- 2023-06-10
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物联网芯片 RTL8710CM/RTL8715AH/RTL8715AQ 高集成度物联网低能耗SoC单芯片
明佳达,星际金华 供求 物联网芯片 RTL8710CM/RTL8715AH/RTL8715AQ 高集成度物联网低能耗SoC单芯片
产品介绍:
RTL8710CM/RTL8715AH/RTL8715AQ是一款高度集成的物联网低能耗SoC单芯片。它结合了Wi-Fi、Real-M300 CPU(高达100MHz)、可配置的GPIO和无线MAC/基带/射频,可作为数字外设用于各种产品应用和控制使用。
特征:
外围接口
SDIO 2.0高速模式
UART 3.3V x2
SPI接口(主/从) x1
I2C接口 x 1
PWM x8
最多16个GPIO
CPU: Armv8-M架构 @300MHz, Real-M CPU
768KB嵌入式ROM
32MB嵌入式LPDDR
提供外部闪存接口
Wi-Fi:4GHz & 5GHz 1T1R 802.11ac/a/b/g/n,最高433Mbps;20MHz / 40MHz / 80MHz
应用:
零售业应用
智能家居
智能建筑
健康护理应用
电池摄像机
智能门铃
可穿戴相机
无人机
- 2023-06-09
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氮化镓场效应管 LMG3422R030RQZR/LMG3425R030RQZR 栅极驱动器
氮化镓集成电路 LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ 氮化镓场效应管,带集成驱动器 隔离栅驱动器
描述
LMG3422R030RQZR集成了驱动器和保护功能的GaN FET使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。
LMG3422R030RQZR集成了一个硅驱动器,使开关速度高达150V/ns。与分立的硅栅极驱动器相比,集成的精密栅极偏置导致了更高的开关SOA。这种集成与低电感封装相结合,在硬开关电源拓扑结构中提供了干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制20 V/ns至150 V/ns的回转率,这可用于主动控制EMI和优化开关性能。LMG3425R030包括理想二极管模式,通过实现自适应死区时间控制来减少第三象限损耗。
特点
符合JEDEC JEP180的硬开关拓扑结构要求
带有集成栅极驱动器的600-V硅基氮化镓场效应晶体管
集成高精度栅极偏置电压
200-V/ns CMTI
2.2兆赫的开关频率
30-V/ns至150-V/ns的回转率,用于优化开关性能和降低EMI
在7.5-V至18-V电源下工作
逐周期过流和潜伏短路保护,响应时间<100-ns
在硬开关时可承受720-V的浪涌
内部过热的自我保护和UVLO监测
数字温度PWM输出
理想的二极管模式减少了LMG3425R030的第三象限损耗
应用
高密度工业电源
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
商业网络和服务器PSU
栅极驱动器 LMG3425R030RQZR 具有集成驱动器和理想二极管模式的 GaN FET VQFN54
描述
LMG342xR030 集成了驱动器和保护功能的 GaN FET 使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。LMG342xR030 集成了一个硅驱动器,使开关速度高达 150 V/ns。与分立硅栅极驱动器相比,TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与TI的低电感封装相结合,可在硬开关电源拓扑结构中实现干净的开关和最小的振铃。可调节的栅极驱动强度允许控制20 V/ns至150 V/ns的回转率,这可用于主动控制EMI和优化开关性能。LMG3425R030包括理想二极管模式,通过实现自适应死区时间控制来减少第三象限损耗。
应用
高密度工业电源
太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
商业网络和服务器PSU
商用电信整流器
特点
符合JEDEC JEP180的硬开关拓扑结构-600-V硅基氮化镓场效应晶体管,带有集成栅极驱动器-集成高精度栅极偏置电压-200-V/ns CMTI-2.2-MHz开关频率-30-V/ns至150-V/ns回转率,用于优化开关性能和缓解EMI-可在7. 5-V至18-V电源-稳健保护-逐周期过流和潜伏短路保护,响应时间<100-ns-硬开关时可承受720-V浪涌-内部过热的自我保护和UVLO监控-先进的电源管理-数字温度PWM输出-理想的二极管模式减少LMG3425R030的第三象限损耗
经过JEDEC JEP180认证,适用于硬开关拓扑结构
带有集成栅极驱动器的600-V硅基氮化镓场效应晶体管
集成的高精度栅极偏置电压
200-V/ns CMTI
2.2兆赫的开关频率
30-V/ns至150-V/ns的回转率,用于优化开关性能和降低EMI
在7.5-V至18-V电源下工作
强有力的保护
逐个周期的过电流和潜伏的短路保护,响应时间<100-ns
在硬开关时可承受720-V的电涌
内部过热的自我保护和UVLO监测
先进的电源管理
数字温度PWM输出
理想的二极管模式减少了LMG3425R030的第三象限损耗
明佳达,星际金华 供求 氮化镓场效应管 LMG3422R030RQZR/LMG3425R030RQZR 栅极驱动器!
