入信号的接口电路进行设计,如图3-1所示是为减小信号噪声而对采样信号设计的低通滤波电路。 图3-1 库伦计接口低通滤波电路         Pins SRP、SRN两端分别设置0.1μF的滤波电容C13和C14,以实现对100k-100MHz频率范围内的噪声的滤除作用,中间跨接的两个100pF和0.1μF的电容用于滤除高于100MHz的噪声。以上所有滤波元件都应放置在离输入端尽量近的地方,且采样电阻两端信号到滤波电路的路径应保持平行,最后,在滤波电路周围铺满地平面会对更良好的滤波效果有所帮助,如图3-2所示。 图3-2 库伦计接口滤波电路Layout方式 3.2电源管理         BQ40z80的供电系统包括三部分:来自电池的BAT、来自充电器的VCC和内部进行瞬间供电的PBI,据工作状态的不同对电源供应进行管理,如图3-3所示。 图3-3 BQ40z80供电管理系统           通常,由电池对设备进行初级供电,从正极经过一个输入端肖特基二极管引入至Pin BAT,输入范围为2.2-32V,该二极管可在因短路引起的暂态电压跌落的情况下将设备与电池迅速隔离开,由所用电池的最大电压决定,例如24V的电池选择40V的二肖特基极管。Pin VCC作为设备的第二级电源输入,连接在CHG和DSG的FETs共漏极,当电池处于电量较低的状态,若PACK上有充电器,设备检测到BAT的电压低于VCC时,将使用充电器的能量作为电源供应。最后,第三级电源供应来自Pin PBI,作为暂态失电的瞬间的能量后备,该引脚通过一个2.2μF的电容接入地,其瞬间的能量来源即该电容上储存的能量。 3.3系统检测         系统检测指BQ40z80通过Pin PRES*去检测PACK是否有充电器或负载的接入,该引脚通常接入地。设备内部通过一个典型值为10-20μA的电流源在该引脚每秒提供一个4μs的脉冲,为使该测试脉冲值低于VIL限制,应串联20kΩ或小于20kΩ的电阻,如图3-4所示。 图3-4 系统检测电路 同时,由于系统检测信号连接至PACK,为在外部静电放电时保护设备,BQ40z80的Pin PRES*内部已有集成ESD保护,仅需将一个1kΩ的电阻接入即可实现8 kV的ESD保护。   3.4 内部电压均衡 BQ40z80含有内部集成的电压均衡模块,可同时对每一节电芯实现最大10mA的均衡电流以达到电压均衡。 如图3-5所示,以两节电芯为例,当BQ40z80通过输入端的电压采样判断出某一节或多节电芯的电压异常时,将驱动内部旁路FETs,使其开通,在单节电芯的两端构成一个回路,所形成的旁路电流通过回路上的电阻将电芯两端异常的电压以热的形式消耗掉。因此,回路上的总电阻决定旁路电流的大小,即电压均衡的强度。   图3-5 内部集成电压均衡模块   电阻由两部分构成,第一是旁路FETs的导通电阻Rds(on)=200Ω,第二是电芯电压输入端的RC滤波电路。所以,每一节电芯的总旁路电阻为2×100+200 = 400Ω,若按一节电芯电压典型值为4V考虑,旁路电流约为10mA。需注意的是,电压均衡的实现过程并不是旁路FETs全导通直至均衡完成的过程,而是在每小时内以一定的占空比开启旁路FETs,对BQ40z80而言其典型值为75%,该值可通过软件进行修改。此时,对一节容量为2000mAh、SOC异常10%的电池,以占空比D去均衡则所需的时间t =2000mAh×10%/(10mA×D)。 3.5 外部电压均衡模块 BQ40Z80含有内部集成的电压均衡模块,能同时对每一节电芯实现最大10mA的均衡电流以达到电压均衡。若需要更快速度的电压均衡能力,则需进行外部电压均衡模块的设计,如图3-6所示。 外部N-MOSFETs采用具备低栅源驱动阈值电压Vgs(th)的。考虑到FETs的导通稳定性,此处将输入RC滤波电路中原100Ω的电阻改变为1kΩ。工作原理如下:当BQ40z80控制内部旁路FETs导通,形成内部旁路回路,其上两个1kΩ的电阻和FETs的导通电阻Rds(on)=200Ω构成一个分压比为0.454的电阻分压器。考虑一节电芯的典型电压范围为3-4.2V,当进行单节电芯的电压均衡将会经过分压在电阻上产生一个1.362-1.907V的电压信号,该信号即外部FETs的栅源驱动电压,因此N-MOSFETs导通,外部的旁路回路打开,旁路电流大小将由外部回路上的电阻决定,用户可根据需求设置。 图3-6 外部电压均衡模块   应注意的是外部旁路MOSFET选择原则是在考虑电路分压比的情况下使其具备尽量低的Vgs(th),以实现成功可靠的驱动,例如DMN2004DWK、NTZD3154N和Si1024X等。更多细节可参考应用技用文档,Fast Cell Balancing Using External MOSFET (SLUA420)。 3.6 温度 BQ40z80提供四个多达4个温度输入信号TS1、TS2、TS3和TS4,可同时用于电池、FETs等的温度检测,可通过软件配置其检测的对象类型和模式。 