骊微芯朋代理

个性签名:骊微电子芯朋微、士兰微、赛威等代理供应电源芯片、MOS、二三级管 !

  • 2019-09-11
  • 发表了日志: 5V 3A手机充电器方案

  • 发表了主题帖: PN8386-5v3a充电器方案

    PN8386-5v3a充电器方案特征: 输入电压:90~265V全电压 输出功率:15W 输出电压:5V 输出电流:3A±3% 效    率:85.64% 高压启动+多工作模式+同步整流技术,满足COC V5 Tier 2 PN8386独特PFM 工作曲线,降低变压器体积,简化EMC 设计 PN8386-5v3a充电器方案电路具有过载保护,过流保护,开环保护,以及VDD过压保护等功能,提高了整个系统的可靠性; 待机小于50mW,动态性能好,可满足六级能效,更多六级能效5v3a充电器方案详细资料,可搜索骊微电子联系在线客服。。。

  • 2019-07-31
  • 发表了日志: 无线门铃芯片_无线门铃ic_无线门铃主芯片选型分析

  • 发表了主题帖: 无线门铃芯片_无线门铃ic选型分析

    常见无线门铃有不用电池的无线门铃、普通无线门铃及可视无线门铃,从发射器的供能来分,可分为有源无线门铃和无源无线门铃,无源无线门铃是指发射器由来访者按门铃的能量转换成电能来驱动(不需要电池),而有源无线门铃则是依靠内部的电池供能。 对于工程师来说无线电子门铃发射接收芯片选型也是一件很苦恼的事情,下面骊微电子给大家推荐两款无线门铃主芯片,5V非隔离无线门铃芯片AP8505及AP8507  12V非隔离无线门铃 ic 。   AP8505无线门铃发射芯片基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,AP8505输出电压固定为5V主要特征有,内置500V高可靠性MOSFET,先进的高压同步整流架构,内置高压启动,适用于Buck、Buck-Boost架构,半封闭式稳态输出电流能力150mA @230VAC,优异的负载调整率和工作效率,改善EMI的降频调制技术,全面的保护功能。 AP8507无线门铃主芯片基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,AP8507内置500V高压启动,半封闭式稳态输出电流能力100mA @230VAC,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。 无线门铃通常都由三部分:室外机、室内机和锁控制器组成,一款好的无线门铃设备离不开核心元器件无线门铃芯片,无线门铃不需要布线,安装简单灵活,具备“集体化控制”独特优势的双向智能网络控制系统平台,完全满足了人们对现代智能家居的需求,更多无线门铃芯片方案资料可搜索骊微电子进行咨询。。。

  • 2019-07-08
  • 发表了日志: 5v开关电源芯片充电器方案

  • 发表了主题帖: 5v开关电源芯片方案满足六级能效

    5v充电器是市场上出现比较多的充电方案,作为一个电源工程师面对市场上众多的充电器电源芯片,有时候难免也是一件很困惑的事情,5v开关电源芯片满足六级能效的5v2a电源充电器方案。   PN8370M+PN8306M 5v开关电源芯片六级能效方案亮点 :   外围简洁(节省8颗元件):PN8370M节省2颗启动电阻;PN8306M独特控制技术可实现零外围工作,节省传统SR方案的供电RC滤波,SW侦测电阻,RT电阻,RC吸收等6颗元件。 高可靠性:a.方案三道防线,实现SR与PSR零直通风险;b.芯片HBM ESD大于4kV,latchup电流大于400mA,显著提高系统安规能力,接触静电高达15kV; c.PSR与SR匹配工作,彻底避免小载采样冲突,异常工况下,SR做好配角,PSR主导所有异常保护。 低待机功耗:PN8370M内置高压启动,可轻松实现50mW待机功耗。   5v开关电源芯片充电器方案PN8370M+PN8306M因其外围极简、高可靠性、超低待机、高效率等优点,备受工程师们青睐。  

