木犯001号

  • 2019-08-26
  • 上传了资料: ROS course视频教程讲义

  • 发表了主题帖: RISC-V交叉编译工具链以及搭建模拟环境的搭建过程

    RISCV模拟器的搭建过程,有问题随时交流 构建RISC-V交叉编译工具链以及搭建模拟环境                                   计算机学院  北京航空航天大学 1.下载riscv-tools   1).获取资源   $ git submodule update --init --recursive   $ export RISCV=/path/to/install/riscv/toolchain   $ ./build.sh      2).安装Ubuntu依赖包   $ sudo apt-get install autoconf automake autotools-dev curl device-tree-compiler libmpc-dev libmpfr-     dev libgmp-dev gawk build-essential bison flex texinfo gperf libtool patchutils bc zlib1g-dev   3).下载资源解释         riscv-gnu-toolchain : RISC-V交叉编译工具链     riscv-fesvr:在主机-目标处理器的接口中实现主机和目标处理器之间服务调用     riscv-isa-sim:指令集体系结构(ISA)模拟器     riscv-opcodes:枚举所有可以用模拟器执行的RISC-V操作码     riscv-pk:一个代理内核,服务于由内置代码和RISC-V newlib接口链接的系统调用     riscv-tests:一个基准测试集   2.工具链安装     1)设置环境变量 $ RISCV=/RISCV是riscv想要安装的目录/      命令 RISCV=/home/.../../(你想安装的目录)      2)执行安装脚本         ./build.sh

  • 发表了主题帖: Linux 基金会与 RISC-V 基金会合作推广开源芯片

    Linux 是全球最知名且最重要的开源项目,RISC-V 则是近年来兴起的一个开源 CPU 指令集。而 RISC-V 基金会是一个非营利性组织,致力于鼓励芯片设计采用 RISC-V 架构。与其他 CPU 指令集架构(ISA)不同,RISC-V 是免费和开源的。   现在双方宣布达成合作 —— Linux 基金会与 RISC-V 基金会将共同合作加速推广 RISC-V ISA 的开发及采用,Linux 基金会还将为 RISC-V 生态系统提供大量资源,包括培训计划、基础工具以及社区扩展、营销和法律专业知识。这种合作关系将使 RISC-V 能够进一步发展其开源生态系统。 Linux 开源社区经过这么多年发展已经很成熟了,而 RISC-V 在普通人眼里还很陌生,有些人可能还记得之前 ARM 公司还专门上线了一个网站攻击 RISC-V 指令集的各种缺点,而 ARM 之所以如此兴师动众就是担心 RISC-V 指令集未来会跟自己抢饭碗,因为 ARM 赖以生存的就是 ARM 处理器/指令集授权费,但 RISC-V 是开源、免费的CPU指令集。 相比 ARM 指令集,RISC-V 的历史很短,2010年诞生于加州大学伯克利分校,当时的 Krste Asanovic 教授希望寻找一个合适的 CPU 指令架构,但 x86 架构复杂臃肿、ARM 架构需要授权费、开源的 OpenRISC 架构又太老旧了,所以他最终决定自己做个开源 CPU 架构,并在2015年最终成立了 RISC-V 基金会,专门推动 RISC-V 发展,现在的 RISC-V 基金会成员也扩大到了 80 多人,包括 Google、HP、西部数据等公司都开始支持 RISC-V 架构。 RISC-V 指令集灵活、高效、开源还免费,非常适合做移动处理器、IoT物联网、网络处理器等等低功耗、嵌入式设备,对 ARM 的威胁也是最大的,而且国内的公司也开始积极参与 RISC-V 生态系统,今年10月份在中国上海成立了中国 RISC-V 产业联盟,包括芯原微电子、北京君正、安徽华米、上海小蚁、苏州国芯、紫光展锐等公司也加入了 RISC-V 联盟。 不过 RISC-V 前景虽好,但是现在还在起步阶段,包括 RISC-V 基金会本身的运作也需要向 Linux 基金会这样的成熟社区学习,所以这次合作对 RISC-V 阵营意义重大,Linux 软件生态在 RISC-V 处理器的开发、优化、支持等方面都会推动 RISC-V 建立更强大的生态系统。 通过此次合作,RISC-V 非营利组织执行董事 Rick O’Connor 希望为活跃的 RISC-V 社区提供“更强大的支持和教育工具,并使操作系统、硬件实现和开发工具可更快地扩展。”

  • 2019-08-22
  • 发表了主题帖: RISCV的linux模拟环境搭建整理和总结

    一,有关RISC V的开源代码,可以从改网站的连接进入,该网站归纳整理了有关RISC V的多方面资料: https://cnrv.io/resource 二,自己的虚拟机或linux系统事先安装好 三,装好git工具,因为riscv很多开源的东西需要从git上checkout,这样会方便不少 四, 1. 首先安装开源程序版本管理工具: (linux)Fedora系统上用 yum 安装, Debian系统上用apt-get 安装(先安装curl、zlib、openssl、expat、libiconv等库,再从git官网上下载最新版本源代码编译安装); windows系统上安装msysGit。 具体安装说明:http://blog.jobbole.com/25775/ 2. RISC-V工具链 l  riscv-tools(https://github.com/riscv/riscv-tools) - 基本上所有RISC-V相关工具链、仿真器、测试的宏项目,包含以下的项目 n  riscv-gnu-toolchain(https://github.com/riscv/riscv-gnu-toolchain) - GNU工具链 u  riscv-gcc(https://github.com/riscv/riscv-gcc) - GCC 编译器 u  riscv-binutils-gdb(https://github.com/riscv/riscv-binutils-gdb) - 二进制工具(链接器,汇编器等·)、GDB 调试工具 u  riscv-glibc(https://github.com/riscv/riscv-glibc) - GNU C标准库实现 n  riscv-isa-sim(https://github.com/riscv/riscv-isa-sim) - Spike周期精确指令集模拟器 n  riscv-llvm(https://github.com/riscv/riscv-llvm) -LLVM编译器框架 u  riscv-clang(https://github.com/riscv/riscv-clang) - 基于LLVM框架的C编译器 n  riscv-opcodes(https://github.com/riscv/riscv-opcodes) - RISC-V操作码信息和转换脚本 n  riscv-tests(https://github.com/riscv/riscv-tests) - RISC-V指令集测试用例 n  riscv-fesvr(https://github.com/riscv/riscv-fesvr) - 用于实现在上位机和CPU之间通信机制的库 n  riscv-pk(https://github.com/riscv/riscv-pk) - 提供一个运行RISC-V可执行文件运行的最简的程序运行环境,同时提供一个最简单的bootloader n  riscv-qemu(https://github.com/riscv/riscv-qemu) - 一个支持RISC-V的CPU和系统模拟器 gcc configure: error: Building GCC requires GMP 4.2+, MPFR 2.3.1+ and MPC 0.8.0+       ubuntu自身带有gcc,直接apt-get install gcc(或gc++)安装或更新。没有安装的linux系统可从svn checkout svn://gcc.gnu.org/svn/gcc/trunk拿最新的gcc代码。 即便如此,在执行riscv-tools下的build.sh脚本时,依然会报如下error: configure: error: Building GCC requires GMP 4.2+, MPFR 2.4.0+ and MPC 0.8.0+. Try the --with-gmp, --with-mpfr and/or --with-mpc options to specify their locations.  Source code for these libraries can be found at their respective hosting sites as well as at ftp://gcc.gnu.org/pub/gcc/infrastructure/.  See also http://gcc.gnu.org/install/prerequisites.html for additional info.  If you obtained GMP, MPFR and/or MPC from a vendor distribution package, make sure that you have installed both the libraries and the header files.  They may be located in separate packages. make: *** [stamps/build-gcc-newlib] 错误 1 所以在网上搜到了如下解决方法:     http://www.multiprecision.org/mpc/   下载最新mpc压缩包     ftp://ftp.gnu.org/gnu/gmp/          下载最新gmp压缩包 http://ftp.gnu.org/gnu/mpfr/         下载最新mpfr压缩包 1,        先安装GMP 解压GMP的压缩包后,得到源代码目录gmp-6.1.2。在该目录的同级目录下建立一个临时的编译目录如temp。进入temp目录,配置安装选项,输入以下命令进行配置:   ../gmp-6.1.2/configure --prefix=/usr/local/gmp-6.1.2      make      sudo make install 2,        先安装mpfr 解压mpfr的压缩包,得到源代码目录mpfr-3.1.6。进入temp目录,配置安装选项,输入以下命令进行配置: ../mpfr-3.1.6/configure --prefix=/usr/local/mpfr-3.1.6 ../mpfr-3.1.6/configure --prefix=/usr/local/mpfr-3.1.6 --with-gmp=/usr/local/gmp-6.1.2 make sudo make install 3,        先安装mpc 解压mpc的压缩包,得到源代码目录mpc-1.0.3。进入temp目录,配置安装选项,输入以下命令进行配置: ../mpc-1.0.3/configure --prefix=/usr/local/mpc-1.0.3 ../mpc-1.0.3/configure --prefix=/usr/local/mpc-1.0.3 --with-gmp=/usr/local/gmp-6.1.2 --with-mpfr=/usr/local/mpfr-3.1.6 make sudo make install 安装/更新gcc:链接的时需要上述3个lib。 export LD_LIBRARY_PATH=$LD_LIBRARY_PATH:/usr/local/mpc-1.0.3/lib:/usr/local/gmp-6.1.2/lib:/usr/local/mpfr-3.1.6/lib  ../trunk/configure --prefix=/usr/local/gcc-4.8 --enable-threads=posix --disable-checking --disable-multilib --enable-languages=c,c++ --with-gmp=/usr/local/gmp-6.1.2 --with-mpfr=/usr/local/mpfr-3.1.6 --with-mpc=/usr/local/mpc-1.0.3 make make check(可选) sudo make install 。。。。。。等待。。。。。。 查看当前gcc版本: /usr/local/gcc-4.8/bin/g++ -v 使用内建 specs COLLECT_GCC=/usr/local/gcc-4.8/bin/g++ COLLECT_LTO_WRAPPER=/usr/local/gcc-4.8/libexec/gcc/x86_64-unknown-linux-gnu/4.8.4/lto-wrapper 目标:x86_64-unknown-linux-gnu 配置为: ../trunk/configure --prefix=/usr/local/gcc-4.8 --enable-threads=posix --disable-checking --disable-multilib --enable-languages=c,c++ --with-gmp=/usr/local/gmp-6.1.2 --with-mpfr=/usr/local/mpfr-3.1.6 --with-mpc=/usr/local/mpc-1.0.3

