强元芯

  • 2021-12-07
  • 发表了主题帖: US5M-ASEMI贴片快恢复二极管US5M

    编辑-Z US5M在SMC封装里有2条引线,是一款贴片快恢复二极管。US5M的浪涌电流Ifsm为120A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US5M的反向恢复时间(Trr)为75ns,US5M的电性参数是:正向电流(Io)为5A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.65V。   US5M参数描述 型号:US5M 封装:SMC 特性:贴片快恢复二极管 电性参数:5A 1000V 正向电流(Io):5A 正向电压(VF):1.65V 浪涌电流Ifsm:120A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:-55~+150℃ 反向恢复时间(Trr):75ns 引线数量:2 US5M贴片封装系列。它的本体长度为7.0mm,加引脚长度为8.0mm,宽度为6.2mm,高度为2.62mm,引脚宽度为3.25mm。US5M有玻璃钝化芯片结、易于取放、快速反向恢复时间等特性,用于表面贴装应用。   以上就是关于US5M-ASEMI贴片快恢复二极管US5M的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 发表了主题帖: MUR860D-ASEMI快恢复二极管的作用

    编辑-Z 什么是MUR860D快恢复二极管 快恢复二极管(简称FRD)是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管。MUR860D主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,用作高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管。快恢复二极管MUR860D的内部结构不同于普通的PN结二极管,属于PIN结型二极管,即在P型硅材料和N型硅材料之间加入基区I,形成PIN硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷小,快恢复二极管MUR860D的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压)较高。   MUR860D参数描述 型号:MUR860D 封装:TO-252 特性:贴片快恢复二极管 电性参数:8A 600V 正向电流(Io):8A 正向电压(VF):1.5V 浪涌电流Ifsm:100A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-65~+175℃ 反向恢复时间(Trr):50ns 引线数量:3 快恢复二极管MUR860D的作用 因为随着器件工作开关频率的增加,如果高频逆变器件的开关器件没有快恢复MUR860D作续流、吸收、钳位、隔离、输出和输入整流器,那么IGBT和功率MOSFET就无法发挥其独特的功能,它是由MUR860D的关断特性参数(反向恢复时间t、反向恢复电荷Q、反向峰值电流I)的作用引起的。最优参数的快恢复二极管MUR860D与高频开关器件协同工作,最大限度地减少高频逆变电路中开关器件引起的过压尖峰、高频干扰电压和EMI,使开关器件的作用得到充分发挥。   快恢复二极管MUR860D在直流电路中的作用 快恢复二极管MUR860D具有反向阻断时耐压高、漏电流小、正向导通电阻低、电流大的特点。因为是作为开关使用的,一般要求切换速度快。另外,正确选择续流二极管的特性,尤其是反向恢复特性,如反向恢复时间和反向恢复的柔软度,可以明显降低开关装置、二极管和其他电路部件的功耗,并减少续流二极管引起的电压尖峰和电磁干扰可以最小化甚至消除吸收电路。

  • 2021-12-06
  • 发表了主题帖: MUR560D-ASEMI快恢复二极管MUR560D

    编辑-Z MUR560D在TO-252封装里有3条引线,是一款贴片快恢复二极管。MUR560D的浪涌电流Ifsm为60A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR560D的反向恢复时间(Trr)为50ns,MUR560D的电性参数是:正向电流(Io)为5A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.5V。   MUR560D参数描述 型号:MUR560D 封装:TO-252 特性:贴片快恢复二极管 电性参数:5A 600V 正向电流(Io):5A 正向电压(VF):1.5V 浪涌电流Ifsm:60A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-55~+150℃ 反向恢复时间(Trr):50ns 引线数量:3 MUR560D贴片封装系列。它的本体长度为5.7mm,加引脚长度为10.0mm,宽度为6.7mm,高度为2.5mm,脚间距为2.3mm。MUR560D有低成本、低泄漏、低正向压降、高电流能力等特性。   以上就是关于MUR560D-ASEMI快恢复二极管MUR560D的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 发表了主题帖: ASEMI三端正线性稳压器78M05工作原理