  • 2019-07-02
  • 发表了日志: PN8275+PN8308H,12V3A六级能效适配器方案

  • 发表了主题帖: 36W六级能效12V3A适配器方案

    随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案:PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%,效率高达87%,满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。   六级能效同步整流方案概述: PCBA尺寸:39.0mm*86.0mm 输入电压:90~265Vac全电压 输出功率:36W(Typical) 平均效率:≥88.3%(满足CoC V5 Tier2六级能效要求) 待机功耗:<50mW(Vin=265Vac) 输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护,输出过流保护等   PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片,结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效,并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号:DK-76617-UL);PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。   PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET,用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简,采用独特电流跟踪技术,可在50ns内快速关断,改善系统EMI特性,彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。 如何实现低待机功耗:PN8275内置850V 高压启动及放电模块,265Vac轻松实现50mW待机功耗! 如何提高转换效率:PN8308H内置80V/10mΩ 智能功率MOSFET,115Vac/230Vac平均效率大于92%! 如何简化EMC设计:PN8275内置X电容放电模块,可通过增大X电容简化传导设计;PN8308H采用独特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压,改善辐射3dB以上!   12V3A六级能效适配器方案亮点: 输出规格:12V/3A 内置 850V 高压模块实现 X 放电功能 HV 脚可实现精确市电异常保护:OVP、Brown in/out 高压启动+多工作模式+同步整流技术,满足 CoC V5 Tier 2、 DCM模式同步整流虽然技术成熟,但应用场合一般受限于小功率充电器,CCM模式同步整流支持任何模式原边芯片,因此应用功率更大、应用场合更广,PN8308因外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片,被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。 此内容由EEWORLD论坛网友骊微芯朋代理原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处

  • 2019-06-03
  • 发表了主题帖: 低功耗电源芯片型号PN8368

    每个电路板上都有电源芯片,不管是线性电源芯片,还是开关电源芯片,都是有损耗的。一般情况下,开关电源芯片的损耗要比线性电源芯片的损耗小的多,电源管理芯片的目的是提高效率,降低功耗以此来达到绿色环保的要求,为了发挥电子系统的最佳性能,选择最适合的电源管理芯片也变得尤为重要,骊微电子推荐一款低功耗效率高的开关电源芯片PN8368。   开关电源芯片PN8368是一款应用于5-12W以内AC/DC超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器,内部集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,恒压控制模式采用多模式控制方式,合理的兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内,采用独有的自适应补偿专利技术,输出过功率保护电具有很高的一致性,同时在通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。   低功耗高效率电源芯片PN8368功能特点: 1.内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET 2.内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC) 3.采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准 4.全电压输入范围±5%的CC/CV精度 5.原边反馈可省光耦和TL431 6.恒压、恒流、输出线补偿外部可调 7.无需额外补偿电容 8.无音频噪声 9.智能保护功能

  • 2019-05-13
  • 发表了日志: 手机充电器芯片5V2A六级能效充电方案

  • 发表了主题帖: 手机充电器芯片5v2a充电方案

    本期为大家介绍热门方案 PN8370M+PN8305L 5V2A六级能效充电方案,该5v2a充电器芯片方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点,备受工程师青睐! PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。 PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13 mohm 55V Trench MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。 5V2A小体积六级能效充电方案特性:输入电压:90~265Vac全电压输出功率:10W平均效率:>78.7%,满足六级能效要求(高效率)待机功耗:<50mW,Vin=264Vac(低待机)PN8305L双供电全工作状态无直通风险(高可靠性)拥有输出短路保护,输出过流保护,输出欠压保护(PCB端3.1V以下),VDD过压保护,FB分压电阻开路短路保护,以及电流检测电阻Rcs开短路保护,过温保护(保护功能齐全)

  • 2019-05-05
  • 发表了日志: 开关电源ic选型5v开关电源芯片

  • 发表了主题帖: 小功率开关电源ic选型分析

    开关电源它主要由两部分组成:功率级和控制级,功率级的主要任务是根据不同的应用场合及要求,选择不同的拓扑结构,同时兼顾半导体元件考虑设计成本;控制级的主要任务则是根据电路电信号选择合适的控制方式,目前的开关电源以PWM控制方式居多,选择开关电源ic不仅仅要考虑满足电路性能的要求及可靠性,还要考虑它的体积、重量、延长电池寿命及成本等问题下面给出一些选择基本原则以及推荐。 ①采用LDO的最佳条件:当要求输出电压中纹波、噪声特别小的场合,输入输出电压差不大,输出电流不大于100mA时采用微功耗、低压差(LDO)线性稳压器是最合适的,适合大多数便携式产品应用。 ②需负电源时尽量采用电荷泵:便携式仪器中往往需要负电源,由于所需电流不大,采用电荷泵IC组成电压反转电路最为简单,若要求噪声小或要求输出稳压时,可采用带LDO线性稳压器的电荷泵IC。 ③不要追求高精度、功能全的最新器件:开关电源ic的精度一般为±2%~±4%,精度高的可达±0.5%~±1%,要根据电路的要求选择合适的精度,这样可降低生产成本。功能较全的器件价格较高,所以无需关闭电源功能的或产品中无微处理器(μP)或微控制器(μC)的则无需选择带关闭电源功能或输出电源工作状态信号的器件,这样不仅可降低成本,并且尺寸更小。 ④不要“大马拉小车”:开关电源ic最主要的三个参数是,输入电压VIN、输出电压Vo及最大输出电流Iomax。根据产品的工作电流来选择:较合适的是工作电流最大值为电源IC最大输出电流Iomax的70~90%。 骊微电子在5V开关电源ic方案上推荐典型的超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器制IC,例如:开关电源芯片PN8368。 PN8368集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。 在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的RCS电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。 PN8368开关电源ic产品特性■内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET■内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)■采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准■全电压输入范围±5%的CC/CV精度■原边反馈可省光耦和TL431■恒压、恒流、输出线补偿外部可调 ■无需额外补偿电容■无音频噪声■智能保护功能—过温保护 (OTP)—VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)—逐周期过流保护 (OCP)—CS开/短路保护 (CS O/SP)—开环保护 (OLP) 当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备,从产品设计,器件选择需求,牢靠性等方面来看:AC/DC远比DC/DC复杂,难做,这是多年从事AC/DC电源研发的深切领会,骊微电子根据客户需求开发设计电源方案,低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可,并得到了非常好的市场效果和优良的行业信誉。