- 2023-06-07
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172047-1003/EEEHC1C101XP/16SVPG270M 连接器
电源连接器 172047-1003 集成电路芯片 2POS 电源到板上
产品描述:
172047-1003是2位电源连接器,电源到板。
参数:
产品类型: 电源到板上
触点性别: 插座(母)
位置的数量: 2个位置
安装方式: 通孔
终端样式: 焊针
铝电解电容器EEEHC1C101XP SMD 100µF 集成电路芯片
产品介绍
EEEHC1C101XP是100µF 16V的铝电解电容,径向,可以 - SMD 3000 Hrs @ 105°C,表面贴装型。
规格
电容:100µF
公差:±20
电压 - 额定:16 V
温度下的寿命:3000小时@105°C
操作温度:-40°C ~ 105°C
极化:极化
额定值:AEC-Q200
应用:汽车
纹波电流@低频:81 mA @ 120 Hz
高频时的纹波电流:137.7 mA @ 10 kHz
大小/尺寸:0.248" 直径 (6.30mm)
高度 - 座标(最大):0.303" (7.70mm)
表面安装尺寸:0.260" L x 0.260" W (6.60mm x 6.60mm)
安装类型:表面安装
封装/外壳:径向,罐装 - SMD
16SVPG270M 铝聚合物电容器 270µF 径向, SMD
产品说明
16SVPG270M是270µF 16V导电聚合物铝固体电容器,8mOhm 5000 Hrs @ 105°C,表面贴装型。
特点
低矮的外形(最大高度4.5毫米)。
低ESR(最大6.5 mΩ)。
高纹波电流(最大7500 mA rms)。
符合RoHS标准,无卤素
明佳达,星际金华 供求 172047-1003/EEEHC1C101XP/16SVPG270M 连接器
- 2023-06-05
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LSHM-120-L6.0-L-DV-A-S-K-TR,LSHM-150-L1-L-DH-A-S-K-TR 矩形连接器
明佳达,星际金华 供求 LSHM-120-L6.0-L-DV-A-S-K-TR,LSHM-150-L1-L-DH-A-S-K-TR 矩形连接器!
LSHM-120-L6.0-L-DV-A-S-K-TR 40位阵列边缘型夹层连接器
产品介绍
LSHM-120-L6.0-L-DV-A-S-K-TR是一款40位置的连接器,自配,无性别差异,雌雄同体的表面贴装金。
特点
自配系统降低了库存成本
平行、垂直和共面系统
屏蔽选项
润滑选项
LSHM-150-L1-L-DH-A-S-K-TR 100位矩形连接器
产品介绍
LSHM-150-L1-L-DH-A-S-K-TR是100个位置的连接器,自配,无性别差异,两性表面安装,直角金。
特点
10种堆叠高度选择,从5.00毫米到12.00毫米
0.50毫米、0.635毫米或0.80毫米的间距
配接时可听到咔哒声
配接和断开的力量大约是典型微间距连接器的4-6倍
- 2023-06-03
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G846A10221T4EU/TF31-4S-0.5SH/FH40-24S-0.5SV 扁平柔性连接器
明佳达,星际金华 供求 G846A10221T4EU/TF31-4S-0.5SH/FH40-24S-0.5SV 扁平柔性连接器
TF31-4S-0.5SH扁平柔性连接器组件
产品说明
TF31-4S-0.5SH是4个位置的FFC、FPC连接器触点,底部0.020英寸(0.50毫米)表面安装,直角。
特点
高FPC保持力与FPC侧边的捕捉器设计
防止焊料渗漏和助焊剂渗透
FH40-24S-0.5SV 24位扁平柔性连接器
产品说明
FH40-24S-0.5SV是一款24位FPC连接器触点,垂直-单面0.020英寸(0.50毫米)表面安装。
特点
广泛的位置和高度选择
优化的触点设计和材料,具有高耐热性能
- 2023-06-02
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ACPL-K49T-560E 光隔离器 晶体管/STPM34TR 单相电表 IC
明佳达,星际金华 供求 ACPL-K49T-560E 光隔离器 晶体管/STPM34TR 单相电表 IC!