Pins TS1、TS2、TS3和TS4内部都集成了典型值18kΩ的上拉电阻,可支持25℃下10kΩ的NTC热敏电阻(暂不支持PTC),应注意用于电池的温度检测则常采用引线式热敏电阻,便于贴合电池表面,对电池温度达到更好的监控效果。 4 针对大电流场合的应用   在一些特殊的应用场合,如电动车、飞机等,通常要求的放电电流较高。据此,以下提供一些关于如何针对大电流的应用场合对BQ40z80进行电路设计的方案可供参考。   4.1 FETs及采样电阻并联方案   针对大电流放电设计的关键点在于如何拓展主电流回路承受电流的能力,即包括该回路上的充放电FETs和电流采样电阻。当要求FETs通过较大电流时,考虑到散热压力及MOS的额定电流,推荐使用并联MOS方案。在选型时,首先应考虑驱动能力的限制而选取具备尽量小的Qg的开关管,同时兼顾大电流导通情况下散热和损耗压力而选择具备尽量小的Rds(on)的开关管。但对于并联MOS易于产生的均流问题还需进行额外的考虑,如Layout时在尽量使其驱动信号位置平行。 针对电流采样电阻,BQ40z80本身是支持并联方案的。在选型时,应结合所需求的电流值和Pins SRP、SRN的输入电压范围的考虑去选取合适的电阻值。同时,出于散热考虑对额定功率和封装的选择建议留有一定裕量。例如实现对100A电流的采样,选取两个1mΩ、额定功率3W、2512封装的电阻。但出于对于电流采样精度的考虑,并联方案下对保障可靠的开尔文连接是至关重要的。 4.2 并联驱动能力解决方案 显然,并联MOS方案存在的最大问题就是IC驱动能力有限制,BQ40z80的Pins CHG、DSG的驱动最大输出负载能力约为10μA,可参考该值及MOS的输入电容、导通电阻等对其驱动能力进行衡量。针对该问题有如下两个解决方向: 第一,在BQ40z80的Pins CHG、DSG能力范围内去选择Qg值满足可成功驱动、Rds(on)满足和散热需求的MOSFET,但需注意的是,普遍而言,这两个值具备一个相反的关系,需要进行衡量。另外,此时MOS开通时间会相应变长。例如若选取CSD18510Q5B,Qg=118nC,Rds(on)=0.79mΩ(Vgs=10V),在以3个并联的方式使用时,导通时间约14ms。 第二,当MOS的驱动需求超出BQ40z80的驱动能力或对开通时间有更高的要求的时候,可采用以下2种方式通过外加器件的设计增强电路驱动能力: (1)在Pins CHG、DSG的输出增加一个额外的三极管去增强其驱动能力,如图4-1所示,但此时需增加一个额外的输出值高于Vbat大约10V左右的DC-DC去完成三极管的电源供应,上拉电阻阻值也应根据MOS驱动电流的需求设计。 图4-1 BQ40z80及三极管驱动电路   (2)增加高侧N通道FET驱动器BQ76200(BQ76200)去增强其驱动能力,如图4-2所示,该设计下将避免加额外的DCDC的需求,BQ40z80的Pins CHG和DSG的输出信号不再直接驱动MOS,而是作为BQ76200的使能输入,使用后者去驱动MOS,从而解决驱动能力不足的问题。 图4-2 BQ40z80及BQ76200驱动电路   选择该设计方案时应需注意,BQ40z80的Pins CHG和DSG的输出电平分别以Vbat和PACK+作为基准,而BQ76200的使能输入是以VSS作为基准,两者之间的电压等级并不匹配,所以需要进行电平转换。对于BQ9006驱动输出的高电平,需要使用一个电阻分压器R1、R2对BQ40z80的输出电压进行变换,使其符合BQ76200的使能输入范围。同时,对于BQ006 输出的低电平,需通过一个P-FET确保只有当Pin CHG的输出高于Vbat时,P-FET导通,BQ76200才会通过电阻分压器得到的使能输入,避免误导通现象。P-FET的选取原则是其Vgs(th)约为10V左右,与Pin CHG的驱动输出相对应。 其次,还需关注电阻分压器的阻值选取,考虑到Pin CHG的输出电流能力极限约为10μA,输出电压约为Vbat+10V,R1、R2的总阻值应限制电流在其能力范围内。同时,也应考虑BQ76200的使能输入Pin CHG_EN内部含有的一个典型值约为1MΩ的下拉电阻对分压值的影响。 在实现电平转换的基础上,需对BQ76200在并联方案下的电路进行进一步设计。首先,BQ76200除了支持充放电FETs串联连接,还支持充电和放电分为两个单独的回路,即充放电FETs并联的连接方式。当应用场合放电和充电的电流等级相差较大,可考虑分别设计充电和放电回路,这样的设计可以有效减少充电FETs的数量。确定何种连接方式后,应根据所使用FETs具体情况计算其Pin VDDCP上的电容值,更多细节可参考技术应用手册FET Configurations for the bq76200 High-Side N-Channel FET Driver(SLVA729A)。 5 参考电路图 作者:Weng Iris