  • 2019-04-23
  • 发表了日志: 18W PD充电器方案A+C口EMC性能卓越

  • 发表了主题帖: 18W极简PD充电器方案

    随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及,目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充,现在,骊微电子为你们推荐节省10颗外围的极简BOM、具成本优势的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。 PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。 PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。18W功率的PD充电器方案原理图: 18W PD快充电源方案PN8161+PN8307H方案特性:输入电压:90~265Vac输出功率:18W输出规格:12V1.5A;9V2A;5V3A平均效率:满足CoC V5-2,4个点裕量PCBA尺寸:48.0mm*36.0mm*14mm拥有市电Brown in/out、输出过压保护、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等。 PN8161+PN8307H 18W PD快充方案亮点:节省10颗以上外围: 无启动电阻、无CS侦测网络,原副边均实现SOP8功率集成;满足CoC V5 Tier 2:专利高压启动,实现30mW待机功耗;工作曲线随输出电压自适应,不同输出电压下平均效率裕量均大于4个点;EMC性能卓越:抖频幅度随负载自适应,改善传导;DCM/QR工作模式,避免次级整流管反向恢复问题,改善辐射;3.3~12V宽输出电压范围:PN8161/PN8307H供电范围宽,无需额外LDO稳压;协议芯片任意搭:SSR架构,方案易满足PD3.0/QuickCharge 4+。 目前,18W PD快充方案已经量产出货,并得到了市场的高度认可和支持,同时18W PD快充方案支持12V1.5A;9V2A;5V3A输出规格,拥有更高效的供电能力,传输速率最快,有效的解决了手机快速充电续航等问题,如果需要产品的详细资料,可向骊微电子申请。。。。

  • 2019-04-22
  • 发表了主题帖: pn8359 5v2.1a电源方案pn8359应用电路图

    pn8359 5v2.1a电源方案pn8359电源内置650V功率MOSFET和原边电感量补偿电路,可省略光耦和TL431,可以提高电源功率的密度,节省空间以及成本,具有优异全面的保护功能,用于高性能、外围元器件精简的开关电源适配器、电池充电器、机顶盒电源以及LED照明。 PN8359产品特征:■ 内置650V功率MOSFET ■ 全电压输入范围±5%的电流/电压调整率■ 可省光耦和TL431 ■ 恒压和恒流可调■ 输出线补偿功能■ 内置原边电感量补偿电路■ 无音频噪声■ 内置高压启动电路■ 优异全面的保护功能过温保护 (OTP) VDD欠压锁定 (UVLO) CS开/短路保护开环保护 (OLP) VDD过压保护 (OVP) 安全自动恢复模式 pn8359引脚功能及电压 : pn8359应用电路图 : PN8359 在恒流模式下,输出功率可由CS脚外接的取样电阻Rs设定。在恒压模式下,芯片的多种工作模式可以保证较高的整体转换效率。 PN8359 此外,芯片内置有线压降补偿,由此取得良好的负载调整率,PN8359 在恒流模式下工作于PFM状态,在恒压模式下工作于PWM状态,轻载时降频工作。 pn8359原边反馈芯片非常适合小功率段,同时也提供了天然的隔离效果,新一代pn8359电源芯片设计技术的不断创新,为了实现高精度的恒流/恒压(CC/CV)特性,采用初级(原边)调节技术、变压器容差补偿、线缆补偿和EMI优化技术,原边反馈开关电源芯片功能不断增加,制造成本不断下降并且提高了系统的可靠性。

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