ACPL-K49T-560E 光隔离器 晶体管 输出 5000Vrms 1 通道 8-SO 伸展式
描述:
ACPL-K49T是一款单通道、高温、高CMR、20kBd的数字光耦合器,可配置为低功耗、低漏电的光电晶体管,专门用于汽车应用。伸展式SO-8封装的外形设计与标准表面贴装工艺兼容。
这种数字光耦合器在发光二极管和集成的光电探测器之间使用绝缘层,在输入和输出之间提供电绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接,通过减少基极-集电极电容,将速度提高到传统光电耦合器的一百倍。
R2Coupler隔离产品提供强化的绝缘和可靠性,在汽车和高温工业应用中提供关键的安全信号隔离。
特点:
高温和可靠的低速数字接口 汽车应用的接口
在VCM=1500V时具有30 kV/μs的高共模抑制能力 (典型值)
4引脚配置的低功耗、低漏电的光电晶体管
紧凑、可自动插入的拉伸型SO8封装
符合AEC Q100 1级测试准则的要求
宽温度范围:-40°C至+125°C
低LED驱动电流:4 mA(典型值)
低传播延迟:20μs(最大)。
应用:
汽车低速数字信号隔离接口
逆变器故障反馈信号隔离
STPM34TR 单相电表 IC
描述:
STPM34 单相电表 IC 属于 ASSP 系列,它们采用罗氏线圈、电流互感器或旁路电流传感器,在电力线系统中实现对功率和电能的高精确性测量。这些器件可提供瞬时电压和电流波形,并计算电压和电流的均方根(有效)值、有功功率、无功功率、视在功率和电能。STPM34 是由模拟部分和数字部分组成的混合信号 IC 系列产品。模拟部分包含多达两个可编程增益低噪声低失调放大器和多达四个二阶 24 位 Σ-Δ 型模数转换器、两个带独立温度补偿的能隙电压基准、一个低压降稳压器和若干直流缓冲器。数字部分包含数字滤波级、一款硬接线 DSP、DFE 连接输入,以及一个串行通信接口(UART 或 SPI)。它们是完全可配置的,在整个电流动态范围中,只需一个负载点即可快速实现数字系统校准。
特征:
有功功率精度:
–<0.1%误差超过5000:1个动态范围
–10000以上误差<0.5%:1个动态范围
超过50-60 Hz EN 50470-x,IEC 62053-2x,
ANSI12.2x交流电度表的标准要求
无功功率精度:
–2000年误差<0.1%:1个动态范围
双模视在能量计算
瞬时和平均功率
RMS和瞬时电压和电流
欠压和过压检测(下垂和膨胀)和监测
过电流检测和监测
具有可编程CRC多项式验证的UART和SPI串行接口
可编程LED和中断输出
四个独立的24位二阶∑-ΔADC
两个可编程增益斩波器稳定的低噪声和低偏移放大器
带宽3.6 kHz,-3 dB
Vcc电源范围3.3 V±10%
电源电流Icc 4.3 mA(STPM32)
输入时钟频率16 MHz,Xtal或外部电源
双精度电压基准:1.18 V,带独立可编程TC,30 ppm/°C典型值。
3 V时的内部低降调节器(典型)
工作温度从-40°C到+105°C
- 2023-06-01
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TLV1702AQDGKRQ1 模拟比较器/UCC28951QPWRQ1 全桥稳压器
明佳达,星际金华 供求 TLV1702AQDGKRQ1 模拟比较器/UCC28951QPWRQ1 全桥稳压器!