  • 回复了主题帖: 分享:BQ40Z80 一直打嗝的解决

    终于找出问题了,如果LEDCHG 开启了,进入shutdown 后,再激活,充电,就会变成神经病状态。 折腾了 几天才找出问题, 而且这明显的是个芯片BUG,毫无依据,完全是我蒙出来的结果 看这个LED 灯 在正常闪的时候,同时功能正常。 就把它关闭了,进入shutdown,充电试试,就正常了,   

  • 回复了主题帖: 分享:BQ40Z80 一直打嗝的解决

    建议:参考TRM 19.2.4.5EnabledProtectionsD 将PCHGC disable反过来验证一下是不是预充过流引起的保护。   这些C,D项都是关闭的。如果有保护,寄存器能报告出来。 很奇怪的是,打嗝 像是不停的复位,因为date merroy 里面都是乱了。明明已经充到 解除shutdown电压了,SDV也清除了。还是一直跳,更奇怪的是 当DSG 恢复后,也跟着跳。 此时 如果不充电了,shutdown解除了,就一直打嗝,直到再充几分钟后,才解除。   建议:可以log一些数据,将当时的画面截图发过来看一下,测试的流程是什么样的。   也根本没法log数据,一直跳 1,我直接对电芯放电, 2,shutdown 设置2.5V, 3,电芯放电很低1.几V后,早已经进入shutdown 4,预充电设置使用的 是主CHG 管子 PCHG comment 5,激活一下电路,接上充电器,就开始跳了。 6,如果直接对电芯充电,芯片不走电流,当电芯电压在shutdown 值上时,是正常 现象: 只要是激活了,通过充电电流后,芯片工作就不正常,充电管子 打开-关闭,打开,直到充几分钟      

  • 发表了主题帖: 分享:BQ40Z80 一直打嗝的解决

    本帖最后由 qwqwqw2088 于 2020-8-11 09:12 编辑 BQ40Z80是TI的一款采用 Impedance Track™ 电量监测技术的 2 节至 7 节电池组管理器 故障现象:shutdown电压设置在2V,DSG 早已经被关闭,当进入后,我再激活,,CHG打开,然后接入充电器,但是 CHG一直打开-关闭,打开...打嗝,电池不能正常充电 解决过程: 建议请确认一下是不是进入PCHGC :Over- precharge current,可以试着提供设置的precharge 电流充电试一下。   试过降低电流 也不行,一直打嗝。几分钟后,恢复正常。但是始终不知道哪儿出的问题。 接上位机,也寄存器 也一直乱跳  