    编辑-Z 具有固定输出电压的线性集成稳压器78M05常用于电子设备。由于它只有输入端、输出端和接地端,且稳压管工作在线性放大区,一般用于固定输出,故称为三端固定线性稳压器。78M05稳压器具有外围电路简单、保护机制完善、电气性能指标高等特点,常用于电子生产中。   78M05参数描述 类别:78M05三端正线性稳压器 过流过热关断保护功能,输出电流的最大值为500mA,输入偏置电流为3.2mA,输入电压的最大值为35V。 封装:TO-220,SOT-223,D-PAK 工作温度:-40℃~125℃ 类别:贴片 结构:点接触型 封装材料:金属封装 电流容量:大功率 主要用途:一般用在雷达和声纳方面,例如:车载DVD,属于稳压IC直流5V低电流供电 三端正线性稳压器78M05工作原理 了解一个事物,往往是从它的外在特征入手,然后逐渐了解它的本质。经过上面的介绍,大家对三端固定稳压器78M05的外特性一定有了一定的了解。从外到内,由粗到细,现在将介绍三端固定稳压器78M05的工作原理。但在正式介绍之前,我们必须先简单介绍一下线性串联反馈稳压电路的工作原理。了解这个原理对理解稳压器的稳压原理更有帮助,因为稳压器的核心就是稳压电路。   从下图稳压电路结构图来看,该电路主要由稳压二极管和限流电阻R组成得到基准电压电路;由R1、RP、R2组成的采样电路;一个调整管T和一个集成运算放大器构成的误差放大器4个部分组成。由于稳压管T与负载串联,故称为串联稳压电路。 电压偏差(VREF-VF)经运算放大器放大,再经稳压管控制以控制输出。稳压过程可简述如下: 如果是在深度负反馈的情况下,最终的VREF将近似等于VF,此时可得输出电压为:Vo =VREF (1+R1 /R2 )   有了前面的铺垫,现在正式介绍三端固定稳压器的原理,以78M05正电压输出为例。框图如图下所示。三端稳压器与线性串联反馈稳压电路相比,具有更多的启动电路和保护电路,因为在集成稳压器中,经常使用很多恒流源,当输入电压接通后,这些恒流源很难自行导通,从而难以建立输出电压。因此,必须使用启动电路。保护电路包括电流降低和过热保护电路,可以在过热和过流的情况下保护稳压器。三端稳压器78M05的基本稳压原理类似于线性串联反馈稳压电路,也是通过负反馈进行调节,使输出电压保持相对稳定,达到稳压的目的。

  • 2021-12-04
  • 发表了主题帖: ASEMI低压差线性稳压器AMS1117详解

    编辑-Z AMS1117系列稳压器有可调版本和多种固定电压版本,旨在提供1A输出电流,工作电压差可低至1V。在最大输出电流下,AMS1117器件的最小电压差保证不超过1.3V,并且会随着负载电流的减小而逐渐减小。 AMS1117 是一款正低压降稳压器,在1A电流下具有1.2V的压降。 AMS1117有两个版本:固定输出版和可调版,固定输出电压为1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.0V、3.3V、5.0V,精度1%;固定输出电压为1.2V的精度为2%。 AMS1117内部集成了过热保护和限流电路,是电池供电和便携电脑的最佳选择。 绝对最大额定值:工作结温范围:-40~125°C 输入电压:15V 焊接温度(25秒):265°C 存储温度:- 65~150°C 电气特性 输出电压:3.267~3.333V(0<= IOUT<=1A , 4.75V<=VIN<=12V) 线路调整(最大):10mV(4.75V<=VIN<=12V) 负载调节(最大):15mV(VIN=5V,0<= IOUT<=1A) 电压差(最大):1.3V 电流限制:900~1500mA 静态电流(最大):10mA 纹波抑制(最小):60dB   AMS1117的特性: AMS1117 的片上微调将基准电压调整到误差1.5%以内,并且还调整了电流限制以最小化稳压器和电源电路过载引起的压力。   AMS1117器件与其他三端SCSI稳压器在引脚上兼容,采用适用贴片安装的SOT-223,8引脚SOIC和TO-252 (DPAK) 塑料封装。AMS1117基本参数:输出电流(A)1,输出电压(V) Adj、1.2、1.5、1.8、2.5、2.85、3.3、5.0。   AMS1117的应用: 高效线性稳压器,后置稳压器,开关电源5V至3.3V线性稳压器,电池充电器,有源SCSI终端,笔记本电源管理,电池供电设备。