TLV1702AQDGKRQ1 模拟比较器
描述:
TLV1702-Q1(双路)器件具有宽电源范围、轨至轨输入、低静态电流和低传播延迟。所有这些特性都采用工业标准的超小型封装,使这些器件成为目前最好的通用比较器。
集电极开路输出的优点是允许输出被拉到高于负电源36V的任何电压轨上,而不受TLV170x-Q1电源电压的影响。
该器件是一个微型电源比较器。低输入失调电压、低输入偏置电流、低电源电流和开路集电极配置使TLV170x-Q1器件足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。
该器件被指定在-40°C至+125°C的扩展工业温度范围内工作。
特征:
符合汽车应用条件
电源范围:2.2 V至36 V或±1.1 V至±18 V
低静态电流:每个比较器55µA
输入共模范围包括两个导轨
低传播延迟:560 ns
低输入偏移电压:300µV
开路收集器输出:
无论电源电压如何,高于负电源36 V
工业温度范围:-40°C至+125°C
应用:
过电压和欠电压检测器
窗口比较器
过电流检测器
过零检测器
系统监控
白色商品
汽车
医疗
UCC28951QPWRQ1 全桥 稳压器 正向 输出 DC-DC 控制器 IC
描述:
UCC28951-Q1控制器是UCC28950-Q1的增强版。它是UCC28950-Q1的一个完全兼容的直接替代产品。UCC28950-Q1或UCC28951-Q1确定使用哪种控制器。UCC28951-Q1除了对同步整流器(SR)输出级进行主动控制外,还对全桥进行高级控制。
可编程延迟确保在广泛的工作条件下进行ZVS操作,而负载电流自然调整次级同步整流器(SR)的开关延迟。这种功能使整个系统的效率最大化。
特征:
适用于汽车应用
增强的零电压开关(ZVS)范围
直接同步整流器(SR)控制
轻载效率管理,包括:
突发模式操作
不连续传导模式(DCM),具有可编程阈值的动态SR开/关控制
可编程自适应延迟
具有可编程斜率补偿和电压模式控制的平均或峰值电流模式控制
闭环软启动和启用功能
可编程开关频率高达1 MHz,双向同步
(±3%)逐周期电流限制保护,支持打嗝模式
150µA启动电流
VDD欠压锁定
宽温度范围:-40°C至+125°C
应用:
电动汽车逆变器
电动汽车车载充电器
太阳能逆变器
上升
- 2023-05-30
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碳化硅模块 FF08MR12W1MA1B11/FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V半桥模块
明佳达,星际金华 供求 碳化硅模块 FF08MR12W1MA1B11/FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V半桥模块
概述
FF08MR12W1MA1B11/FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
是8mΩ的半桥模块,采用了新的CoolSiC™汽车MOSFET 1200V,NTC温度传感器和PressFIT接触技术。随着全面的汽车资格认证,CoolSIC™的应用领域现在扩展到具有高效率和开关频率要求的高压汽车应用,如HV/HV DC-DC升压转换器、多相逆变器和燃料电池压缩机等快速开关辅助驱动器。
特点
高栅极阈值电压,防止寄生性开启 Vth = 4.4 V
与IGBT兼容的驱动电压VGS=-5V/+15V
具有低反向恢复能力的本征二极管
低杂散电感5nH
阻断电压1200V
低开关损耗
低Qg和Crss
Tvjop=150°C
潜在的应用
汽车应用
混合动力和电池电动汽车
商业、建筑和农业车辆
HV/HV DC-DC转换器
主逆变器
辅助驱动器
- 2023-05-29
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ISL32478EIBZ 25mV接口收发器 8-SOIC,ISL6617AFRZ 6mA PWM倍增器带输出监控功能
ISL32478EIBZ 25mV接口收发器 8-SOIC
产品说明:
ISL32478EIBZ是有故障保护的、扩展共模范围的差分收发器,超过了平衡通信的RS-485和RS-422标准。ISL32478EIBZ接收器(Rx)输入具有完全故障保护设计,确保在Rx输入浮动、短路或处于终止但未驱动(空闲)的总线上时,Rx输出为逻辑高电平。
特征:
故障保护RS-485总线引脚:高达±60V
扩展共模范围:±15V
总线上最多128个设备的1/4单位负载
RS-485总线引脚的±16.5kV HBM ESD保护
高瞬态过电压容限:±80V
完整的故障保护(开路,短路,终止)RS-485接收器
隔离设计中用于光电耦合器的高Rx IOL
热插拔电路:Tx和Rx输出在上电/断电期间保持三态。
RS-485数据速率:250kbps至15Mbps
低静态电源电流:2.3mA
超低关断电流:10µA
应用:
公用事业仪表和自动读表系统
高节点数的RS-485系统
基于PROFIBUS和RS-485的现场总线网络,工厂自动化
安防摄像机网络
建筑物照明和环境控制系统
工业/过程控制网络
ISL6617AFRZ 6mA PWM倍增器带输出监控功能
产品说明:
ISL6617AFRZ相位倍增器计划用单一的PWM输入来调制两相电源组。它使3.3V多相控制器可支持的相数增加一倍。
ISL6617AFRZ旨在最大限度地减少高相数可扩展应用中控制器和驱动器之间的模拟信号接口数量。
特征:
专有的相位加倍器方案
增强了从轻载到满载的效率
两倍或四倍的相位数
具有专利的DCR电流感应和可调增益的电流平衡功能
电流监测输出(IOUT),简化了系统接口和布局
用于模式选择的三电平使能输入
双PWM输出驱动,用于两个同步整流桥的单PWM输入
通道同步和两个交织选项
支持3.3V PWM输入
支持5V的PWM输出
兼容DCR感应或智能功率级感应
用于输出级关断的三态PWM输入和输出
应用:
大电流、低电压的DC/DC转换器
高频率和高效率的VRM和VRD
高相数和甩相应用
3.3V PWM输入集成功率级或DrMOS
明佳达,星际金华 供求 ISL32478EIBZ 25mV接口收发器 8-SOIC,ISL6617AFRZ 6mA PWM倍增器带输出监控功能!