  • 评论了课程: EEWORLD大学堂----小功率 DC-DC 换流器设计常用技巧

    太好了,正好工作上用的上,得好好学学

  • 发表了主题帖: RISC-V精简到何种程度?能省的都省了!

                                                                            RISC-V是一个典型三操作数、加载-存储形式的RISC架构,包括三个基本指令集和6个扩展指令集,如表1所示,其中RV32E是RV32I的子集,不单独计算。                                                                                                     其中RV32I指令集仅有47条指令,却能够满足现代操作系统运行的基本要求,47条指令按照功能可以分为如下几类。                         (1)整数运算指令:实现算术、逻辑、比较等运算。                         (2)分支转移指令:实现条件转移、无条件转移等运算,并且没有延迟槽。                         (3)加载存储指令:实现字节、半字、字的加载、存储操作,采用的都是寄存器相对寻址方式。                         (4)控制与状态寄存器访问指令:实现对系统控制与状态寄存器的原子读-写、原子读-修改、原子读-清零等操作。                         (5)系统调用指令:实现系统调用、调试等功能。                         指令格式                         先来看看指令格式,这格式规律地一塌糊涂啊,看着这张图,我的强迫症瞬间消失了。有规律的指令编码不仅是让强迫症患者舒服,也让处理器很舒服,指令越有规律,解码器所要的gate越少,芯片面积越小,运行速度越快。                                                                                                                             没有立即数减法?                         只有addi没有subi,减法怎么办?无论是数学上还是程序上,x - y都等价于x + (-y),也就是说可以把减法变成加法的,把被减数转成负数然后再加上减数就实现了和减法一样的功能了。正是基于这个原理,RISC-V只提供立即数加法,没有提供立即数减法,如果需要立即数减法,那么就要麻烦编译器把这个立即数转化成负数,然后继续使用加法。这也是RISC-V将立即数作为有符号数处理的原因吧。                         x0简化指令集                         通过引入x0寄存器,很多特殊指令用普通的指令加上x0做操作数就给解决了。指令的数量大大降低,指令数降低了,这处理器的解码电路不就简化了嘛。                         32位常量                         之前用ARM的处理器,ARM都是将立即数表示不下的常量存到常量池,然后用PC相关的LDR指令加载到寄存器的。RISC-V的常量完全是用指令拼接的,不需要Load指令,要知道使用Load指令是需要额外的访问周期的。RISC-V单条指令可以表示12位的有符号常量,超过12位需要两条指令来合成。其中一条指令是lui,lui指令加载常量的高20位,低12位可以用addi指令加上去,当然了这个过程又要麻烦编译器仔细算一算立即数到底是什么了,因为addi指令执行的是有符号加法,其中的12位立即数是会先被符号扩展成32位的有符号数再参与计算的。ARM的常量加载需要8个字节,一条指令+一个常量;RISC-V的常量加载也是需要8个字节,两条指令。占用的程序空间是一样的。                         只有小于和大于等于                         RISC-V的比较跳转指令只有blt和bge,即只有小于和大于等于。那大于和小于等于就不需要了吗?也是需要的,不过RISC-V用了个很巧妙的办法,将blt的两个参与比较的操作数位置换一下,就有了bgt,将bge的两个参与比较的操作数位置换一下,就有了ble。真是个好办法。用两条指令实现了四条指令的工作,其中两条是伪指令,实际的指令只有两条。                         让编译器做更多                         我对RISC的理解就是:处理器尽量少做,让编译器尽量多做。这是非常有道理的,毕竟编译的次数远少于执行的次数啊。上面几个段落就提到不少要让编译器多做的工作,再例举个为了简化处理器的设计而让编译器多做的工作。                         B-type是比较跳转指令的格式,J-type是长跳转或函数调用指令格式,注意它们的立即数排列次序,我都有点同情编译器设计师了,这怎么搞啊?具体一点讲,填充这里的立即数的应该是链接器的工作。这么排放偏移地址立即数的目的还是为了简化处理器的设计,但明显给编译器增加了工作了。                         其它省掉的指令                         还有很多常用的指令也被省掉了,比如nop、move、not、neg,当然不是说这些功能没有,所有这些功能都是有的,不过都是用其它的指令来等价实现的,比如not指令是用xori rd, rs, -1实现的。每看到这样的指令,我对Berkeley的大神都是佩服地五体投地。                         总结                         能省的指令都省了。能让编译器做的都让编译器做了。绝对精简。                                                                                                                                                        

  • 发表了主题帖: 分享一些RISC-V的资源

    分享一些RISC-V的资源 作者:Jay Wang   在摩尔定律接近失效、加速计算方兴未艾的关键时刻,RISC-V以其优雅的设计、可扩展性和开源特性,成为了备受关注的开源指令集架构,吸引了数百个公司参与。作为一个开源爱好者,我收集了一些可供学习的RISC-V资源。 模拟器 伽利略大学的Andrés Castellanos发布了一个RISC-V汇编及模拟器,Jupiter。Jupiter仅仅是一个Java文件,下载后可以直接点击运行。它提供了一个简单的编辑器和汇编器,并可以进行程序模拟,通过控制台进行输入、输出,还可以查看内存和寄存器的内容。 Jupiter的开发者提供了一个计算斐波那契数列的例程。需要注意的是,这个例程中的__start标记需要改为main,否则会出错。 Jupiter下载地址:https://github.com/andrescv/Jupiter。 书籍 RISC指令集风格的开创者,David Patterson和John Hennessy,写了经典的指令集教科书Computer Organization and Design: The Hardware/Software Interface(《计算机组成与设计硬件/软件接口》)。若论计算机组成原理和软硬件接口,这本书是写得最深入浅出的。该书先有MIPS版和ARM版,最近又出了RISC-V版。由于RISC-V版的还没有影印版引进,我没有看过。 David Patterson和Andrew Waterman撰写了一本小书,The RISC-V Reader: An Open Architecture Atlas(《RISC-V手册:一本开源指令集的指南》)。该书英文版售价19.9美元,但其他语言的译本以免费电子书的形式发布。此书十分精简,仅有100多页,将RISC-V的精华说得深入浅出。下载地址:http://www.riscvbook.com/。 此外,国内有一本《手把手教你设计CPU——RISC-V处理器篇》,偏向于硬件实现。 指令集规范 RISC-V基金会发布了RISC-V的指令集规范,可谓事无巨细,不过读来相当枯燥无味。 指令集规范下载地址:https://riscv.org/specifications/。 会刊 RISC-V基金会积极地组织峰会和巡回路演,并将讲稿以会刊的形式发布在网上。这些会刊内容涉及到了RISC-V生态,内容十分丰富。 会刊下载地址:https://riscv.org/category/workshops/proceedings/。