  • 发表了主题帖: BTA12A-ASEMI的IGBT管BTA12A

    编辑-Z BTA12A在TO-220封装里引出3个引脚,是一款IGBT管。BTA12A的通态浪涌电流(ITSM)为120A,反向峰值电流(IRRM)为1mA,其工作时耐温度范围为-40~125摄氏度。BTA12A的通态峰值电压(VTM)为1.4V。BTA12A的电性参数是:通态方均根电流(IT)为12A,反向重复峰值电压(VRRM)为800V,门槛电压(VT0)为0.86V。   BTA12A参数描述 型号:BTA12A 封装:TO-220 特性:IGBT管 电性参数:12A 800V 通态方均根电流(IT):12A 通态浪涌电流(ITSM):120A 反向重复峰值电压(VRRM):800V 通态峰值电压(VTM):1.4V 门槛电压(VT0):0.86V 反向峰值电流(IRRM):1mA 工作温度:-40~+125℃ 引线数量:3 BTA12A插件封装系列。它的本体长度为9.0mm,加引脚长度为22.3mm,宽度为10.15mm,高度为4.0mm,脚厚度为0.45mm。BTA12A有NPNPN 五层结构的硅双向器件;具有单面挖槽技术,台面玻璃钝化工艺;背面多层金属化电极;具有较高的阻断电压和较高的温度稳定性。BTA12A主要用于:吸尘器、电动工具等马达调速控制器;固态继电器;加热控制器(调温);其它相控电路。   以上就是关于BTA12A-ASEMI的IGBT管BTA12A的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 2021-12-03
  • 发表了主题帖: 40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120

    编辑-Z 40N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。40N120的栅极-发射极电压(VGES)为±25V。40N120的电性参数是:集电极电流(IC)为40A,集电极-发射极电压(VCES)为1200V,G-E阈值电压(VGE)为5.5V。   40N120参数描述 型号:40N120 封装:TO-220 特性:低功耗场效应管 电性参数:40A 1200V 集电极电流(IC):40A 脉冲集电极电流(ICM):160A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±25V G-E阈值电压(VGE):5.5V G-E漏电流(IGES):250nA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 40N120插件封装系列。它的本体长度为21.09mm,加引脚长度为41.39mm,宽度为16.03mm,高度为5.16mm,脚间距为5.45mm。40N120有高速切换、高输入阻抗、符合RoHS等特性。   以上就是关于40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 发表了主题帖: MOS管应用电路,ASEMI型号25N120