- 2023-05-27
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F3L600R10W4S7FC22/F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT模块沟槽现场停止三电平变频器
明佳达,星际金华 供求 F3L600R10W4S7FC22/F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT模块沟槽现场停止三电平变频器
详细说明:
F3L600R10W4S7FC22BPSA1是950V、600A的三电平IGBT模块,带有TRENCHSTOP™ IGBT7和1200V的CoolSiC™肖特基二极管。
特点:
电气特性
VCES = 950 V
IC提名 = 600 A / ICRM = 800 A
CoolSiCTM 肖特基二极管5代
Trenchstoptm igbt7
Tvj,op = 150°C
机械特性
CTI>400的封装
PressFIT接触技术
集成NTC温度传感器
应用:
太阳能应用
三层应用
- 2023-05-26
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汽车模块FF900R12ME7WB11/FF900R12ME7WB11BPSA1 IGBT绝缘栅双极晶体管
明佳达,星际金华 供求 汽车模块FF900R12ME7WB11/FF900R12ME7WB11BPSA1 IGBT绝缘栅双极晶体管
描述
1200V 双IGBT模块采用第7代发射器控制二极管、NTC和PressFIT触点技术。该IGBT模块在相同框架尺寸和避免并联的情况下具有更高的逆变器输出电流。英飞凌1200V双IGBT模块提供简单可靠的组装方式,具有高互连可靠性。
参数
配置:双
特点:底板上的波浪结构; PressFIT 引脚
外壳:EconoDUAL™ 3
电压:1200 V
电流: 900 A
资质:工业
技术:IGBT7 - E7
VCE(sat) (Tvj=25°C 典型值):1.5 V
VF(Tvj=25°C 典型值):1.8 V
特征
功率密度大
出色的VCE sat
Tvj op = 175°C过载
改进端子
优化爬电距离,适用于1500V PV应用
PressFIT控制引脚和螺钉电源端子
集成NTC温度传感器
隔离式基板
采用模压端子,设计紧凑而坚固
应用
建筑用、商用和农用车辆的混合电动解决方案
电机控制和驱动器
不间断电源 (UPS)
- 2023-05-25
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XC7A35T-1FTG256I/XC7A100T-2CSG324I 现场可编程门阵列 BGA封装
XC7A35T-1FTG256I FPGA IC LBGA256 现场可编程门阵列
产品说明
XC7A35T-1FTG256I可满足完整的系统要求,从低成本、小尺寸、对成本敏感的大批量应用到最苛刻的高性能应用的超高端连接带宽、逻辑容量和信号处理能力。
特点
强大的时钟管理瓦(CMT),结合锁相环(PLL)和混合模式时钟管理器(MMCM)块,实现高精度和低抖动。
利用MicroBlaze™处理器快速部署嵌入式处理。
用于PCI Express®(PCIe)的集成块,可用于高达x8 Gen3端点和根端口设计。
多种配置选项,包括支持商品存储器、带有HMAC/SHA-256认证的256位AES加密,以及内置SEU检测和校正。
低成本、线束、裸片倒装芯片和高信号完整性倒装芯片封装,可在同一封装中轻松实现家族成员之间的迁移。所有的封装都是无铅的,选定的封装有铅选项。
采用28纳米、HKMG、HPL工艺、1.0V核心电压工艺技术和0.9V核心电压选项,旨在实现高性能和最低功率。
XC7A100T-2CSG324I Artix 7 FPGA IC CSPBGA324 表面安装
产品描述:
XC7A100T-2CSG324I封装为324-CSPBGA(15x15),表面贴装。集成电路(IC)嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)。
特点:
每组的总电流不应超过200 mA。
如果VCCINT和VCCBRAM在同一电压下工作,VCCINT和VCCBRAM应连接到同一电源。
即使VCCO下降到0V,配置数据也会保留。
包括VCCO为1.2V、1.35V、1.5V、1.8V、2.5V和3.3V的±5%。
明佳达,星际金华 供求 XC7A35T-1FTG256I/XC7A100T-2CSG324I 现场可编程门阵列 BGA封装!