  • 发表了主题帖: TI UCC28782制作小型化适配器

    1.       快充推动适配器小型化         近年来,随着手机快充技术与USB Type C PD的普及,手机和电脑笔记本等便携式电子设备的充电功率越来越大。在同样的功率密度下,功率增加必然带来手机和电脑笔记本适配器(以下简称:适配器)体积增加。然而,消费者总是希望适配器尽可能轻便小巧。以20W手机适配器体积75cm3,功率密度0.267W/cm3为例,功率增加到50W,保持同样功率密度的前提下,适配器体积将会增加到150cm3,消费者很难接受这么大的体积;如果要保持同样的体积,则功率密度需要增加到0.667W/cm3。由此可见,为了让适配器轻便小巧,必须不断提升功率密度才能实现。从下表是几种典型适配器功率密度对比。 几种典型适配器功率密度对比 Adapter Power(W) Size(cm3) Density(W/cm3) Lenovo 65W 口红适配器 65 76.7 0.848 Xiaomi 65W GaN适配器 65 52.9 1.229 OPPO 50W 饼干适配器 50 20.8* 2.408* *注:去除AC折叠头体积   2.       超高效率有源钳位反激拓扑ACF         为了提升功率密度,必须尽可能提升电源效率和提高开关频率,软开关拓扑结构是达到以上目的的主要方法。传统适配器大多采用准谐振反激拓扑(Quasi Resonant Flyback,QR),也称为临界模式无源钳位反激(Transition Mode Passive Clamp Flyback,TM PCF)。准谐振反激具有结构简单、控制容易等优点,但是功率密度提升空间小,无法满足适配器小型化的要求。为此,业界一直在寻找支持超高功率密度适配器的新型拓扑。最终,有源钳位反激拓扑(Active Clamp Flyback,ACF)在众多拓扑中脱颖而出。ACF拓扑通过有源钳位的方式实现功率管软开关,既减小开关损耗,提高转换效率,又支持更高开关频率,充分发挥新型功率管氮化镓GaN的优势,且利于磁元件小型化。然而,相比QR拓扑,ACF拓扑对控制器Controller的要求也更高。只有使用合适的ACF Controller,才能充分发挥ACF的优势。 ACF与PCF的拓扑结构对比 3.       最新一代ACF Controller UCC28782详细解析         UCC28782凭借优异的设计,在实现ACF拓扑高功率密度的同时,保持全电压范围全功率段高效率。先进的自动调节技术和死区控制可在宽输入电压和宽输出电压范围内均实现零电压开关(Zero Voltage Switching, ZVS)。多模式控制在保持高效率的同时,实现Burst mode音频噪声消除和输出纹波减小。通过可调开关频率(最高可达1.5MHz),集成Boost自供电电路,内置burst mode补偿电路和独特的EMI抖频功能,UCC28782减小外围器件体积并降低BOM成本。此外,UCC28782还具备X电容放电和IPC智能功率控制功能,配合同步整流控制器UCC24612可达到更高效率。下面重点介绍UCC28782的几个特色功能: UCC28782典型应用框图 满载65W全电压范围效率曲线 集成Boost自供电电路(Integrated Biased Power),提高自供电电路效率 UCC28782集成Boost自供电电路,对比传统的1 winding+LDO和2 windings + LDO,节省外部器件,而且最关键的是在USB PD 3.0 3.3V~21V宽输出范围下,效率明显提升。 X电容主动放电(Active X-cap Discharge),提升空载效率 UCC28782具备X电容主动放电,可以避免被动式X电容放电电阻的损耗,有效提高空载效率。同时,XCD引脚还具备故障快速复位功能,在检查到AC line恢复之后,UCC28782会启动相应的复位动作。 智能功率控制(Intelligent Power Control, IPC),支持多模式控制 UCC28782拥有独特的智能功率控制(Intelligent Power Control, IPC)。通过配置IPC引脚,可以获得如下收益:(1) 减小轻载和空载损耗 ,比如实现空载输入损耗小于75mW;(2)改善低输出电压(如5V,9V)的轻载效率;(3) 减小低输出电压burst mode的输出电压纹波,对于需要恒流输出的应用,可有效减少电流纹波; (4) 减小低输出电压的过功率限制值;(5)配合S13引脚实现PFC启停控制(PFC Disable Control),大功率适配器(>=75W)在低输出电压(如5V,9V)可disable PFC进一步提升中低负载下的效率。