    编辑-Z MOS管25N120最显着的特点是其良好的开关特性,因此25N120广泛应用于需要电子开关的电路中,如开关电源和电机驱动,以及照明调光。   25N120参数描述 型号:25N120 封装:TO-220 特性:高效mos管 电性参数:25A 1200V 二极管连续正向电流(IF):25A 脉冲二极管正向电流(IFM):150A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 二极管正向压降(VFM):2.0V G-E漏电流(IGES):250nA 反向恢复时间(trr):235NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 目前的MOS驱动有几个特殊要求: 1、低压应用 使用5V电源时,此时如果使用传统MOS管工作原理图的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,实际加到栅极的最终电压只有 4.3V。这时候我们选择标称栅极电压为4.5V的MOS管就存在一定的风险。使用3V或其他低压电源时也会出现同样的问题。   2、宽电压应用 输入电压不是一个固定值,它会随着时间或其他因素而变化。这种变化导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压不稳定。为了使MOS管在高栅极电压下安全,很多MOS管都内置稳压管强行限制栅极电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压管的电压时,会造成较大的静态功耗。同时,如果单纯利用电阻分压原理来降低栅极电压,当输入电压比较高时,MOS管工作良好,而当输入电压降低时,栅极电压不足,造成导通不彻底而增加功耗。   3、双电压应用 在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或3.3V数字电压,功率部分使用12V甚至更高的电压,这两个电压以共地方式连接。这就提出了一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效地控制高压侧MOS管,而高压侧MOS管也会面临1、2中提到的问题。   在这三种情况下,图腾柱结构都不能满足输出要求,而且很多现成的MOS驱动IC似乎都没有包含栅极电压限制,而ASEMI型号25N120却很好的解决了这些问题。

  • 2021-12-02
  • 发表了主题帖: 20N20-ASEMI低功耗场效应管20N20

    编辑-Z 20N20在TO-220F封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。20N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V,静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。20N20的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)为20A,漏源电压(VDSS)为200V,二极管正向压降(VSD)为1.5V,反向恢复时间(trr)为158NS。   20N20参数描述 型号:20N20 封装:TO-220F 特性:低功耗场效应管 电性参数:20A 200V 连续二极管正向电流(IS):20A 脉冲二极管正向电流(ISM):72A 漏源电压(VDSS):200V 栅极阈值电压(VGS):±30V 静态漏源导通电阻(RDS(on)):0.18Ω 二极管正向压降(VSD):1.5V 零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA 反向恢复时间(trr):158NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 20N20插件封装系列。它的本体长度为16.07mm,加引脚长度为29.25mm,宽度为10.36mm,高度为4.90mm,脚间距为2.54mm。20N20有低固有电容,优异的开关特性,扩展安全操作区,100%雪崩等特性。   以上就是关于20N20-ASEMI低功耗场效应管20N20的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 发表了主题帖: 闻名遐迩的ASEMI场效应管15N120是什么工作原理

    编辑-Z ASEMI场效应管15N120是什么工作原理?15N120是比较常用的MOS管,它的工作原理跟其他MOS管的原理是一样的。   15N120参数描述 型号:15N120 封装:TO-220 特性:低功耗场效应管 电性参数:15A 1200V 二极管连续正向电流(IF):15A 二极管浪涌正向电流(IFM):45A 集电极-发射极电压(VCES):1200V 栅极-发射极电压(VGES):±20V 二极管正向电压降(VFM):1.7V G-E漏电流(IGES):100nA 反向恢复时间(trr):210NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 MOS管可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也称为P沟道型。从图中可以看出,N沟道场效应管的源极和漏极与N型半导体相连,P沟道场效应管的源极和漏极与P型半导体相连。我们知道一般的三极管是通过输入电流来控制输出电流的。但对于场效应管15N120,其输出电流受输入电压(或电场)控制,可以认为输入电流很小或者没有输入电流,这使得15N120具有很高的输入阻抗,这就是我们称之为场效应管的原因。 对于MOS管15N120,当栅极上没有电压时,源漏极之间不会有电流流过,15N120处于截止状态(如图a),当N沟道MOS管在栅极加正电压时,由于电场的作用,来自N型半导体源极和漏极的负电子被吸引到栅极,然而由于氧化膜的阻挡,电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图b),形成电流以使源极和漏极之间导通。我们也可以想象成两个N型半导体之间有一条沟,栅极电压的建立就相当于在它们之间架起了一座桥梁,电桥的大小由栅极电压的大小决定。

