普拉卡图

  • 2022-06-23
  • 回复了主题帖: 器件基础——电容自谐振频率对选型的影响

    maychang 发表于 2022-6-22 16:01 『器件基础——电容自谐振频率对选型的影响』 还有,电容不能称为器件。
    严谨

  • 2022-06-22
  • 发表了日志: 器件基础——电容自谐振频率对选型的影响

  • 发表了主题帖: 器件基础——电容自谐振频率对选型的影响

    本帖最后由 普拉卡图 于 2022-6-22 15:35 编辑 “可能有人会觉得,在频率比谐振频率高一点的时候,电容都成感性了,都不是电容了,所以不能让噪 声的频率大于电容的谐振频率。其实这是错误的,去耦就是要选阻抗低的,阻抗低,在电容上产生的电压 波动就小,也就是噪声会小。-------------------------网上一位大佬关于电容选择的描述”   在网上看到这样一段关于电容选择的描述。 这里说了阻抗小更重要,于是我画了两个图, 习惯上我还是会更倾向于选择图1, 图一电容呈容性,但是对应滤波频率的阻抗会高一些。 图二电容呈感性,但是对应滤波频率的阻抗更低。 想问的问题: 1.这段文字结论有没有问题。     (个人看法:单从滤波角度我觉得好像有道理) 2.电路中电容呈感性会引发其他一些影响导致电路异常吗?     (个人看法:涉及知识盲区,还请大佬们多科普) 3.实际电路设计中会优选哪一种?     (个人看法:感觉还是图一)

  • 2022-06-18
  • 回复了主题帖: 为什么PCB很少见到三层板?

    赞成5楼的看法。 四层板的话是一个芯板(两边都有铜箔),两边再用PP粘合铜箔构成4层结构。这是对称结构。 三层板的话就是在一个芯板上的一边再用PP粘合一层铜箔吧,这样不对称的结构板子受到的应力就不均衡了,容易翘曲,所以一般不用三层板。

  • 2022-06-17
  • 回复了主题帖: 原理图——这个电源开关电路Q2选择MOS和选择三极管有什么区别和讲究吗?

    chunyang 发表于 2022-6-17 14:37 关于楼主的问题: 1、你的看法正确。如果驱动电压较低,需要选择低开启电压的MOS管,而低到一定程度,显 ...
    老师的思路太清晰了,有种醍醐灌顶的感觉!谢谢老师!

  • 发表了日志: 原理图——这个电源开关电路Q2选择MOS和选择三极管有什么区别和讲究吗?

  • 发表了主题帖: 原理图——这个电源开关电路Q2选择MOS和选择三极管有什么区别和讲究吗?

     在网上看到这个电路图,说是有问题的电路,Q1容易烧。 评论区有以下看法: 1.R7电阻阻值过大,导致Q2开启过慢,导致Q1不完全导通时间过长进而烧毁。 2.Q1栅极和Q2漏极之间没有限流电阻,导致导通电流过大,进而烧毁Q1。   下面是我的问题: 1.Q2这个管子什么时候用MOS,什么时候用三极管,这个有什么讲究吗?       (个人看法:像图中驱动信号是低压的情况,是不是用三极管会更好) 2.R7阻值10k会不会太大,这个栅极电阻怎么取值合适?      (个人看法:10k感觉还是大了点,会影响Nmos导通速度吧?) 3.R8的左边接R7的左侧和右侧会对电路功能有影响吗?     (个人看法:接右侧感觉更合理也更常见,接左侧好像也没问题) 4.Q1栅极和Q2漏极之间如果加限流电阻,这个电阻多大合适?     (个人看法:P=U*U/R,电阻小了功耗大,封装也要考虑选大的)     (电阻大了要注意和R4形成分压,要保证GS电压满足Q1饱和导通)   以上是我对这个电路的问题和看法,不知道这些思路是否合理,或是考虑不全面,欢迎评论区指正和分享一些经验!      

  • 2022-04-23
  • 回复了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    maychang 发表于 2022-4-22 17:02 『是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧』 是的。 单向控制,只能控 ...
    前辈再请教一下,双向控制的本质是不是就是16楼小伙伴说的防倒灌作用呀?

  • 回复了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    Fred_1977 发表于 2022-4-23 09:07 我认为两个MOS管这样的做还有一个很重要的做作用就防止电压电流倒灌.
    防倒灌这个是很关键的一点!谢谢您的提醒!

  • 回复了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    PowerAnts 发表于 2022-4-22 21:22 C1的作用是抑制开通时的浪涌电流,作为直流开关必备的,对于楼主选用的MOSFET来说,10nF还太小,后面挂几千 ...
    所以这个电容容量的一般取值范围是多少呢,大了肯定不行吧?或者说,这个开关如果不是用在快速通断的场景,电容大点也没关系?

  • 2022-04-22
  • 回复了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    maychang 发表于 2022-4-22 17:02 『是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧』 是的。 单向控制,只能控 ...
    了解了,谢谢前辈!

  • 回复了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    chunyang 发表于 2022-4-22 17:57 C1的接入要求Q8307导通足够时间才能开启那两个背靠背MOS管,由此可见是为了应对Q8307在干扰下瞬态误导通 ...
    了解了,谢谢前辈!

  • 回复了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    maychang 发表于 2022-4-22 15:19 1.上面两个PMOS门机相接,源极相接串联起来使用的目的是什么(个人猜测是提高耐压?)    ...
    原来如此,是因为PMOS的体二极管存在所以单用一个PMOS只能做到单向控制通断是吧,因为这个原因用了两个背靠背的mos,从而实现双向控制。

  • 回复了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    chunyang 发表于 2022-4-22 15:07 注意,MOS管的DS是“背靠背”(当然也可以说是“面对面”)串联的,那可不是为了提高 ...
    有点懂了,那C1的作用是?

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  • 发表了主题帖: 图中两个PMOS串联起来使用目的是什么

    本帖最后由 普拉卡图 于 2022-4-22 14:05 编辑 如上图,因为位号太长,我重新标了Q1,Q2,R1,C1方便分析。 问题如下: 1.上面两个PMOS门极相接,源极相接串联起来使用的目的是什么?  2.C1的作用使什么? 我先分析一下: 下管NMOS导通时, 电流通过Q1体二极管沿着绿线走,为了使门级有个低电平,所以串了R1。 可见R1是为提高压降,使PMOS能导通。 门极变低电平,两个Pmos导通。 那么这里C1的作用是什么了? 加了电容,通电时电容会有充电过程,所以我猜测时软启动? 因为电容增加了导通时间,会导致管子功耗加大,所以只能用103小电容。   下管NMOS关闭时, PMOS门极均拉高,管子关闭。   回到一开始的问题: 1.上面两个PMOS门机相接,源极相接串联起来使用的目的是什么(个人猜测是提高耐压?)  另外这种电路有没有特定的叫法或名字。 2.C1的作用是什么?

  • 2022-04-21
  • 发表了主题帖: DET信号是什么作用?

    在很多接口看到后缀是DET的信号, 1.想问下这些信号是什么功能(我猜测是检查是否有设备接入的)? 2.什么工作过程,比如设备接入这个DET会怎么变化? 3.DET是英文缩写吗,网上查了一下找不到对应的解释?

  • 2022-03-27
  • 加入了学习《Webench电源设计培训系列视频》,观看 WEBENCHVisualizer -过滤

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