  • 发表了主题帖: 老生不得不常谈!降低噪声与电磁干扰的30条经验

    电子设备的灵敏度越来越高,这要求设备的抗干扰能力也越来越强,因此PCB设计也变得更加困难,如何提高PCB的抗干扰能力成为众多工程师们关注的重点问题之一。   (1) 能用低速芯片就不用高速的,高速芯片用在关键地方。   (2) 可用串一个电阻的办法,降低控制电路上下沿跳变速率。   (3) 尽量为继电器等提供某种形式的阻尼。   (4) 使用满足系统要求的最低频率时钟。   (5) 时钟产生器尽量靠近到用该时钟的器件。石英晶体振荡器外壳要接地。   (6) 用地线将时钟区圈起来,时钟线尽量短。   (7) I/O驱动电路尽量靠近印刷板边,让其尽快离开印刷板。对进入印制板的信号要加滤波,从高噪声区来的信号也要加滤波,同时用串终端电阻的办法,减小信号反射。   (8) MCD无用端要接高,或接地,或定义成输出端,集成电路上该接电源地的端都要接,不要悬空。   (9) 闲置不用的门电路输入端不要悬空,闲置不用的运放正输入端接地,负输入端接输出端。   (10) 印制板尽量使用45折线而不用90折线布线以减小高频信号对外的发射与耦合。   (11) 印制板按频率和电流开关特性分区,噪声元件与非噪声元件要距离再远一些。   (12) 单面板和双面板用单点接电源和单点接地、电源线、地线尽量粗,经济是能承受的话用多层板以减小电源,地的容生电感。   (13) 时钟、总线、片选信号要远离I/O线和接插件。   (14) 模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线,特别是时钟。   (15) 对A/D类器件,数字部分与模拟部分宁可统一下也不要交叉。   (16) 时钟线垂直于I/O线比平行I/O线干扰小,时钟元件引脚远离I/O电缆。   (17) 元件引脚尽量短,去耦电容引脚尽量短。   (18) 关键的线要尽量粗,并在两边加上保护地。高速线要短要直。   (19) 对噪声敏感的线不要与大电流,高速开关线平行。   (20) 石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。   (21) 弱信号电路,低频电路周围不要形成电流环路。   (22) 任何信号都不要形成环路,如不可避免,让环路区尽量小。   (23) 每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。   (24) 用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容。使用管状电容时,外壳要接地。   (25)尽量减少印制导线的不连续性,例如导线宽度不要突变,导线的拐角应大于90度禁止环状走线等。   (26)时钟信号引线最容易产生电磁辐射干扰,走线时应与地线回路相靠近,驱动器应紧挨着连接器。   (27)总线驱动器应紧挨其欲驱动的总线。对于那些离开印制电路板的引线,驱动器应紧紧挨着连接器。   (28)数据总线的布线应每两根信号线之间夹一根信号地线。最好是紧紧挨着最不重要的地址引线放置地回路,因为后者常载有高频电流。   (29)将数字电路与模拟电路分开。电路板上既有高速逻辑电路,又有线性电路,应使它们尽量分开,而两者的地线不要相混,分别与电源端地线相连。要尽量加大线性电路的接地面积。   (30)尽量加粗接地线,若接地线很细,接地电位则随电流的变化而变化,致使电子设备的定时信号电平不稳,抗噪声性能变坏。因此应将接地线尽量加粗。如有可能,接地线的宽度应大于3mm。