  • 2021-12-01
  • 发表了主题帖: 7N80-ASEMI高效MOS管7N80

    编辑-Z 7N80在TO-220封装里引出3个引脚,是一款高效MOS管。7N80的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A,漏源击穿电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N80的栅源电压(VGS)为±30V,导通电阻RDS(on)为1.9Ω。7N80的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)为7A,漏源电压(VDSS)为800V,源-漏二极管压降(VSD)为1.4V,反向恢复时间(trr)为320NS。   7N80参数描述 型号:7N80 封装:TO-220 特性:高效MOS管 电性参数:7A 800V 连续二极管正向电流(IS):7A 脉冲二极管正向电流(ISM):28A 漏源电压(VDSS):800V 栅源电压(VGS):±30V 导通电阻(RDS(on)):1.9Ω 源-漏二极管压降(VSD):1.4V 漏源击穿电流(IDSS):10uA 反向恢复时间(trr):320NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 7N80插件封装系列。它的本体长度为16.0mm,加引脚长度为29.5mm,宽度为10.35mm,高度为4.55mm,脚间距为2.54mm。7N80有开关速度快,低导通电阻,低反向传输电容,低栅极电荷量等特性。   以上就是关于7N80-ASEMI高效MOS管7N80的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 发表了主题帖: 什么是MOS管7N60,ASEMI-7N60有什么优势

    编辑-Z MOS管7N60一般为金属-氧化物-半导体场效应晶体管,或金属-绝缘体-半导体。MOS管7N60的源极(source)和漏极(drain)是可以对调的,都是形成在P型背栅中的N型区。大多数情况下,这两个区域是相同的,即使两端接反也不会影响器件的性能,7N60这种器件被认为是对称的。   7N60参数描述 型号:7N60 封装:TO-220 特性:高效MOS管 电性参数:7A 600V 连续二极管正向电流(IS):7A 脉冲二极管正向电流(ISM):28A 漏源电压(VDSS):600V 二极管正向电压(VSD):1.5V 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA 反向恢复时间(trr):648NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 场效应管7N60通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流。事实上,没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流很小。最常见的 FET 使用二氧化硅薄层作为 GATE 极下的绝缘体。这种类型的晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管,或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)。由于MOS管7N60更小、更节能,因此在许多应用中已取代双极型晶体管。   MOS管7N60优势: 1、可应用于放大。由于场效应管7N60放大器的输入阻抗很高,耦合电容可以有更小的容量,不必使用电解电容。 2、非常高的输入阻抗很适合做阻抗转换。7N60常用于多级放大器输入级的阻抗转换。 3、可用作可变电阻器。 4、可方便地作为恒流源使用。 5、可作为电子开关使用。 6、电路设计灵活性大。栅极偏压可正可负或为零,三极管只能在正偏压下工作,电子管只能在负偏压下工作。另外7N60输入阻抗高,可以减少信号源的负载,容易与前级匹配。

  • 2021-11-30
  • 发表了主题帖: MUR2060AC-ASEMI超快恢复二极管MUR2060AC

    编辑-Z MUR2060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片,其尺寸都是120MIL,是一款超快恢复时间二极管。MUR2060AC的浪涌电流Ifsm为200A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR2060AC采用抗冲击硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。MUR2060AC的电性参数是:正向电流(Io)为20A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.5V,恢复时间(Trr)为35nS,其中有2条引线。   MUR2060AC参数描述 型号:MUR2060AC 封装:TO-220AC 特性:超快恢复时间 电性参数:20A,600V 芯片材质:抗冲击硅芯片 正向电流(Io):20A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.5V 芯片尺寸:120MIL 浪涌电流Ifsm:200A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):35nS 引线数量:2 MUR2060AC插件封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.57mm,宽度为10.66mm,高度为5.0mm,脚间距为5.08mm。MUR2060AC具有低功耗、高效率,低正向电压,高电流能力,高浪涌容量,超快恢复时间,高电压等特性。   以上就是关于MUR2060AC-ASEMI超快恢复二极管MUR2060AC的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 发表了主题帖: 什么是ASEMI二极管SFF3006反向恢复