- 2023-05-24
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XC3S200-4FTG256C 现场可编程门阵列/MKE06Z128VLH4 32位单核微控制器IC
XC3S200-4FTG256C 现场可编程门阵列 LBGA256
产品介绍
XC3S200-4FTG256C是低成本、高性能的现场可编程门阵列,适合大批量、面向消费者的应用。
特点
适用于大批量、面向消费者的应用的低成本、高性能逻辑解决方案
18种单端信号标准
每个I/O的数据传输率为622+ Mb/s
SelectIO™接口信号
多达633个I/O引脚
信号摆动范围从1.14V到3.465V
密度高达 74,880 个逻辑单元
通过数字控制的阻抗进行端接
8种差分I/O标准,包括LVDS、RSDS
支持双倍数据速率(DDR)
48MHz MKE06Z128VLH4 32位单核微控制器IC LQFP64 表面贴装
产品介绍
MKE06Z128VLH4是32位单核微控制器芯片,多达71个通用输入/输出(GPIO)。可编程循环冗余检查模块(CRC)。
功能特点
电压范围:2.7至5.5V
闪存写入电压范围:2.7至5.5 V
温度范围(环境): -40至105°C
高达48 MHz的Arm® Cortex-M0+内核
单周期32位x32位乘法器
单周期I/O访问端口
存储器和存储器接口
高达128KB的闪存
高达16KB的RAM
电源管理模块(PMC)有三种电源模式: 运行、等待、停止
低电压检测(LVD),带复位或中断,可选择跳闸点
带独立时钟源的看门狗(WDOG)
明佳达,星际金华 供求 XC3S200-4FTG256C 现场可编程门阵列/MKE06Z128VLH4 32位单核微控制器IC
- 2023-05-23
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STM32L486VGT6低功耗微控制器芯片/EPM1270F256C5N 256-BGA复杂可编程逻辑器件
明佳达,星际金华 供求 STM32L486VGT6低功耗微控制器芯片/EPM1270F256C5N 256-BGA复杂可编程逻辑器件!
80MHz低功耗STM32L486VGT6 Arm Cortex M4微控制器芯片100LQFP
产品介绍:
STM32L486VGT6是带有FPU的超低功耗Arm Cortex-M4 MCU,具有1 Mbyte的Flash存储器。工作频率高达80MHz。封装为100-LQFP(14x14)。
特征:
多达三个快速的12位ADC(5 Msps)。
支持四个数字滤波器的外部Σ-Δ调制器(DFSDM)。
用于USB的3.3V专用电源输入,多达14个I/O可独立供电,电压低至1.08V
1.71V至3.6V电源供应
-40℃至85/105/125℃的温度范围
内部低功耗32 kHz RC(±5%)。
多达114个快速I/O,大多数为5V耐压,多达14个I/O独立供电,电压低至1.08V
多达24个电容式感应通道:支持触摸键、线性和旋转式触摸传感器
EPM1270F256C5N 256-BGA复杂可编程逻辑器件
产品介绍
EPM1270F256C5N器件旨在降低成本和功率,同时为总线桥接、I/O扩展、上电复位(POR)和排序控制以及器件配置控制等应用提供可编程解决方案。
特点
低成本、低功耗的CPLD
瞬时启动、非易失性架构
待机电流低至25 µA
提供快速传播延迟和时钟到输出时间
提供四个全局时钟,每个逻辑阵列块有两个时钟可用
- 2023-05-22
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晶体管FF450R12ME4 IGBT模块沟槽现场停止半桥变频器
明佳达,星际金华 供求 晶体管FF450R12ME4 IGBT模块沟槽现场停止半桥变频器
产品介绍
FF450R12ME4是1200V,450A的双IGBT模块,带有TRENCHSTOP™ IGBT4,发射器控制的HE二极管和NTC。也可使用热界面材料或作为变体使用PressFIT安装技术。
特点
低VCEsat
Tvj op = 150°C
标准外壳
紧凑的模块
简单和最可靠的装配
不需要插头和电缆
是低电感量系统设计的理想选择
应用
电机驱动
伺服驱动器
UPS系统
风力涡轮机
- 2023-05-20
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RK3399 6核64位处理器FCBGA-828通用SOC
明佳达,星际金华 供求 RK3399 6核64位处理器FCBGA-828通用SOC
产品介绍
RK3399是一款定位于中高端的通用SOC,拥有六核64位处理器,集成网络处理器NPU,并兼容多个A-frames,最高频率为1.8GHz。
功能特点
CPU:双Cortex-A72+四Cortex-A53大小核CPU架构
内存:2GB lpddr4
内存:8GB EMMC5.1
网络: 支持1路千兆网口,4G全网接入,WiFi模块(AP6354),支持BLE