  • 发表了主题帖: 一文让你通晓各种开关电源拓扑的优缺点

    各种事物都有套路,开关电源的套路就是各种拓扑。对这些拓扑了然于胸,就能看清开关电源的本质。   为了表征各种电压或电流波形的好坏,一般都是拿电压或电流的幅值、平均值、有效值、一次谐波等参量互相进行比较。在开关电源之中,电压或电流的幅值和平均值最直观,因此,我们用电压或电流的幅值与其平均值之比,称为脉动系数S;也有人用电压或电流的有效值与其平均值之比,称为波形系数K。   因此,电压和电流的脉动系数Sv、Si以及波形系数Kv、Ki分别表示为:   Sv=Up/Ua——电压脉动系数 Si =Im/Ia——电流脉动系数 Kv=Ud/Ua——电压波形系数 Ki=Id/Ia——电流波形系数   上面4式中,Sv、Si、Kv、Ki分别表示:电压和电流的脉动系数S,和电压和电流的波形系数K,在一般可以分清楚的情况下一般都只写字母大写S或K。脉动系数S和波形系数K都是表征电压或者电流好坏的指标,S和K的值,显然是越小越好。S和K的值越小,表示输出电压和电流越稳定,电压和电流的纹波 也越小。   反激式开关电源的优点和缺点   1 反激式开关电源的电压和电流的输出特性要比正激式开关电源的差。   反激式开关电源在控制开关接通期间不向负载提供功率输出,仅在控制开关关断期间才把存储能量转化为反电动势向负载提供输出,但控制开关的占空比为 0.5时,变压器次级线圈输出的电压的平均值约等于电压最大值的的二分之一,而流过负载的电流正好等于变压器次级线圈最大电流的四分之一。即电压脉动系数 等于2,电流脉动系数等于4。反激式开关电源的电压脉动系数,和正激式开关电源的脉动系数基本相同,但是电流的脉动系数是正激式开关电源的电流脉动系数的 两倍。由此可知,反激式开关电源的电压和电流的输出特性要比正激式开关电源的差。特别是,反激式开关电源使用的时候,为了防止电源开关管过压击,起占空比一般都小于0.5,此时,流过变压器次级线圈的电流会出现断续,电压和电流的脉动系数都会增加,其电压和电流的输出特性将会变得更差。    2 反激式开关电源的瞬态控制特性相对来说比较差。     由于反激式开关电源仅在开关关断期间才向负载提供能量输出,当负载电流出现变化时,开关电源不能立即对输出电压或电流产生反应,而需要等到下一个周期 事,通过输出电压取样和调宽控制电路的作用,开关电源才开始对已经过去了的事情进行反应,即改变占空比,因此,反激式开关电源的瞬态控制特性相对来说比较 差。有时,当负载电流变化的频率和相位与取样、调宽控制电路输出的电压的延时特性在相位保持一致的时候,反激式开关电源输出电压可能会产生抖动,这种情况 在电视机的开关电源中最容易出现。    3 反激式开关电源变压器初级和次级线圈的漏感都比较大,开关电源变压器的工作效率低。   反激式开关电源变压器的铁芯一般需要留一定的气隙,一方面是为了防止变压器的铁芯因流过变压器的初级线圈的电流过大,容易产生磁饱和。另一方面是因为 变压器的输出功率小,需要通过调整电压器的气隙和初级线圈的匝数,来调整变压器初级线圈的电感量的大小。因此,反激式开关电源变压器初级和次级线圈的漏感都比较大,从而会降低开关电源变压器的工作效率,并且漏感还会产生反电动势,容易把开关管击穿。    4 反激式开关电源的优点是电路比较简单,体积比较小,反激式开关电源输出电压受占空比的调制幅度,相对于正激式开关电源来要高很多。    反激式开关电源的优点是电路比较简单,比正激式开关电源少用了一个大的储能滤波电感,以及一个续流二极管,一次,反激式开关电源的体积要比正激式开关 电源的体积小,且成本也要低。此外,反激式开关电源输出电压受占空比的调制幅度,相对于正激式开关电源来要高很多,因此,反激式开关电源要求调控占空比的 误差信号幅度要比较低,误差信号放大器的增益和动态范围也要较小。由于这些优点,目前,反激式开关电源在家电领域中还是被广泛的应用。    5 反激式开关电源多用于功率较小的场合或是多路输出的场合。    6 反激式开关电源不需要加磁复位绕组。   在反激式开关电源中,在开关管关断的时候,反激式变换器的变压器储能向负载释放,磁芯自然复位,不需要加磁复位措施。    7 在反激式开关电源中,电压器既具有储能的功能,有具有变压和隔离的功能。 正激式开关电源的优点和缺点   1  正激式变压器开关电源输出电压的瞬态控制特性相对来说比较好。    正激式变压器开关电源正好是在变压器的初级线圈被直流电压激励时,变压器的次级线圈向负载提供功率输出,并且输出电压的幅度是基本稳定的,此时尽管输 出功率不停地变化,但输出电压的幅度基本还是不变,这说明正激式变压器开关电源输出电压的瞬态控制特性相对来说比较好;只有在控制开关处于关断期间,功率 输出才全部由储能电感和储能电容两者同时提供,此时输出电压虽然受负载电流的影响,但如果储能电容的容量取得比较大,负载电流对输出电压的影响也很小。    2  正激式变压器开关电源负载能力相对来说比较强。    由于正激式变压器开关电源一般都是选取变压器输出电压的一周平均值,储能电感在控制开关接通和关断期间都向负载提供电流输出,因此,正激式变压器开关 电源的负载能力相对来说比较强,输出电压的纹波比较小。如果要求正激式变压器开关电源输出电压有较大的调整率,在正常负载的情况下,控制开关的占空比最好 选取在0.5左右,或稍大于0.5,此时流过储能滤波电感的电流才是连续电流。当流过储能滤波电感的电流为连续电流时,负载能力相对来说比较强。    3  正激式变压器开关电源的电压和电流输出特性要比反激式变压器开关电源好很多。   当控制开关的占空比为0.5时,正激式变压器开关电源输出电压uo的幅值正好等于电压平均值Ua的两倍,流过滤波储能电感电流的最大值Im也正好是平 均电流Io(输出电流)的两倍,因此,正激式变压器开关电源的电压和电流的脉动系数S都约等于2,而与反激式变压器开关电源的电压和电流的脉动系数S相 比,差不多小一倍,说明正激式变压器开关电源的电压和电流输出特性要比反激式变压器开关电源好很多。   4 正激式开关电源比反激式变压器开关电源多用一个大储能滤波电感,以及一个续流二极管。     正激式变压器开关电源的缺点也是非常明显的。其中一个是电路比反激式变压器开关电源多用一个大储能滤波电感,以及一个续流二极管。此外,正激式变压器 开关电源输出电压受占空比的调制幅度,相对于反激式变压器开关电源来说要低很多,这个从(1-77)和(1-78)式的对比就很明显可以看出来。因此,正 激式变压器开关电源要求调控占空比的误差信号幅度比较高,误差信号放大器的增益和动态范围也比较大。    5 正激式开关电源的体积比较大。  正激式变压器开关电源为了减少变压器的励磁电流,提高工作效率,变压器的伏秒容量一般都取得比较大(伏秒容量等于输入脉冲电压幅度与脉冲宽度的乘积, 这里用US来表示),并且为了防止变压器初级线圈产生的反电动势把开关管击穿,正激式变压器开关电源的变压器要比反激式变压器开关电源的变压器多一个反电 动势吸收绕组,因此,正激式变压器开关电源的变压器的体积要比反激式变压器开关电源的变压器的体积大。    6 正激式开关电源的变压器初级线圈产生的反电动势电压要比反激式变压器开关电源产生的反电动势电压高。 正激式变压器开关电源还有一个更大的缺点是在控制开关关断时,变压器初级线圈产生的反电动势电压要比反激式变压器开关电源产生的反电动势电压高。因为 一般正激式变压器开关电源工作时,控制开关的占空比都取在0.5左右,而反激式变压器开关电源控制开关的占空比都取得比较小。    7 双管正激式转换器可以应用于较高电压输入,较大功率输出的场合。 推挽式开关电源的优点和缺点   1 推挽式开关电源输出电流瞬态响应速度很高,电压输出特性很好。推挽式开关电源是所有开关电源中电压利用率最高的开关电源。     由于推挽式开关电源中的两个控制开关轮流交替工作,其输出电压波形非常对称,并且开关电源在整个周期之内都向负载提供功率的输出,因此,其输出电流瞬 态响应速度很高,电压输出特性很好。推挽式开关电源是所有开关电源中电压利用率最高的开关电源。它在输入电压很低的情况下,仍然能维持很大的输出功率,所 以推挽式开关电源被广泛的应用于低输入电压的DC/AC逆变器,活DC/DC转换器电路中。    2 推挽式开关电源是一个输出电压特性很好的开关电源。   推挽式开关电源经桥式整流或全波整流后,其输出电压脉动系数和电流脉动系数都很小,因此,需要一个很小值的储能滤波电容或储能滤波电感就可以得到一个电压纹波和电流纹波很小的输出电压。因此,推挽式开关电源是一个输出电压特性很好的开关电源。    3 推挽式开关电源变压器的漏感以及铜阻损耗都比单极性磁化极变压器小很多,开关电源的工作效率跟高。   推挽式开关电源的变压器属于双极性磁化极,磁感应变压范围是单极性磁化极的两倍多,并且变压器铁芯不需要气隙,因此,推挽式开关电源变压器铁芯的磁导 率比单极性磁化极的正激或反激开关电源的变压器铁芯的磁导率高很多倍,这样推挽式开关电源变压器的初级、次级的线圈的匝数可比单极性磁化极变压器初级、次 级的线圈的匝数少一倍以上。