    编辑-Z SFF3006参数描述 型号:SFF3006 封装:ITO-220AB 特性:超快恢复时间 电性参数:30A,600V 芯片材质:抗冲击硅芯片 正向电流(Io):30A 芯片个数:2 正向电压(VF):1.5V 芯片尺寸:120MIL 浪涌电流Ifsm:300A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-50~+150℃ 恢复时间(Trr):35nS 引线数量:3 二极管SFF3006反向恢复过程,现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关,或使用主要由它们组成的逻辑集成电路。用作开关的二极管主要是利用其导通(小阻值)和关断(高阻值)特性,即二极管对正向和反向电流的开关作用。二极管SFF3006与一般开关的区别在于“开”和“关”由外加电压的极性决定,“开”状态有很小的压降Vf,“关”状态有一个小电流 I0。当电压由正向变为反向时,电流不会立即变为(-I0),而是在一段时间ts内,反向电流一直很大,SFF3006不会关断。   ts后反向电流逐渐减小,tf时间后SFF3006电流变为(-I0),如图所示。ts称为存储时间,tf称为下降时间。tr=ts+tf 称为反向恢复时间,以上过程称为反向恢复过程 这其实是电荷存储效应造成的,反向恢复时间就是存储的电荷耗尽所需的时间。此过程使二极管SFF3006不能在快速连续脉冲下用作开关。如果反向脉冲的持续时间短于tr,二极管可以在正向和反向两个方向导通,将无法作开关用。   当开关从导通状态转换到截止状态时,二极管SFF3006需要先释放储存的电荷,然后二极管才能阻断反向电流,这个放电时间称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过SFF3006,即正向导通电流为0到进入全关断状态的时间。

  • 2021-11-29
  • 发表了主题帖: ASEMI大电流快恢复二极管型号SFF2006

    编辑-Z SFF2006这类二极管的优点是反向恢复时间短、开关特性好、体积小,因此广泛应用于脉宽调制器、不间断电源、开关电源、变频器等电路中。SFF2006快恢复二极管的作用是高频大电流整流或续流。   SFF2006参数描述 型号:SFF2006 封装:ITO-220AB 特性:超快恢复时间 电性参数:20A,600V 芯片材质:抗冲击硅芯片 正向电流(Io):20A 芯片个数:2 正向电压(VF):1.5V 芯片尺寸:110MIL 浪涌电流Ifsm:200A 漏电流(Ir):10uA 工作温度:-50~+150℃ 恢复时间(Trr):35nS 引线数量:3 SFF2006产品特点: 平面技术、高压、外延超快恢复二极管制造技术: 带缓冲层的外延材料结构设计,降低正向压降,实现软恢复特性; 先进的场限环和场板复合平面结端子技术,实现高耐压要求; 先进的微电子平面制造技术,保证结面均匀,减少漏电流; 浅结、低阳极掺杂浓度设计技术,保证良好的热稳定性; 独有的延长铂寿命控制技术,实现超快恢复特性。 全新台面结构、超低正向、极快恢复二极管制造技术: 采用多层复合外延材料,实现超低正向压降和软恢复特性; 新型光滑台面制造工艺,满足高背压、低泄漏要求; 独特的铂金扩散寿命控制技术,确保极快的恢复时间和低正向压降; 先进的钝化保护技术,降低反向漏电流,提高器件可靠性; 三次光刻,无需离子注入和扩散,大大缩短了工艺周期,降低了生产成本。   快恢复二极管SFF2006的内部结构和外观如图所示。SFF2006的内部结构为双管式,其中双管内有两个快恢复二极管,根据连接方式在这两种快恢复二极管中,管子可分为共阴对管和共阳对管。