  • 发表了主题帖: TI的AXC电平转换器

    本帖最后由 qwqwqw2088 于 2020-8-11 07:35 编辑    物联网(IoT)和工业物联网(IIoT)已成为互联工厂的代名词,它们使传统工厂更加智能化,并获取更高的效益。TI的AXC电平转换器可以帮助 IIoT 实现下一阶段工厂的连接,并扩展到工厂范围之外。 电压电平转换器借助电平转换器 IC 解决 I/O 电压差异问题

  • 回复了主题帖: 智能LED八面体

    磁吸连接?好玩 有原理图看看最好

  • 2020-08-10
  • 回复了主题帖: 一个关于数据手册的问题

    乐乐老了 发表于 2020-8-10 14:45 咱们画封装的时候是不是按最大尺寸来画啊
    最大最小都可以,尺寸适中即可 可以仔细看看1楼手册的图,涉及到我们做元件库封装尺寸的有最大最小尺寸的有几个 没有误差的BSC是我们封装库的关键尺寸。  

  • 回复了主题帖: 一个关于数据手册的问题

    制造出厂时封装尺寸会有有误差,标出最大最小尺寸,注意看图中标的代号 的内容,都是些折弯,倒角尺寸,芯片高度等 有的是给出公差范围 BSC的是两中心间的基本间距,这是一个无误差的。

  • 回复了主题帖: 恒压BUCK电感的计算有些困惑

    1楼所述“根据输入输出要求,实际占空比只有0.036非常小”哪里的要求 “所以感觉计算的是错误的” 楼主把自己的计算提供一下,大家分析一下

  • 回复了主题帖: 60V电动车控制器MOS管:STP140NF75型号,国产优质替代型号选用!

    国产功率MOS参数还可以,支持国产

  • 2020-08-09
  • 回复了主题帖: 关于封装的问题

    画封装时焊盘尺寸,是该器件的焊盘尺寸大小,不同封装焊盘大小不一, 手工焊接的焊盘比机器贴片焊接的焊盘稍放大一点尺寸,有的厂商有规定,有的需要自己掌握,一般按手册尺寸没问题

  • 回复了主题帖: 关于封装的问题

    本帖最后由 qwqwqw2088 于 2020-8-9 23:05 编辑 在AD中或Protel中默认, 紫色的是阻焊层,绿油层,稍微比阻焊层大一点点,负片性质 红色的焊盘,助焊层,或者是贴片的顶层,贴片时的做钢网的层。    

  • 回复了主题帖: UCC27211需要外加Boot二极管了的原因,你知道吗?

    实际用的时候不一定加这个二极管, 内部有,外部增加并联,防止选择较大Qg的MOS 出问题时,有时参考官方评估板,有一定道理

  • 回复了主题帖: B628锂电池升压电路芯片的PCB画板建议

    dcdc开关电源布线反馈线部分注意事项多点

  • 回复了主题帖: PCB覆铜这2个选项,大家一般设置多少的?

    10mil是0.254mm 他们不能做5mil,要应该事前先沟通一下。

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huangzunyou 2019-6-17
你好,苹果电池的TI电量计配置参数怎么做呢
okhxyyo 2019-1-16
测试一下
李715 2018-11-30
您好!能帮忙转一下文件吗?把BRD转成AD16能打开的文件。因为我导了很多次都不成功。谢谢!
AllenFire 2018-5-14
老大,你好,很高兴认识你。我们是做防火墙电脑的,想找人设计研发主板,报酬私聊。 有兴趣吗?
842164938 2018-4-16
您好我想向您学习下做包络跟踪射频功率放大器的仿真该怎么做,可以给您费用,实在麻烦您了
chaoge1314 2018-4-14
老板需要你的帮助QQ:438960989
chaoge1314 2018-4-5
您好我需要学习一些电池保护板的知识,可以付一些费用 ,我的联系方式 电话微信同号:15813805897 李生  QQ:438960989
675452482 2018-3-30
qwqwqw2088: 暂时没有,你是想学PLC?
是的啊,目前接触的太局限了,
675452482 2018-3-30
请问有相关PLC的板块吗
z174646850 2018-3-21
大师,请问一下,你那还保存了AD10的视频教程吗?能给发个下载链接吗?174646853@qq.com
曹伟1993 2018-1-10
问你一个问题,我有一节电阻丝(小太阳上面的),通上电之后不发热,但是我用万用表测电压时,家里的空开就会跳,是什么原因呢?
天际超体 2017-2-20
http://bbs.eeworld.com.cn/data/attachment/forum/201701/05/200908rinvvz313583iyz3.jpg.thumb.jpg
您的这个电路使用的是什么型号三极管啊?
零℃冰淇淋 2016-11-25
您是不是专门搞电源方面的?
youngman1987 2016-7-7
你好,版主!