所以,推挽式开关电源变压器的漏感以及铜阻损耗都比单极性磁化极变压器小很多,所以开关电源的工作效率跟高。    4 推挽式开关电源的驱动电路简单。     推挽式开关电源的两个开关器件有一个公共接地端,相对于半桥式或全桥式开关电源来说,驱动电路简单的多。    5 推挽式开关电源不会像半桥、全桥式开关电源那样出现两个控制开关同时串通的可能性。    6 推挽式开关电源的主要缺点是两个开关器件需要很高的耐压值。   推挽式开关电源的主要缺点是两个开关器件需要很高的耐压,其耐压必须大于工作电压的两倍。因此,推挽式开关电源在220V交流供电设备中很少使用。另外,直流输出电压可调整式推挽开关电源 输出电压的调整范围比反激式开关电源输出电压的调整范围小很多,并需要一个储能滤波电感,因此,推挽式开关电源不宜用于要求负载电压变化范围太大的场合,特别是负载很轻或是经常开路的场合。    7 推挽式开关电源的变压器有两组初级线圈,对于小功率输出的推挽式开关电源是个缺点,对于大功率输出的推挽式开关电源是个优点。 因为大功率变压器的线 圈一般都是多股线来绕制的,因此,推挽式开关电源的变压器的两组初级线圈与用多股线绕制根本没有区别,并且两个线圈与单个线圈相比可以减低一半电流密度。    8 推挽式转换器可以看作两个正激式转换器的组合,在一个开关周期内,这两的正激式转换器交替的工作。 若两个正激式变换器不完全对称或平衡时,就会出现直流偏磁的现象,经过几个周期累计的偏磁,会使磁芯进入饱和状态,并导致高频变压器的励磁电流过大,甚至损坏开关管。    9 推挽式、半桥式、全桥式转换器属于直流-交流-直流转换器。 由于直流-交流转换器提高了工作频率,所以,变压器和输出滤波器的体积和重量都可以减小。 半桥式开关电源的优点和缺点 1 半桥式变压器开关电源输出功率很大,工作效率很高    半桥式变压器开关电源与推挽式变压器开关电源一样,由于两个开关管轮流交替工作,相当于两个开关电源同时输出功率,其输出功率约等于单一开关电源输出 功率的两倍。因此,半桥式变压器开关电源输出功率很大,工作效率很高,经桥式整流或全波整流后,输出电压的电压脉动系数Sv和电流脉动系数Si都很小,仅 需要很小的滤波电感和电容,其输出电压纹波和电流纹波就可以达到非常小。    2 半桥式开关电源的开关管的耐压值比较低。    半桥式变压器开关电源最大的优点是,对两个开关器件的耐压要求比推挽式变压器开关电源对两个开关器件的耐压要求可以降低一半。因为,半桥式变压器开关 电源两个开关器件的工作电压只有输入电源Ui的一半,其最高耐压等于工作电压与反电动势之和,大约是电源电压的两倍,这个结果正好是推挽式变压器开关电源 两个开关器件耐压的一半。因此,半桥式变压器开关电源主要用于输入电压比较高的场合,一般电网电压为交流220伏供电的大功率开关电源大部分都是用半桥式 变压器开关电源。    3 半桥式开关电源的变压器初级线圈只需要一个绕组,这也是它的优点,这对小功率开关电源变压器的线圈绕制多少带来一些方便。 但对于大功率开关电源变压器的线圈绕制没有优势,因为,大功率开关电源变压器的线圈需要用多股线来绕制。    4 半桥式变压器开关电源的缺点主要是电源利用率比较低,因此,半桥式变压器开关电源不适宜用于工作电压较低的场合。 另外,半桥式变压器开关电源中的两个开关器件连接没有公共地,与驱动信号连接比较麻烦。    5 半桥式开关电源的缺点是会出现半导通区,损耗大。    半桥式开关电源最大的缺点是,当两个控制开关K1和K2处于交替转换工作状态的时候,两个开关器件会同时出现一个很短时间的半导通区域,即两个控制开 关同时处于接通状态。这是因为开关器件在开始导通的时候,相当于对电容充电,它从截止状态到完全导通状态需要一个过渡过程;而开关器件从导通状态转换到截 止状态的时候,相当于对电容放电,它从导通状态到完全截止状态也需要一个过渡过程。    当两个开关器件分别处于导通和截止过渡过程时,即两个开关器件都处于半导通状态时半导通状态时,相当于两个控制开关同时接通,它们会造成对电源电压产 生短路;此时,在两个控制开关的串联回路中将出现很大的电流,而这个电流并没有通过变压器负载。因此,在两个控制开关K1和K2同时处于过渡过程期间,两个开关器件将会产生很大的功率损耗。为了降低控制开关过渡过程产生的损耗,一般在半桥式开关电源电路中,都有意让两个控制开关的接通和截止时间错开一小段时间。    6 单电容半桥式变压器开关电源比双电容半桥式变压器开关电源节省一个电容器,这是它的优点。 另外,单电容半桥式变压器开关电源刚开始工作的时候,输出电压差 不多比双电容半桥式变压器开关电源是输出电压高一倍,这种特点最适用于作为荧光灯电源,例如,节能灯或日光灯以及LCD显示屏的背光灯等。    荧光灯一般开始点亮的时候需要很高的电压,大约几百伏到几千伏,而点亮以后工作电压才需要几十伏到1百多伏,因此,几乎所有的节能灯无一不是使用单电容半桥式变压器开关电源。   7 单电容半桥式变压器开关电源也有缺点,就是开关器件的耐压要求比双电容半桥式变压器开关电源的耐压高。 全桥式开关电源的优点和缺点   1 全桥式变压器开关电源输出功率很大,工作效率很高。    全桥式变压器开关电源与推挽式变压器开关电源一样,由于两组开关器件轮流交替工作,相当于两个开关电源同时输出功率,其输出功率约等于单一开关电源输 出功率的两倍。因此,全桥式变压器开关电源输出功率很大,工作效率很高,经桥式整流或全波整流后,其输出电压的电压脉动系数Sv和电流脉动系数Si都很 小,仅需要一个很小值的储能滤波电容或储能滤波电感,就可以得到一个电压纹波和电流纹波都很小的输出电压。   2 全桥式开关电源的优点是开关管的耐压值特别的低。    全桥式变压器开关电源最大的优点是,对4个开关器件的耐压要求比推挽式变压器开关电源对两个开关器件的耐压要求可以降低一半。因为,全桥式变压器开关 电源4个开关器件分成两组,工作时2个开关器件互相串联,关断时,每个开关器件所承受的电压,只有单个开关器件所承受电压的一半。其最高耐压等于工作电压 与反电动势之和的一半,这个结果正好是推挽式变压器开关电源两个开关器件耐压的一半。    3 全桥式变压器开关电源主要用于输入电压比较高的场合,在输入电压很高的情况下,采用全桥式变压器开关电源,其输出功率要比推挽式变压器开关电源的输出功率 大很多。 因此,一般电网电压为交流220伏供电的大功率开关电源大部分都是使用全桥式变压器开关电源。而在输入电压较低的情况下,推挽式变压器开关电源的 输出功率又要比全桥式变压器开关电源的输出功率大很多。    4 全桥式变压器开关电源的电源利用率比推挽式变压器开关电源的电源利用率低一些。 因为2组开关器件互相串联,两个开关器件接通时总的电压降要比单个开关器件 接通时的电压降大一倍;但比半桥式变压器开关电源的电源利用率高很多。因此,全桥式变压器开关电源也可以用于工作电源电压比较低的场合。    5 与半桥式开关电源一样,全桥式变压器开关电源的变压器初级线圈只需要一个绕组,这也是它的优点。 这对小功率开关电源变压器的线圈绕制多少带来一些方便。但对于大功率开关电源变压器的线圈绕制没有优势,因为,大功率开关电源变压器的线圈需要用多股线来绕。    6 全桥式变压器开关电源的缺点主要是功率损耗比较较大,因此,全桥式变压器开关电源不适宜用于工作电压较低的场合,否则工作效率会很低。 另外,全桥式变压器开关电源中的4个开关器件连接没有公共地,与驱动信号连接比较麻烦。    7 全桥式开关电源的缺点是会出现半导通区,损耗大。    全桥式开关电源最大的缺点是,当两组控制开关K1、K4和K2、K3处于交替转换工作状态的时候,4个开关器件会同时出现一个很短时间的半导通区域, 即两组控制开关同时处于接通状态。这是因为开关器件在开始导通的时候,相当于对电容充电,它从截止状态到完全导通状态需要一个过渡过程;而开关器件从导通 状态转换到截止状态的时候,相当于对电容放电,它从导通状态到完全截止状态也需要一个过渡过程。    当两组开关器件分别处于导通和截止过渡过程时,即两组开关器件都处于半导通状态时,相当于两组控制开关同时接通,它们会造成对电源电压产生短路;此 时,在4个控制开关的串联回路中将出现很大的电流,而这个电流并没有通过变压器负载。因此,在4个控制开关K1、K4和K2、K3同时处于过渡过程期间,4个开关器件将会产生很大的功率损耗。为了降低控制开关过渡过程产生的损耗,一般在全桥式开关电源电路中,都有意让两组控制开关的接通和截止时间错开一小段时间。    双端隔离式PWM DC/DC转换器,在一个开关周期内,功率从隔离变压器的初级绕组的一端和另一端交替的输入,故称双端。双端隔离式PWM DC/DC转换器的磁芯在B-H平面坐标系的第一和第三象限运行,故磁芯可以得到充分的利用。