支持1通道MIPI-TX,1通道MIPI-RX和1通道MIPI-TX/RX
支持1通道HDMI2.0,1通道eDP
支持1通道USB2.0,1通道USB3.0和1通道Type-C
支持1个通道的耳机接口,1个通道的扬声器输出接口
支持PCIE M.2接口(可用于扩展SSD)。
PMU: RK电源管理芯片RK808-D
电源供应: 12V/2A
- 2023-05-19
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40V 160mΩ TPS2H160BQPWPRQ1 TPS2H160-Q1双通道智能高压侧开关
明佳达,星际金华 供求 40V 160mΩ TPS2H160BQPWPRQ1 TPS2H160-Q1双通道智能高压侧开关
产品介绍
TPS2H160BQPWPRQ1是一款全保护的双通道智能高压侧开关,集成了160mΩ的NMOS功率FET。
TPS2H160BQPWPRQ1 全面诊断和高精度电流感应功能实现了对负载的智能控制。
TPS2H160BQPWPRQ1 外部可调电流限制通过限制浪涌或过载电流提高整个系统的可靠性。
功能特点
具有全面诊断功能的双通道160-mΩ智能高压侧开关
A版:开漏状态输出
B版:电流感应模拟输出
宽工作电压 3.4 至 40 V
超低待机电流,< 500 nA
高精度电流感应:- ±17% 在>25-mA的负载下
使用外部电阻器的可调电流限制:在 >500-mA 负载下,±15%。
器件温度等级1:-40°C至125°C的环境工作温度范围
应用
双通道LED驱动器,灯泡驱动器
用于子模块的双通道高压侧开关
双通道高边继电器、电磁铁驱动器
- 2023-05-18
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汽车芯片SPC58EG80E5P0H0Y/SPC58EG80E5FEC0X 32位微控制器IC
32位双核SPC58EG80E5P0H0Y SPC58微控制器IC TQFP144 160MHz
产品介绍
SPC58EG80E5P0H0Y是32位微控制器--MCU,32位电源结构MCU,用于汽车通用合唱团系列。
SPC58EG80E5P0H0Y核心频率高达180MHz。
SPC58EG80E5P0H0Y支持在两个代码Flash分区之间边读边看。
SPC58EG80E5P0H0Y 608KB片上通用SRAM(除160KB核心本地数据RAM外): 64KB在CPU_0,64KB在CPU_1,32KB在CPU_2。
特点
符合ISO 26262的ASIL-D标准
一个CPU通道处于锁定状态
逻辑BIST
一个具有64个通道的eDMA
一个具有32个通道的eDMA
1个中断控制器(INTC)
182 KB HSM专用闪存(144 KB代码+32 KB数据)。
多通道直接内存访问控制器(eDMA)
汽车芯片SPC58EG80E5FEC0X SPC58 32位微控制器IC 160MHz
产品介绍
SPC58EG80E5FEC0X是32位双核微控制器IC,160MHz,4MB(4M x 8)FLASH。
SPC58EG80E5FEC0X 32位电源结构MCU,用于汽车通用应用--Chorus系列。
SPC58EG80E5FEC0X引入了新的功能,加上更高的吞吐量,使每个功能的成本大幅降低,功率和性能大幅提高(每毫瓦MIPS)。
SPC58EG80E5FEC0X支持编程和擦除操作期间的读取,以及允许EEPROM仿真的多个块。
特点
高性能的e200z4三核
32位电源架构技术CPU
核心频率高达180 MHz
可变长度编码(VLE)
浮点,端到端纠错
6582 KB(6144 KB代码闪存+256 KB数据闪存)片上闪存
明佳达,星际金华 供求 汽车芯片SPC58EG80E5P0H0Y/SPC58EG80E5FEC0X 32位微控制器IC
- 2023-05-17
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STM32H747IIT6/STM32H747IGT6 32位双核Flash MCU 高性能ARM微控制器
STM32H747IGT6 32位双核Flash MCU 高性能ARM微控制器
产品介绍
STM32H747IGT6器件基于高性能Arm® Cortex®-M7和Cortex®-M4 32位RISC内核。Cortex®-M7内核工作频率高达480 MHz,Cortex®-M4内核工作频率高达240 MHz。这两个内核都具有浮点单元(FPU),支持Arm®单精度和双精度(Cortex®-M7内核)操作和转换(符合IEEE 754标准),包括全套DSP指令和内存保护单元(MPU),以提高应用安全性。
STM32H747IGT6器件集成了高速嵌入式存储器,具有高达200万字节的双组闪存、高达100万字节的RAM(包括192KB的TCM RAM、高达864KB的用户SRAM和4KB的备份SRAM),以及连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连的大量增强I/O和外设。
