英尚微电子

个性签名:存储芯片/MCU/SRAM/PSRAM/DDR/FLASH/MRAM。web.www.sramsun.com  QQ3161422826 TEL:13751192923

  • 2019-10-11
  • 回复了主题帖: 带有纠错码的同步SRAM,有效释放PCB空间

    深圳市英尚微电子有限公司,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

  • 回复了主题帖: 单片机选型

    https://www.sramsun.com/list-358-1.html 看一下有需求相近的型号不

  • 回复了主题帖: SRAM应用在网络设计系统

    深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案

  • 回复了主题帖: 如何选择低功耗非易失性存储器应用在智能电表

    MRAM与NOR闪存、EEPROM、采用电池的传统静态存储器等其他同类技术相比,铁电存储器(FRAM)可降低系统成本,提高系统效率,降低复杂性,而且大大降低功耗。

  • 回复了主题帖: 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM

    如果有考虑使用BGA封装的SPI SRAM 可以找一下我,我这边有资料可以参考

  • 2019-09-29
  • 回复了主题帖: 低功耗WiFi 芯片内存外置SPI SRAM

    Ramsun可以依据客户不同方案,推供不同性价比的16Mb,32Mb,64Mb SPI/QPI 和DDR SPI SRAM. 同时Ramsun也提供并行的SRAM和PSRAM供STM32F1xxx系列MCU外扩选择用。 www.sramsun.com

  • 回复了主题帖: MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案

    SPI接口SRAM芯片外扩STM32单片机

  • 2019-09-25
  • 发表了主题帖: MR25H40CDC串行MRAM存储芯片

    EVERSPIN推出一款串行MRAM存储芯片MR25H40CDC工作电压为3.3V,容量为4Mbit数据位宽8位,工作温度范围:-40℃ to +85℃,采用5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装封装,拥有非常出色的耐读/写能力,MR25H40CDC兼容兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序,可应用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输等领域的非易失性存储器。   全球开发和制造独立式与嵌入式磁性随机存储器MRAM存储芯片和集成磁传感器的领导业者Everspin科技公司,在运算、存储、工业和办公自动化市场,Everspin MRAM技术开发最先进的产品已被越来越多的领导厂商采用。英尚微电子代理Everspin科技的全系列MRAM存储芯片产品,MRAM存储芯片具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性,Everspin科技的MRAM存储芯片包括提供BGA和TSOP两种封装可选、容量从256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O产品以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。 MR25H40CDC规格书下载: 关于Everspin的介绍:

  • 发表了日志: MR25H40CDC串行MRAM存储芯片

  • 2019-09-23
  • 回复了主题帖: 套现15亿现金后,摩拜80后创始人留下2条人生潜规则

    btty038 发表于 2019-9-23 11:48 做自己喜欢的事情  做这么成功   还是80 的   好忧伤   10000+的伤害 ...
    你对~~

  • 发表了日志: MR25H40CDC非易失性MRAM存储芯片

  • 发表了主题帖: MR25H40CDC非易失性MRAM存储芯片

    MR25H40CDC是由EVERSPIN科技公司推出的一款非易失性MRAM存储芯片,这款器串行MRAM是可以兼容兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序,拥有非常出色的耐读/写能力,没有读/写操作没有写入延迟的问题。   MR25H40CDC工作电压为3.3V,容量为4Mbit与富士通的MB85RQ4ML的容量一致,数据位宽8位,工作温度范围:-40℃ to +85℃,一款应用于工业级产品的非易失性存储器。   MR25H40CDC采用5 mm x 6 mm 8引脚DFN封装封装,并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。对于必须通过一小部分I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用,MR25H40CDC可以说是理想的存储器解决方案。   MR25H40CDC已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输领域。   Everspin科技是开发和制造独立式与嵌入式磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)传感器的全球领导业者。在运算、存储、工业和办公自动化市场,已有越来越多的领导厂商采用Everspin MRAM技术开发最先进的产品。英尚微电子代理的Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性,现在Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O产品,以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。   规格书下载: 关于Everspin的介绍:

  • 回复了主题帖: 分享单片机STM32F1内存不足需要外挂RAM解决方案

    VTI科技公司出的一种伪静态的SPI SRAM型号为VTI7064,只需要SPI接口或者QPI接口,就可以简简单单实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。

  • 2019-09-16
  • 回复了主题帖: MCU STM32F1存储外扩选用SPI SRAM方案

    SPI SRAM伪静态存储器就可以实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。SPI SRAM速度快,在20MHz~200MHz之间,MCU功耗也是个问题,选择功耗更低的SPI SRAM,更有利在设计产品上做到功耗的减少, 成本上当然是要比6晶体的SRAM优势很多  

  • 发表了主题帖: stm32f427外扩sram型号推荐

    STM32F427/437系列MCU集成Cortex™-M4内核,采用意法半导体90 nm工艺,工作频率为180 MHz,具有丰富的连接功能:出色的创新型外设,可以使用支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器、在32位并行接口上频率高达90 MHz的灵活存储器控制器轻松扩展存储容量,应用于高集成度、高性能、嵌入式存储器和外设的医疗、工业与消费类产品。 STM32F427和STM32F437系列MCU虽然具有1~2MB双块Flash存储器和256KB SRAM,但由于某些产品应用对RAM缓存需要更大的容量,如果更换更大容量RAM的单片机,特别是STM32F427/437,单片机价格较为昂贵,不会随便更换单片机,这时就可以选择外扩SRAM芯片作为对RAM缓存的补充。英尚微电子(q3161422826)提供技术支持及选型推荐。 可以考虑以下SRAM芯片作为外扩的 考虑 并口SRAM芯片:一般并口SRAM芯片占用单片机的I/O脚位比较多,可能在应用设计中需要读取速度较快的可以考虑用这种,数据读取速度可以达到8NS,因为是属于六个晶体管的设计,在价格上比较贵,适合用于以下大型工控类产品,服务器,金融医疗等产品。 串口SRAM芯片:这种封装是SOP-8的串口SRAM芯片,一般推荐用VTI7064这一款,容量可以达到64Mbit,占用占用单片机的I/O脚位比较少,较多的应用在各类产品中,性价比比较高的一款SRAM芯片产品。 伪静态SRAM芯片(也称PSRAM):这款封装一般是BGA的,容量同样可以达到64Mbit,速度一般在70ns左右,价格相对比并口SRAM芯片要便宜。 总体来看,一般看应用设计对外扩SRAM芯片的数据读取速度要求多少,容量以及性价比来选择SRAM芯片。  

  • 发表了日志: stm32f427外扩sram型号推荐

  • 2019-09-11
  • 回复了主题帖: 艾睿电子线上研讨会:英特尔FPGA深度学习加速技术 直播资料合集

    好的好的,看直播,学习学习~~

  • 发表了主题帖: 推荐非易失性存储器MR4A16BYS35

    磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出4Mb MRAM, 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。   Everspin科技公司表示将对MRAM产品线进行持续性快速的拓展,以便更多客户实现对产品差异化设计。也将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。"   MR4A16BYS35是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由引脚和功能可与异步SRAM兼容。MMR4A16BYS35目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。   资料分享:

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  • 发表了主题帖: MRAM芯片MR4A16BYS35规格参数

    磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出4Mb MRAM, 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。   Everspin科技公司表示将对MRAM产品线进行持续性快速的拓展,以便更多客户实现对产品差异化设计。也将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。"   MR4A16BYS35是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由引脚和功能可与异步SRAM兼容。MMR4A16BYS35目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

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