  • 发表了主题帖: SFP3006-ASEMI高压大电流快恢复二极管SFP3006

    编辑-Z SFP3006在TO-247封装里采用的2个芯片,其尺寸都是130MIL,是一款大功率超快恢复二极管。SFP3006的浪涌电流Ifsm为300A,漏电流(Ir)为500uA,其工作时耐温度范围为-40~150摄氏度。SFP3006采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。SFP3006的电性参数是:正向电流(Io)为30A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.7V,恢复时间(Trr)为35nS,其中有3条引线。   SFP3006参数描述 型号:SFP3006 封装:TO-247 特性:大功率快恢复二极管 电性参数:30A,600V 芯片材质:抗冲击硅芯片 正向电流(Io):30A 芯片个数:2 正向电压(VF):1.7V 芯片尺寸:130MIL 浪涌电流Ifsm:300A 漏电流(Ir):500uA 工作温度:-40~+150℃ 恢复时间(Trr):35nS 引线数量:3 SFP3006插件封装系列。它的本体长度为21.09mm,加引脚长度为41.38mm,宽度为16.03mm,高度为5.16mm,脚间距为5.45mm。SFP3006具有超快35 纳秒恢复时间、150°C工作结温、高温玻璃钝化结、低正向电压、低漏电流、提供无铅封装等特性。   以上就是关于SFP3006-ASEMI高压大电流快恢复二极管SFP3006的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 2021-11-27
  • 发表了主题帖: ASEMI-SL1550超低压降肖特基二极管型号

    编辑-Z 肖特基二极管的应用技术已经非常广泛和普遍,那么为什么SL1550作为新品肖特基二极管越来越受到广大电源厂商的青睐呢?这其实是大家越来越重视节能的一个必然因素。为响应能源部对电源6级能效的要求,需要更低的压降元件材料来提高电源转换效率。 ASEMI-SL1550就是这样一款超低压降肖特基二极管型号。肖特基二极管产品在相同电源输入电压下,由于SL1550压降值更低,所以能耗更小,实际电源转换效率提高4%以上,因此越来越受到电源厂商的青睐。   SL1550参数描述 型号:SL1550 封装:TO-277 特性:超低压降、低功耗 电性参数:15A,50V 芯片材质:金属硅芯片 正向电流(Io):15A 芯片个数:1 正向电压(VF):0.48V 芯片尺寸:130MIL 浪涌电流Ifsm:275A 漏电流(Ir):0.3mA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 肖特基二极管SL1550在正向电压的作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一个导通开关;在反向电压的作用下,电阻很大,处于截止状态,就像一个断开的开关。利用SL1550肖特基二极管的开关特性,可以形成各种逻辑电路。   由于肖特基二极管SL1550具有单向导通的特性,在正向偏压下导通,导通状态的电阻很小,大约几十到几百欧姆;在反向偏置下,它处于截止状态,其电阻非常大。一般硅肖特基二极管在10MΩ以上。利用这一特性,肖特基二极管SL1550将在电路中起到控制电流通断的作用,成为理想的电子开关。以上就是关于ASEMI-SL1550超低压降肖特基二极管型号的详细介绍。