  • 2019-08-20
  • 发表了主题帖: 开关电源必须进行的9项检测与方法

    1. 反复短路测试   ◆ 测试说明 在各种输入和输出状态下将模块输出短路,模块应能实现保护或回缩,反复多次短路,故障排除后,模块应该能自动恢复正常运行。   ◆ 测试方法 a、空载到短路:在输入电压全范围内,将模块从空载到短路,模块应能正常实现输出限流或回缩,短路排除后,模块应能恢复正常工作。让模块反复从空载到短路不断的工作,短路时间为1s,放开时间为1s,持续时间为2小时。这以后,短路放开,判断模块是否能够正常工作。   b、满载到短路:在输入电压全范围内,将模块从满载到短路,模块应能正常实现输出限流或回缩,短路排除后,模块应能恢复正常工作。让模块从满载到短路然后保持短路状态2小时。然后短路放开,判断模块是否能够正常工作。   c、短路开机:将模块的输出先短路,再上市电,再模块的输入电压范围内上电,模块应能实现正常的限流或回缩,短路故障排除后,模块应能恢复正常工作,重复上述试验10次后,让短路放开,判断模块是否能够正常工作。   ◆ 判定标准 上述试验后,电源模块开机能正常工作;开机壳检查,电路板及其他部分无异常现象(如输入继电器在短路的过程中触电是否粘住了等),合格;否则不合格。   2. 反复开关机测试   ◆ 测试说明 电源模块输出带最大负载情况下,输入电压分别为220v,(输入过压点-5v)和(输入欠压点+5v)条件下,输入反复开关,测试电源模块反复开关机的性能。   ◆ 测试方法 a、输入电压为220v,电源模块快带最大负载,用接触器控制电压输入,合15s,断开5s(或者可以用ac source进行模拟),连续运行2小时,电源模块应能正常工作;   b、输入电压为过压点-5v,电源模块带最大负载,用接触器控制电压输入,合15s,断开5s(或者可以用ac source进行模拟),连续运行2小时,电源模块应能正常工作;   c、输入电压为欠压点-5v,电源模块带最大负载,用接触器控制电压输入,合15s,断开5s(或者可以用ac source进行模拟),连续运行2小时,电源模块应能正常工作。   ◆ 判断标准 以上试验中,电源模块工作正常,试验后电源模块能正常工作,性能无明显变化,合格;否则不合格。   3 .输入低压点循环测试   ◆ 测试说明 一次电源模块的输入欠压点保护的设置回差,往往发生以下情况:输入电压较低,接近一次电源模块欠压点关断,带载时欠压,断后,由于电源内阻原因,负载卸掉后电压将上升,可能造成一次电源模块处于在低压时反复开发的状态。   ◆ 测试方法 电源模块带满载运行,输入电压从(输入欠压点-3v)到(输入欠压点+3v)缓慢变化,时间设置为5~8分钟,反复循环运行,电源模块应能正常稳定工作,连续运行最少0.5小时,电源模块性能无明显变化。   ◆ 判定标准 一次电源模块正常连续运行,最少0.5小时后性能无明显变化,合格;否则不合格。   4 .输入瞬态高压测试   ◆ 测试说明 pfc电路采用平均值电路进行过欠压保护,因此在输入瞬态高压时,pfc电路可能会很快实现保护,从而造成损坏,测试一次电源模块在瞬态情况下的稳定运行能力以评估可靠性。   ◆ 测试方法 a、额定电压输入,用双踪示波器测试输入电压波形合过压保护信号,输入电压从限功率点加5v跳变为300v,从示波器上读出过压保护前300v的周期数n,作为以下试验的依据。 b、额定输入电压,电源模块带满载运行,在输入上叠加300v的电压跳变,叠加的周期数为(n-1),叠加频率为1次/30s,共运行3小时。   ◆ 判定标准 一次电源模块在上述条件下能够稳定运行,不出现损坏或其他不正常现象,合格;否则不合格。   5 .输入电压跌落及输出动态负载   ◆ 测试说明 一次模块在实际使用过程中,当输入电压跌落时,电源模块突加负载的极限 况是可能发生的,此时功率器件、磁性元件工作在最大瞬态电流状态,试验可以检验控制时序、限流保护等电路及软件设计的合理性。   ◆ 测试方法 a、将输入电压调整为在欠压点+5v(持续时间为5s)、过压点-5v(持续时间为5s)之间跳变,输出调整在最大负载(最大额定容量,持续时间为500ms)、空载(持续时间为500ms)之间跳变,运行1小时;   b、将输入电压调整为欠压点+5v(持续时间为5s)、过压点-5v(持续时间为5s)之间跳变,输出调整在最大负载(最大额定容量,持续时间为1s)、空载(持续时间为500ms)之间跳变,运行1小时。   ◆ 判定标准 在上述条件下,应能稳定运行,不出现损坏或其他不正常现象,合格;否则不合格。若出现损坏情况,记录故障问题,以提供分析损坏原因的依据。   6 .高压空载,低压限流态运行试验   ◆ 测试说明 高压空载运行是测试模块的损耗情况,尤其是带软开关技术的模块,在空载情况下,软开关变为硬开关,模块的损耗相应增大。低压满载运行是测试模块在最大输入电流时,模块的损耗情况,通常状态下,模块在低压输入、满载输出时,效率最低,此时模块的发热最为严重。   ◆ 测试方法 a、将模块的输入电压调整为输入过压保护点-3v,模块的输出为最低输出电压,空载运行,此时,模块的占空比为最小,连续运行2小时,模块不应损坏;   b、将模块的输入电压调整为欠压点+3v,模块的输出为最高输出电压的拐点状态,此时模块的占空比为最大,连续运行2小时,模块不应出现损坏;   c、将模块的输入电压调整为效率最低点时的输入电压,模块输出为最高输出电压的拐点状态,连续运行2小时,模块不应损坏;   d、将模块的输入电压调整为过压点-3v,模块的输出为最高输出电压的拐点状态,此时模块的占空比为最大,连续运行2小时,模块不应出现损坏;   e、将模块的输入电压调整为效率最低点时的输入电压,模块输出为最高输出电压的拐点状态,连续运行2小时,模块不应损坏。   注意:上述的测试,必须在规格书规定的最高工作温度下进行。   ◆ 判定标准 在上述条件下工作,模块没有出现损坏,合格;否则不合格。   7.电源特殊波形试验   ◆ 测试说明 检验电源模块在电网波形畸变可能形成的尖锋、毛刺和谐波情形下稳定运行能力。以下几种波形必须输入进行试验:   (1)毛刺输入测试波形 电网的毛刺是电网中最常见的波形,毛刺的大小和幅值并没有限值,一般情况下,通过振荡波输入测试和振铃输入波形,基本上可以模拟电网中的毛刺输入,但还需做以下毛刺输入试验。 特点:电网尖锋有过冲并会跌落到0v,过冲和跌落脉宽很窄,一般不会大于100ms,过冲幅度一般不超过100v。跌落的相位并不仅只限于峰值点,在任何相位都有可能发生。这种波形在实际电网中很常见,开通任何开关都会造成该现象。   (2)电压削波波形输入 这种波形也是电网中很常见的,特点是:电网从不定的相位突然跌落到0v,然后直到下个半波开始才恢复。在iec1004-4-11中对于波形的跌落是从大于半个周期开始的,但实际电网中还是存在很多类似的跌落时间小于半个周期的波形。测试时要求,输入电压波形从90度开始跌落,跌落1/4个周期,长时间工作2小时。   (3)电网的半个波头陡升至倍电压,这个波形主要是用来模拟实际电网中会突然出现的谐振过电压,而且在这种情况下,模块的输入过电压保护线路不起作用,这种冲击对于有pfc的电路是存在危险的。测试内容:a、在输入电压为180v,输出满载的情况下,用ac source模拟该波形,要求180v工作3分钟,然后电压突然增加到380v,持续100ms,然后恢复到180v,让模块在这种情况下长时间工作1小时,不应损坏;b、设置ac source使得输入电压为0v,持续5分钟,然后电压突然增加到380v,持续100ms,然后恢复到0v,让模块在这种情况下长时间工作1小时,不应损坏。   ◆ 测试方法 利用ac source对模块供电,模块满载输出;用ac source模拟尖锋、毛刺和谐波电压输入,每种特殊的电压输入工作2小时,测量输入电流和输出电压。模块应能稳定运行,试验中注意x电容,辅助电源,软启动电阻等其他可能出现问题的地方。   判定方法: 在实际中可能出现尖锋、毛刺、谐波电压情形下能稳定运行,不损坏,合格;否则不合格。   8 .有源pfc性能测试   ◆ 测试说明 带有源pfc的电源模块,对电网尖锋、毛刺合和谐波比较敏感,应进行全面仔细的测试。   ◆ 测试方法 利用ac source交流源作为输入电压源,输出分别带半载、满载,测试输入电流波形和电压波形,同时监测pfc后的电压;测试电网在尖锋、毛刺、谐波情况下输入电压、电流的相位及幅值关系;测量pfc开关管的电流和电压,验证在全电压范围和毛刺、尖锋、谐波等情况下开关管和其他功率器件的安全性及电流跟踪电压变化的能力。   ◆ 判定标准 pfc测试可以作为可靠性参考,出现严重问题时,应及时解决。 9. 操作电压测试   ◆ 测试说明 电网中存在多种操作过电压,其中最常见的时空载线路合闸过电压,这种过电压对模块的威胁也较大,本项测试在于验证模块抗操作过电压的能力。   ◆ 测试方法 过电压线路的模拟十分简单,原理如下: 其中电感的参数为10mh(供参考:ees的模块测试方法中,没有接地电容,输入电阻与电感串联,电阻值为0欧、电感为8mh和电阻为79欧、电感为10mh两种情况的测试),电容为16.7uf,测试波形如下(未画出)。   将被测试的设备连接在电容两端,在k合闸瞬间,在电容两端会产生过电压,用来模拟在上电过程中,过电压对设备的损害程度。作为极限测试项目,输入接l、n线,将被测试的设备接在电容两端,频繁开关机,重复频率为1次/5分钟,连续测试5小时。对于三相输入设备,输入接在l、l线上,被测试设备接在电容两端,重复频率为1次/5分钟,连续测试2小时。   ◆ 判定标准 在测试过程中出现短时功能下降或性能劣化,但能自动恢复的,合格;但出现性能永久性劣化或需要人工干预才能恢复的,不合格。   -END-

  • 发表了主题帖: MOSFET的GS波形振荡,可以这样消除!

    对于咱们电源工程师来讲,我们很多时候都在波形,看输入波形,MOS开关波形,电流波形,输出二极管波形,芯片波形,MOS管的GS波形,我们拿开关GS波形为例来聊一下GS的波形。   我们测试MOS管GS波形时,有时会看到下图中的这种波形,在芯片输出端是非常好的方波输出,但一旦到了MOS管的G极就出问题了,有振荡,这个振荡小的时候还能勉强过关,但是有时候振荡特别大,看着都教人担心会不会重启。     这个波形中的振荡是怎么回事?有没有办法消除?   我们一起来看看 IC出来的波形正常,到C1两端的波形就有振荡了,实际上这个振荡就是R1,L1和C1三个元器件的串联振荡引起的,R1为驱动电阻,是我们外加的,L1是PCB上走线的寄生电感,C1是mos管gs的寄生电容。   对于一个RLC串联谐振电路,其中L1和C1不消耗功率,电阻R1起到阻值振荡的作用阻尼作用。   实际上这个电阻的值就决定了C1两端会不会振荡。   1、当R1>2(L1/C1)^0.5时,S1,S2为不相等的实数根。过阻尼情况。 在这种情况下,基本不会发生振荡的。 2、当R1=2(L1/C1)^0.5时,S1,S2为两个相等的实数根。临界情况。 在这种情况下,有振荡也是比较微弱的。 3、当R1<2(L1/C1)^0.5时,S1,S2为共轭复数根。欠阻尼情况。   在这种情况下,电路一定会发生振荡。   所以对于上述的几个振荡需要消除的话,我们有几个选择.   1,增大电阻R1使R1≥2(L1/C1)^0.5,来消除振荡,对于增大R1会降低电源效率的,我们一般选择接近临界的阻值。 2,减小PCB走线寄生电感,这个就是说在布局布线中一定要注意的。 3、增大C1,对于这个我们往往都不太好改变,C1的增大会使开通时间大大加长,我们一般都不去改变他。   所以最主要的还是在布局布线的时候,特别注意走线的长度“整个驱动回路的长度”越短越好,另外可以适当加大R1.