功能特点
图形
高达XGA分辨率的LCD-TFT控制器
MIPI DSI主机,包括一个MIPI D-PHY,可与低引脚数大型显示器连接
Chrom-ART图形硬件加速器™(DMA2D),以减少CPU负载
硬件JPEG编解码器
多达22个定时器和看门狗
1×高分辨率定时器(最大分辨率为2.1 ns)
2×32位定时器,带有多达4个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入(高达240 MHz)。
2×16位高级电机控制定时器(最高240 MHz)
10×16位通用定时器(高达240 MHz)
5×16位低功耗定时器(高达240 MHz)。
4×看门狗(独立的和窗口的)
2×SysTick定时器
STM32H747IIT6 32位双核FLASH ARM Cortex微控制器IC 176-LQFP
产品介绍
STM32H747IIT6器件集成了高速嵌入式存储器,具有高达200万字节的双组闪存、高达100万字节的RAM(包括192KB的TCM RAM、高达864KB的用户SRAM和4KB的备份SRAM),以及大量连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连的增强型I/O和外设。 STM32H747IIT6器件提供三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器、一个真随机数发生器(RNG)。这些器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器(DFSDM)的数字滤波器。它们还具有标准和先进的通信接口。
标准外设
四个I2C
四个USART、四个UART和一个LPUART
六个SPI,三个I2S,采用半双工模式。为了达到音频级精度,I2S外设可以通过专用的内部音频PLL或外部时钟来实现同步。
四个SAI串行音频接口
一个SPDIFRX接口
一个SWPMI(单线协议主接口)
管理数据输入/输出(MDIO)从机
两个SDMMC接口
一个USB OTG全速接口和一个具有全速功能的USB OTG高速接口(带ULPI)。
一个FDCAN加一个TT-FDCAN接口
一个以太网接口
Chrom-ART加速器
HDMI-CEC
明佳达,星际金华 供求 STM32H747IIT6/STM32H747IGT6 32位双核Flash MCU 高性能ARM微控制器!
- 2023-05-15
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STM32F407VGT6TR微控制器 IC 32位单核/嵌入式 EPF10K50RC240-3N 现场可编程门阵列
明佳达,星际金华 供求 STM32F407VGT6TR微控制器 IC 32位单核/嵌入式 EPF10K50RC240-3N 现场可编程门阵列!
STM32F407VGT6TR:微控制器 IC 32 位单核 168MHz 1MB(1M x 8) 闪存 100-LQFP(14x14)
型号:STM32F407VGT6TR
封装:100-LQFP(14x14)
类型:嵌入式 - 微控制器
核心处理器:ARM® Cortex®-M4
内核规格:32 位单核
速度:168MHz
连接能力:CANbus,DCMI,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,INbus,SPI,ART/USART,USB OTG
外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT
I/O 数:82
程序存储容量:1MB(1M x 8)
程序存储器类型:闪存
RAM 大小:192K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 16x12b;D/A 2x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:100-LQFP
供应商器件封装:100-LQFP
嵌入式 EPF10K50RC240-3N FPGA - 现场可编程门阵列
产品型号:EPF10K50RC240-3N
说明:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Flex 10K 360 LABs 189 IOs
属性:
产品种类: FPGA - 现场可编程门阵列
系列: EPF10K50 FLEX 10K
逻辑元件数量: 2880 LE
输入/输出端数量: 189 I/O
工作电源电压: 5 V
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFP-240
栅极数量: 116000
逻辑数组块数量——LAB: 360 LAB
工作电源电流: 10 mA
产品类型: FPGA - Field Programmable Gate Array
子类别: Programmable Logic ICs
总内存: 20480 bit