我在该网站 看见你发了这个关于《 TI 光学模块10G SFP+整体解决方案了解》的帖子,我很感兴趣。我研究生毕业设计也是关于SFP+光模块的设计,一时间不知道如何设计SFP+软件代码,还请您帮忙!  如果可以提供参考代码或是帮助,必有酬谢!  
我的邮箱:[email]xjw.19070917@163.com[/email]
我的电话是:13641214491

期待你的回复
qwqwqw2088 2015-8-11
AD10经典5小时视频教程http://yun.baidu.com/s/1c0hbcB2#path=/AD10经典5小时视频教程&render-type=grid-view
yaobaiyi 2015-8-11
大神,我需要AD10的教程视频,麻烦帮我发到215974690@qq.com,万分感谢
fengclover 2015-4-9
楼主大人,跪求发个AD10的教程,邮箱[email]490276400@qq.com[/email],万分感谢啊!
yuehailong 2015-2-8
AD10教程能否发一份给我,谢谢啦,449269508@qq.com
桔梗望 2015-1-27
大神,还记得我不?
桔梗望 2015-1-16
qwqwqw2088: R1%20k0S03 :应该是1%精度的电阻。是精密电阻。20K欧姆的。0603封装。不是0S03. 有疑问继续问
R5%75RS03    CST100uC6   还有好多都没有固定的格式,弄不明白,度娘也不知道
桔梗望 2015-1-15
大神,知道R1%20k0S03 是什么意思不?老板安排画电脑主板,不懂这些东西
nongxianwei 2014-11-24
主要是没这些东西的资科啊
qwqwqw2088 2014-11-24
如果允许可以参考 PI公司的LYTSwitch中有芯片可以使用,找个芯片方案修改一下
nongxianwei 2014-11-22
qwqwqw2088: 图不到,这是个比赛的题目?
原本是比赛的题目   现在是我的作品题目
nongxianwei 2014-11-22
qwqwqw2088: 图看不到,,
怎么截图给你啊
nongxianwei 2014-11-22
设计并制作一个LED具有直流恒流输出特性的隔离型电源变换器,为串联的10个LED(单管额定功率1W)供电,结构如下图所示。 要  求: ①负载条件下,电源变换器为直流恒流输出特性,且输出电流IO可在 150mA~350mA范围内可调;   ②电压调整率Su≤1%:负载为10个LED,调整U1,使U2在32V40V范围内变化时,IO变化不超过±1%; ③负载调整率SL≤1%:U2=36V,负载由5个LED增加至10个,IO变化不超过±1%; ④效率≥70%:U2=36V、负载为10个LED、IO=300mA,电源变换器效率≥70%; ⑤具有输出过压保 ... ...
nongxianwei 2014-11-22
大神  能帮我找一个LED隔离型电源的方案吗?
Chase_hunter 2014-9-14
楼主能帮忙发一份ad 10的教程么
qwqwqw2088 2014-7-10
早说,把论坛下载的地址发我,我帮你下发你,,,
林永浩 2014-7-10
qwqwqw2088: 不知道是不是你要的。
你邮箱发给我的那个我也有,我想要的是你在论坛上面需要积分下载的那个,因为刚进入这论坛 所以没积分。后来稀里糊涂弄了积分下了下来 还是谢谢你了
林永浩 2014-7-10
谢谢了!
林永浩 2014-7-10
如果愿意,请发邮箱:448159421@qq.com
林永浩 2014-7-10
大神,能发一份《德州仪器高性能模拟器件在高校应用指南》给我么?想学习学习
simba001 2013-4-28
大哥能否介绍一个汽车电子方面的专家?或者您就是这方面的专家。我是做RFID方面的,想设计一款防车祸产品,有几个问题想请这方面的专家咨询一下。QQ:1004841016
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