  • 发表了主题帖: 有了这些经验 菜鸟也能轻松选择MOSFET

    一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片。像大多数电子器件一样,MOSFET也受到工作温度的影响。所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的。还有很关键的一点是弄明白你在“产品简介”里看到的这些指标是“最大”或是“典型”值,因为有些数据表并没有说清楚。   电压等级   确定MOSFET的首要特性是其漏源电压VDS,或“漏源击穿电压”,这是在栅极短路到源极,漏极电流在250μA情况下,MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。VDS也被称为“25℃下的绝对最高电压”,但是一定要记住,这个绝对电压与温度有关,而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。你还要明白,最高VDS是直流电压加上可能在电路里存在的任何电压尖峰和纹波。例如,如果你在电压30V并带有100mV、5ns尖峰的电源里使用30V器件,电压就会超过器件的绝对最高限值,器件可能会进入雪崩模式。在这种情况下,MOSFET的可靠性没法得到保证。   在高温下,温度系数会显著改变击穿电压。例如,一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些MOSFET变得象650V MOSFET。很多MOSFET用户的设计规则要求10%~20%的降额因子。在一些设计里,考虑到实际的击穿电压比25℃下的额定数值要高5%~10%,会在实际设计中增加相应的有用设计裕量,对设计是很有利的。   对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。这个电压是在给定的最大RDS(on)条件下,能够确保MOSFET完全导通的电压。这就是为什么导通电阻总是与VGS水平关联在一起的原因,而且也是只有在这个电压下才能保证器件导通。一个重要的设计结果是,你不能用比用于达到RDS(on)额定值的最低VGS还要低的电压,来使MOSFET完全导通。例如,用3.3V微控制器驱动MOSFET完全导通,你需要用在VGS= 2.5V或更低条件下能够导通的MOSFET。   导通电阻,栅极电荷,以及“优值系数”   MOSFET的导通电阻总是在一个或多个栅源电压条件下确定的。最大RDS(on)限值可以比典型数值高20%~50%。RDS(on)最大限值通常指的25℃结温下的数值,而在更高的温度下,RDS(on)可以增加30%~150%,如图1所示。由于RDS(on)随温度而变,而且不能保证最小的电阻值,根据RDS(on)来检测电流不是很准确的方法。    图1 RDS(on)在最高工作温度的30%~150%这个范围内随温度增加而增加   导通电阻对N沟道和P沟道MOSFET都是十分重要的。在开关电源中,Qg是用在开关电源里的N沟道MOSFET的关键选择标准,因为Qg会影响开关损耗。这些损耗有两个方面影响:一个是影响MOSFET导通和关闭的转换时间;另一个是每次开关过程中对栅极电容充电所需的能量。要牢记的一点是,Qg取决于栅源电压,即使用更低的Vgs可以减少开关损耗。   作为一种快速比较准备用在开关应用里MOSFET的方式,设计者经常使用一个单数公式,公式包括表示传导损耗RDS(on)及表示开关损耗的Qg:RDS(on) xQg。这个“优值系数”(FOM)总结了器件的性能,可以用典型值或最大值来比较MOSFET。要保证在器件中进行准确的比较,你需要确定用于RDS(on) 和Qg的是相同的VGS,在公示里典型值和最大值没有碰巧混在一起。较低的FOM能让你在开关应用里获得更好的性能,但是不能保证这一点。只有在实际的电路里才能获得最好的比较结果,在某些情况下可能需要针对每个MOSFET对电路进行微调。   额定电流和功率耗散 基于不同的测试条件,大多数MOSFET在数据表里都有一个或多个的连续漏极电流。你要仔细看看数据表,搞清楚这个额定值是在指定的外壳温度下(比如TC = 25℃),或是环境温度(比如TA = 25℃)。这些数值当中哪些是最相关将取决于器件的特性和应用(见图2)。 图2  全部绝对最大电流和功率数值都是真实的数据   对于用在手持设备里的小型表面贴装器件,关联度最高的电流等级可能是在70℃环境温度下的电流,对于有散热片和强制风冷的大型设备,在TA = 25℃下的电流等级可能更接近实际情况。对于某些器件来说,管芯在其最高结温下能够处理的电流要高于封装所限定的电流水平,在一些数据表,这种“管芯限定”的电流等级是对“封装限定”电流等级的额外补充信息,可以让你了解管芯的鲁棒性。   对于连续的功率耗散也要考虑类似的情况,功耗耗散不仅取决于温度,而且取决于导通时间。设想一个器件在TA= 70℃情况下,以PD=4W连续工作10秒钟。构成“连续”时间周期的因素会根据MOSFET封装而变化,所以你要使用数据表里的标准化热瞬态阻抗图,看经过10秒、100秒或10分钟后的功率耗散是什么样的。如图3所示,这个专用器件经过10秒脉冲后的热阻系数大约是0.33,这意味着经过大约10分钟后,一旦封装达到热饱和,器件的散热能力只有1.33W而不是4W,尽管在良好冷却的情况下器件的散热能力可以达到2W左右。   图3   MOSFET在施加功率脉冲情况下的热阻   实际上,我们可以把MOSFET选型分成四个步骤。   第一步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。   要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。   第二步:确定额定电流   第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOSFET处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。     选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOSFET并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。     技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。     在沟道技术中,晶片中嵌入了一个深沟,通常是为低电压预留的,用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响,开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如,飞兆半导体开发了称为SuperFET的技术,针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。   这种对RDS(ON)的关注十分重要,因为当标准MOSFET的击穿电压升高时,RDS(ON)会随之呈指数级增加,并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在击穿电压达到600V的情况下,实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说,这意味着封装尺寸的大幅减小。   第三步:确定热要求   选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及最大的结温。     器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流,因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是,在处理简单热模型时,设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。     雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率,使器件的温度升高,而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试,计算其雪崩电压,或对器件的稳健性进行测试。计算额定雪崩电压有两种方法;一是统计法,另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。不少公司都有提供其器件测试的详情,如飞兆半导体提供了“Power MOSFET Avalanche Guidelines”( Power MOSFET Avalanche Guidelines--可以到Fairchild网站去下载)。除计算外,技术对雪崩效应也有很大影响。例如,晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。对最终用户而言,这意味着要在系统中采用更大的封装件。   第四步:决定开关性能   选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。     基于开关性能的重要性,新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电荷;而这会使器件尺寸增大。为了减少开关损耗,新的技术如沟道厚底氧化已经应运而生,旨在减少栅极电荷。举例说,SuperFET这种新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg),最大限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样,MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt),甚至可在更高的开关频率下可靠地工作。

  • 2019-08-05
  • 发表了主题帖: 一些关于国赛的题目预测——关于四轴

    预测仅供参考,有没有道理,大家当做一个参考思路吧   四轴: 第一是一键起飞,第二,定高,第三寻迹(激光笔轨迹),第四拍照。(也可能是激光引导),如果三脚架和云台也用在四轴上,那么就是激光追随这四旋翼。这是四旋翼可以在高2米底30cm内飞行,云台可以自行移动追随四旋翼,最后也可能加一个功能无线传输。四旋翼追逐小车,这个并不完美,因为这样开发两套程序,对于学生来说,难度太大。但是不完全没有可能(5%)。四轴一般把上面的功能实现,省一没问题。可以推荐你们看一下小马哥四轴视频教程,看看里面的算法程序。其实如果有兴趣的同学,完全可以将这些关于四轴的程序做到一个程序里面,或者封装好。到时需要哪个直接调用函数,这样多直接呀!!!其实四轴每年都很难的,但是基本做出来前两问就能获奖。其实预测四轴都是扯淡,因为你要是想搞四轴,那么你应该早就准备,而不是现在,并且你应该把之前的电赛关于四轴的做一遍。所以等比赛的时候把能加的功能全部加上去就ok了,根本不需要预测,能飞,能寻迹,能定高,能拍照,真的不知道还能干啥。难道还能载人上天呀。组多再加一个能传输数据,能接受数据,能识别,能定位。是不是还能偷窥。

  • 发表了主题帖: 一些关于国赛的题目预测——关于电源类题目

    预测仅供参考,有没有道理,大家当做一个参考思路吧   电源: 充放电供电系统,就是先给超级电容供电,然后在使用。其中效率非常重要,先充电一段时间给超级电容,同时也带负载,然后在断开电源,测得电压为多少。就是也可以这样说,acdc、dcdc源头都是超级电源,把超级电源看成一个电压源。。但是今年逆变是重点。2013年是ACDC 2015年是DCDC  2017年微电网逆变,那么还有一种题就是,设计一个12V/220V逆变电源的电路,这个你是否会设计呢,然后还可以加上超级电容,输入12V,额定输出220V,功率给一个额定值,加一些保护电路,例如过压保护,限流保护(压敏电阻等),其中220V不一定是220V,也可能是24V,这一题一定得注意,最近网上应该有人讲逆变,好好听一听,能用得到。第三个就是非接触是供电系统,然后加负载,效率又成为了关键、里面还可能设计到变频电源,例如正弦波变频电源,如果出这一题,那我们又可以参考上年的ti电里面的无线充电,这样我们就可以更快的入手。最后一个不得不说 之前电赛没有出过DC-AC的题目。设计一款DC/AC变换电源,输入15V直流电,输出单相有效值5V正弦交流电,直流转交流这种题型也是不错的。电源题主要看的是效率,误差一定要在一定的范围内。其实电源本身并不难,主要是效率能不能达到要求,你想想如果组委会让你效率达到98%,你搞成90%,那基本是0分,搭建电路有些时候大致搭出来是没啥用的,你别忘记加一些保护电路,例如过压,限流,加一下电容。各元器件的使用,包括电感等等。做电源的同学还是有很多方面要注意的

  • 2019-07-09
  • 发表了主题帖: Allegro Color颜色命令的使用分享大家

    1、打开需要显示的Subclass层; 2、在命令窗口输入colorview create,回车 3、在Save view中输入保存文件名,然后单击Save 4、单击Close关闭窗口; 5、在文件夹下会生成3_4.color文件 同时会显示在Visibility栏下拉条中 通过选择下拉条中的文件,可以快速显示相关Subclass; 6、同样可以通过在命令窗口输入colorview load命令,在弹出窗口中选择路径中的3_4.color文件,则会只显示在保存3_4.color文件时打开的Subclass。   注意事项:.color文件需要和.brd文件在同一个文件夹。