  • 发表了主题帖: PS2060L-ASEMI肖特基二极管PS2060L

    编辑-Z PS2060L在TO-277封装里采用的1个芯片,其尺寸都是130MIL,是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS2060L的浪涌电流Ifsm为300A,漏电流(Ir)为0.03mA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS2060L采用金属硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。PS2060L的电性参数是:正向电流(Io)为20A,反向耐压为60V,正向电压(VF)为0.37V,恢复时间(Trr)为5nS,其中有3条引线。   PS2060L参数描述 型号:PS2060L 封装:TO-277 特性:超低压降、低功耗 电性参数:20A,60V 芯片材质:金属硅芯片 正向电流(Io):20A 芯片个数:1 正向电压(VF):0.37V 芯片尺寸:130MIL 浪涌电流Ifsm:300A 漏电流(Ir):0.03mA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 PS2060L贴片封装系列。它的本体长度为5.38mm,加引脚长度为6.5mm,宽度为4.0mm,高度为1.1mm,脚间距为1.84mm。PS2060LL具有高电流能力、低正向压降、低功耗、高效率、高浪涌电流能力等特性,用于表面贴装应用。   以上就是关于PS2060L-ASEMI肖特基二极管PS2060L的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

  • 2021-11-26
  • 发表了主题帖: ASEMI肖特基二极管PS2045L在电路中的应用与选型参数

    编辑-Z 在电子行业,几乎每个工程师都知道肖特基二极管,但你真的了解它的应用领域以及选型时要考虑哪些重要参数吗?让我们来了解PS2045L肖特基二极管。   肖特基二极管PS2045L是以金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,也称为肖特基势垒二极管,属于金属半导体结二极管。PS2045L主要特点是正向导通压降小、反向恢复时间短、开关损耗低。它是一种低功耗、超高速的半导体器件,缺点是耐压比较低,反向漏电流比较大。   PS2045L参数描述 型号:PS2045L 封装:TO-277 特性:超低压降、低功耗 电性参数:20A,45V 芯片材质:金属硅芯片 正向电流(Io):20A 芯片个数:1 正向电压(VF):0.32V 芯片尺寸:130MIL 浪涌电流Ifsm:300A 漏电流(Ir):0.02mA 工作温度:-55~+150℃ 恢复时间(Trr):5nS 引线数量:3 肖特基二极管PS2045L的结构和特性使其适用于低压大电流输出应用中的高频整流、高频检测和混频以及高速逻辑电路中的钳位。肖特基二极管常用于IC,也广泛用于高速计算机。肖特基二极管检波混频的电气参数除了普通PN结二极管的特性参数外,还包括中频阻抗,是指在施加额定本振功率时呈现给规定中频的阻抗。PS2045L主要用于逆变器、开关电源、模块电源、驱动电路等场合,作为整流二极管、保护二极管、续流二极管等,在微波通信等电路中作为整流二极管、小信号检波二极管。   选型时主要考虑PS2045L的导通压降、反向饱和漏电流、额定电流、最大浪涌电流、最大反向峰值电压、最大直流反向电压、最高工作频率、反向恢复时间、最大耗散功率等参数。

  • 发表了主题帖: PS1545L-ASEMI低压降肖特基二极管PS1545L

    编辑-Z PS1545L在TO-277封装里采用的1个芯片,其尺寸都是120MIL,是一款超低压降、低功耗肖特基二极管。PS1545L的浪涌电流Ifsm为250A,漏电流(Ir)为0.02mA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。PS1545L采用金属硅芯片材质,里面有1颗芯片组成。PS1545L的电性参数是:正向电流(Io)为15A,反向耐压为45V,正向电压(VF)为0.3V,恢复时间(Trr)为5nS,其中有3条引线。   PS1545L参数描述 型号:PS1545L 封装:TO-277 特性:超低压降、低功耗 电性参数:15A,45V 芯片材质:金属硅芯片 正向电流(Io):15A 芯片个数:1 正向电压(VF):0.3V 芯片尺寸:120MIL 浪涌电流Ifsm:250A 漏电流(Ir):0.02mA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 PS1545L贴片封装系列。它的本体长度为5.38mm,加引脚长度为6.5mm,宽度为4.0mm,高度为1.1mm,脚间距为1.84mm。PS1545L具有高电流能力、低正向压降、低功耗、高效率、高浪涌电流能力等特性,用于表面贴装应用。   以上就是关于PS1545L-ASEMI低压降肖特基二极管PS1545L的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。   ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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