  • 发表了主题帖: 电工考证题目,增加日常知识

    链接:https://pan.baidu.com/s/1R5UZxdVz3D5qzdz0GbZCZg  提取码:nmd0

  • 2019-07-07
  • 加入了学习《GPS原理及其应用》,观看 1

  • 评论了课程: EEWORLD大学堂----GPS原理及其应用

    对应课件http://download.eeworld.com.cn/detail/%E6%9C%A8%E7%8A%AF001%E5%8F%B7/603478

  • 2019-06-30
  • 上传了资料: GPS原理及其应用(武汉大学)课件

  • 2019-06-27
  • 发表了主题帖: 开关电源设计和生产中ESD静电的防护及解绝办法

    1 引言   在开关电源设计或生产时对于ESD静电防护是非常重要的一个环节。   电子元器件按其种类不同,受静电破坏的程度也不一样,最低的100V的静电压也会对其造成破坏。近年来随着电子元器件发展趋于集成化,因此要求相应的静电电压也在不断减弱。    人体平常所感应的静电电压在2-4KV以上,通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。也就是说,倘若我们日常生活中所带的静电电位与IC接触,那么几乎所有的IC都将被破坏,这种危险存在于任何没有采取静电防护措施的工作环境中。静电对IC的破坏不仅体现在电子元器件的制造工序当中,而且在IC的组装、远输等过程中都会对IC产生破坏。   开关电源设计时,其实也是可以做有关静电的防护措施的。比如在IC的VCC脚加104电容,在MOS的G极和地之间加100K的电阻。   而更重要的,是在生产过程中工艺的控制,下面,我们就来对静电及其防护做进一步的了解.静电的来源如人体、塑胶制品、有关的测试仪器设备以及电子元件的本身。   2 静电源   1.人体静电:   人体是最重要的静电源,这主要有三个方面的原因,其一,人体接触面广,活动范围大,很容易与带有静电荷的物体接触或者摩擦而带电,同时也有许多机会将人体所带的电荷转移到元件上或者通过器件放电;其二,人体与大地之间的电容值低,约是50~250PF,典型值为150PF,故少量的人体静电荷即可导致很高的静电;其三,人体的电阻较低,相当于良好的导体,故人体处于静电场中也容易感应起电,而且人体某一部分带电即可造成全身带电。   2.测量仪器和设备的静电:   仪器和设备也会由于摩擦或者静电感应而带上静电。如传输带在传动过程中,由于与转轴的接触和分离产生静电,或者是接地不良的仪器金属外壳在电场中感应产生静电等。仪器设备带电后,与元器件接触也会产生静电放电,从而造成静电损伤。   3.器件本身的静电:   电子元件的外壳(主要指陶瓷、玻璃和塑胶封装管壳)与绝缘材料相互摩擦,也会产生静电。器件外壳产生静电后,会通过某一个接地的引脚或外接引线释放静电,也会对器件造成静电损伤。   4.其他静电的来源:   在电子器件的制造、安装、运输传递、试验、存储等过程中,会遇到各种各样的由绝缘材料制成的物品,如工作台、工作服、包装容器等。这些物品相互摩擦或与人体摩擦都会产生很高的静电。     3 开关电源生产工序   在开关电源的生产过程中,电子元器件都有可能遭受到静电损伤,依生产各工序阶段可分为:   1.电源印制电路板(半成品)生产过程:   元器件收货、验收、存储、插入PCB、焊接、品管、半成品入库;   2.电源装配过程:   电路板(半成品)领料、装配、老化烧机、电气参数测试、品管和出货。   在整个过程中,每一阶段中的每一个小步骤,元件都有可能遭受到静电的影响,而实际上,最主要而又容易忽视的一点却是在元器件的传送与运输的过程。在这个过程中,不但包装因移动容易产生静电外,而且整个包装容易暴露在外界高强度电磁场(比如经过高压设备附近、工人移动频繁,推车迅速移动等)而受到破坏,所以传送与运输过程需要特别注意,以减少损失。   4 开关电源静电防护的一般方法   静电防护的根本目的是在电子元器件、半成品组件、电源的制造和使用过程中,通过各种防护手段,防止因静电的力学和放电效应而产生或可能产生的危害,或将这些危害限制在最小程度,以确保元器件、半成品组件和电源成品的设计性能及使用性能不因静电作用受到损害。   从原则上说,静电防护应从控制静电的产生和控制静电的消散两方面进行,控制静电的产生主要是控制工艺过程中和工艺过程中材料的选择;控制静电的消散则主要是快速而安全地将静电泄放和中和;两者共同作用的结果就有可能使静电电平不超过安全限度,达到静电防护的目的。   在生产过程中,静电防护的核心是“消除静电”。为此可建立一个静电安全工作区,即通过使用各种防静电措施,使区域内的可能产生的静电电压保持在对敏感器件安全的阈值下。其基板途径有:   1.工艺控制法:   在生产过程中尽量少产生静电荷,从工艺流程、材料选择、设备安装和操作管理等方面采取措施,控制静电的产生和积累,抑制静电电平和放电能力,使之危害减小。   2.泄放法:   把静电通过泄放到大地,达到消除静电的目的。如添加静电剂或者增湿。最常用方法是工作人员带的防静电带和静电接地柱。   3.静电屏蔽法:   根据静电屏蔽原理,可分为内场屏蔽和外场屏蔽两种。具体措施是用接地的屏蔽罩把带电体与其他物体隔离开,这样带电体的电场将不会影响周围其他物体。   4.复合中和法:   通常利用接地消除器产生带有异性电荷的离子与带电体上的电荷复合,达到中和消除的目的。   5.整净措施:   整净措施旨在避免尖端放电的现象。尽可能使带电体及周围物体的表面保持光滑和洁净,以便减少尖端放电的可能性。   5 决定导线规格   以下,我们来了解一下上述防护方法中所要用的的器件:   静电防护器材使用主要有两大类:防静电制品和静电消除器。防静电制品是由防静电材料制成的物品,主要作用是防止或减少静电的产生,将产生的静电泄放掉;而静电消除器是用来中和那些在绝缘材料上积累的、无法用泄放方法消除的静电电荷。防静电材料制品的种类很多,但主要可以归为下面几类:   1.防静电工作服和腕带   防静电工作服装和腕带是消除人体静电系统的重要组成部分,可以使消除或控制人体静电的产生,从而减少开关电源制造过程中最主要的静电来源。包括防静电的套装、大褂、鞋子、帽子、防静电手套、指套等。防静电服装用不同颜色的防静电布制成,布料中的纱线含一定比例的导电纱,通过导电纱的电晕放电和泄露作用消除服装上的静电。防静电手腕是操作人员在接触电子元器件时最重要的静电防护用品,通过接地通路,可以将人体所带的静电电荷安全泄放掉。它由防静电松紧带、活动按扣、弹簧软线、保护电阻及插头组成。在开关电源生产线上或者其他电子设备生产工厂中最为常见了。     2.防静电包装和运输制品等   防静电包装制品非常多,如防静电屏蔽袋、防静电包装袋、防静电海绵、防静电IC包装管、防静电元件盒、防静电气泡袋和防静电的运输推车等。目的都是对装入的电子器件、开关电源半成品和电源成品起静电保护作用。   3.防静电地坪和台垫   防静电地坪和台垫也是静电防护工程中不可缺少的。防静电地坪也有很多种,按失效性分永久性和临时性;按材料类别分导电橡胶、PVC和导电陶瓷等;按铺设方式分地面直接铺设和架空的活动地板。可以根据实际需要和成本灵活决定选用。     4.静电消除器(消电器、电中和器或者离子平衡器)   静电消除器的是防静电材料制品外的又一大类防静电器材,其主要原理是利用高压电场或者放射性射线的作用使得空气局部电离,产生大量离子和电子对,其中与带电体极性相反的离子向带电体趋近并与之产生中和作用,达到消除静电的目的。   了解了静电产生的原因,以及一些静电的防护措施。从设计和工艺流程上着手,利用全理的方法做到较好的静电防护。生产过程中直通率才会更高,电源产品的品质才会更有保证!

统计信息

已有174人来访过

  • 芯币:1849
  • 好友:4
  • 主题:316
  • 回复:342
  • 课时:--
  • 资源:4

留言

你需要登录后才可以留言 登录 | 注册


dhgd001 2019-8-2
你好,想寻求技术上的合作和帮助,我们做太阳能控制器,想开发一体机,收到留言请联系我,电话和微信都可以,QQ664303381 期待你的回复。
Enbigaland 2019-2-25
我的QQ649869162,想跟您探讨一下mppt,我自己也在做关于这个的研究,准备硬件实现
changhenjian 2018-7-4
我的QQ876756067,想跟您探讨一下mppt
o_0 2018-6-5
学姐能不能加个好友,我想跟您学电源 QQ1020450117或者我加您
查看全部